басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1200В
ерекшеліктері
ҮлгілікАуысуқосымшалар
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілдіАуысу
IGBT
Символ |
сипаттама |
мәндері |
бірлік |
vCES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
v |
vГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
± 20 |
v |
ic |
Жинағыш тогы @ Tc=100лыc |
800 |
a) |
iсм |
Импульстік коллектор тогы tp=1 мс |
1600 |
a) |
pd |
Максималды қуат тарату @ Tvj=175лыc |
4687 |
w |
Диод
Ауысу
Символ |
сипаттама |
мәндері |
бірлік |
vРРМ |
Қайталау Пик Кері Кернеужасы |
1200 |
v |
if |
Диодты үздіксіз алға қарайрент |
900 |
a) |
iм-ге |
Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс |
1800 |
a) |
iFSM |
Ағын Алға Ағым tp=10ms @ Tvj=125лыcАуысу@ Тvj=175лыc |
2392 2448 |
a) |
i2t |
i2t-құн,tp=10мс@tvj=125лыc@ Тvj=175лыc |
28608 29964 |
a)2s |
Модуль
Ауысу
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
tvjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
лыc |
tvjop |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
лыc |
tЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
лыc |
vISO |
Изоляция Кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин |
2500 |
v |
IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
Ауысу Ауысу v(Солтүстік Қазақстан) |
Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитенткеАуысуҚанығу кернеуі |
ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtvj=25лыc |
Ауысу |
1.40 |
1.85 |
Ауысу Ауысу v |
ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtvj=125лыc |
Ауысу |
1.60 |
Ауысу |
|||
ic= 800А,ВГЭ=15В,Ауысуtvj=175лыc |
Ауысу |
1.60 |
Ауысу |
|||
vГЭ(лық) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу |
ic= 24,0ана,vлы=vГЭ,Ауысуtvj=25лыc |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
v |
iCES |
ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылғанағымды |
vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtvj=25лыc |
Ауысу |
Ауысу |
1.0 |
ана |
iГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды |
vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tvj=25лыc |
Ауысу |
Ауысу |
400 |
н |
rГинт |
Ішкі қақпаның кедергісілық |
Ауысу |
Ауысу |
0.5 |
Ауысу |
О |
cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
vлы=25V,f=100kHz,АуысуvГЭ=0В |
Ауысу |
28.4 |
Ауысу |
НФ |
cре |
Кері ауыстыруАуысуҚуаттылық |
Ауысу |
0.15 |
Ауысу |
НФ |
|
qg |
Қақпалық төлем |
vГЭ=-15...+15В |
Ауысу |
2.05 |
Ауысу |
μC |
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=800А,Ауысуrg=0.5Ω, Ls=40nH,АуысуvГЭ=-8V/+15V, tvj=25лыc |
Ауысу |
168 |
Ауысу |
н |
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
78 |
Ауысу |
н |
|
td(оң) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
428 |
Ауысу |
н |
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
123 |
Ауысу |
н |
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту |
Ауысу |
43.4 |
Ауысу |
МЖ |
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту |
Ауысу |
77.0 |
Ауысу |
МЖ |
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=800А,Ауысу rg=0.5Ω, Ls=40nH, АуысуvГЭ=-8V/+15V, tvj=125лыc |
Ауысу |
172 |
Ауысу |
н |
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
84 |
Ауысу |
н |
|
td(оң) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
502 |
Ауысу |
н |
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
206 |
Ауысу |
н |
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту |
Ауысу |
86.3 |
Ауысу |
МЖ |
