1200В

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=100лыc

1000

600

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

1200

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

3409

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

600

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

1200

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу15.0mA,Vлы=VГЭ, тj=25лыc

5.2

6.0

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.7

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

62.1

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.74

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

4.66

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=1.5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

257

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

96

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

628

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

103

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

37.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

51.5

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=1.5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

268

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

107

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

659

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

144

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

53.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

77.3

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=1.5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

278

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

118

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

680

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

155

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

58.9

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

82.4

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

2400

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=600A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.65

2.10

Ауысу

v

if=600A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

if=600A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=600А,

-di/dt=5000A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=25лыc

Ауысу

61.4

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

280

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

20.9

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=600А,

-di/dt=5000A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

114

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

415

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

43.1

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=600А,

-di/dt=5000A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

128

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

443

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

50.0

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісіnce, Терминалдан Чипке

Ауысу

0.18

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

Ауысу

0.044

0.078

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.016

0.028

0.010

Ауысу

К/W

Ауысу

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ4 бұрандасыАуысутерминал қосылымыДабылдауыш момент,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

1.1

2.5

3.0

Ауысу

2.0

5.0

5.0

Ауысу

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g