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту |
Ауысу |
99.1 |
Ауысу |
МЖ |
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=800А, Ауысуrg=0.5Ω, Ls=40nH,Ауысу vГЭ=-8V/+15V, tvj=175лыc |
Ауысу |
174 |
Ауысу |
н |
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
90 |
Ауысу |
н |
|
td(оң) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
531 |
Ауысу |
н |
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
257 |
Ауысу |
н |
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту |
Ауысу |
99.8 |
Ауысу |
МЖ |
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту |
Ауысу |
105 |
Ауысу |
МЖ |
|
Ауысу Ауысу isc |
Ауысу Ауысу SC деректері |
tp≤8μs,vГЭ=15В, tvj=150лыС, vCC=800V,АуысуvКЕМАуысу≤1200В |
Ауысу |
Ауысу 2600 |
Ауысу |
Ауысу a) |
tp≤6μс,vГЭ=15В, tvj=175лыС, vCC=800V,АуысуvКЕМАуысу≤1200В |
Ауысу |
Ауысу 2500 |
Ауысу |
Ауысу a) |
ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірліктері |
Ауысу vf |
Алға қарай диодАуысукернеу |
if=900A,VГЭ=0В,Тvj=25лыc |
Ауысу |
1.60 |
2.00 |
Ауысу v |
if=900A,VГЭ=0В,Тvj=125лыc |
Ауысу |
1.60 |
Ауысу |
|||
if=900A,VГЭ=0В,Тvj=175лыc |
Ауысу |
1.50 |
Ауысу |
|||
qr |
Алынған айыппұл |
Ауысу vr= 600В,If=800А, -di/dt=7778A/μs,VГЭ=-8V,Менs=40nH,tvj=25лыc |
Ауысу |
47.7 |
Ауысу |
μC |
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
400 |
Ауысу |
a) |
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия |
Ауысу |
13.6 |
Ауысу |
МЖ |
|
qr |
Алынған айыппұл |
Ауысу vr= 600В,If=800А, -di/dt=7017A/μs,VГЭ=-8V,Менs=40nH,tvj=125лыc |
Ауысу |
82.7 |
Ауысу |
μC |
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
401 |
Ауысу |
a) |
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия |
Ауысу |
26.5 |
Ауысу |
МЖ |
|
qr |
Алынған айыппұл |
Ауысу vr= 600В,If=800А, -di/dt=6380A/μs,VГЭ=-8V,Менs=40nH,tvj=175лыc |
Ауысу |
110 |
Ауысу |
μC |
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
413 |
Ауысу |
a) |
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия |
Ауысу |
34.8 |
Ауысу |
МЖ |
Ауысу
НТКАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
r25 |
Атаулы кедергі |
Ауысу |
Ауысу |
5.0 |
Ауысу |
kΩ |
∆R/R |
АуыспалыАуысулықАуысуr100 |
tc=100АуысулыcР100= 493,3Ω |
-5 |
Ауысу |
5 |
% |
p25 |
қуаттылығы шашырау |
Ауысу |
Ауысу |
Ауысу |
20.0 |
мв |
b25/50 |
B-құндылығы |
r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))] |
Ауысу |
3375 |
Ауысу |
k |
b25/80 |
B-құндылығы |
r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))] |
Ауысу |
3411 |
Ауысу |
k |
b25/100 |
B-құндылығы |
r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))] |
Ауысу |
3433 |
Ауысу |
k |
Ауысу
МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Символ |
параметр |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
Менлы |
Айналадағы индуктивтілік |
Ауысу |
20 |
Ауысу |
nH |
rCC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке |
Ауысу |
0.80 |
Ауысу |
mΩ |
rТЖК |
Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...жағдай(perIGBT)АуысуДжункция-дан-Кейс (әр Diод) |
Ауысу |
Ауысу |
0.032 Ауысу0.049 |
К/W |
Ауысу rТХ |
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-Жылуалмастырғыш (per Диод)Қалқадан жылу сығындысына (адамға)Модуль) |
Ауысу |
0.030Ауысу 0.046Ауысу 0.009 |
Ауысу |
К/W |
м |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуБолт M5 |
3.0Ауысу3.0 |
Ауысу |
6.0Ауысу6.0 |
n.m |
g |
салмағыАуысулықАуысуМодуль |
Ауысу |
350 |
Ауысу |
g |
Ауысу
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.