басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1200В
ерекшеліктері
ҮлгілікАуысуқосымшалар
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
IGBT
|
Символ |
сипаттама |
мәндері |
бірлік |
|
vCES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
v |
|
vГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
± 20 |
v |
|
iКН |
Коллекторды іске асырурент |
600 |
a) |
|
ic |
Жинағыш тогы @ Tf=85лыc |
450 |
a) |
|
iсм |
Импульстік коллектор тогы tp=1 мс |
1200 |
a) |
|
pd |
Максималды қуат таратулықАуысу@tf=75лыcАуысуtj=175лыc |
970 |
w |
Диод
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
мәндері |
бірлік |
|
vРРМ |
Қайталанатын шың кері кернеуГЭ |
1200 |
v |
|
iБФ |
Коллекторды іске асырурент |
600 |
a) |
|
if |
Диодты үздіксіз алға қарайрент |
450 |
a) |
|
iм-ге |
Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс |
1200 |
a) |
Модуль
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
|
tjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
лыc |
|
tжіп |
Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз Бір кезең ішінде 10 теңге30 жастан асқан,осы оқиғаӨмір бойы 3000 есемен |
-40-дан +150-ге дейінАуысу +150-ден +175 дейін |
лыc |
|
tЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
лыc |
|
vISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут |
2500 |
v |
|
dЖүрекке сырғанау |
Терминалды жылу сорғысынаАуысуТерминалдан терминалға |
9.0Ауысу9.0 |
мм |
|
dтаза |
Терминалды жылу сорғысынаАуысуТерминалдан терминалға |
4.5Ауысу4.5 |
мм |
Ауысу
IGBT
|
Символ |
сипаттама |
мәндері |
бірлік |
|
vCES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
v |
|
vГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
± 20 |
v |
|
iКН |
Коллекторды іске асырурент |
600 |
a) |
|
ic |
Жинағыш тогы @ Tf=85лыc |
450 |
a) |
|
iсм |
Импульстік коллектор тогы tp=1 мс |
1200 |
a) |
|
pd |
Максималды қуат таратулықАуысу@tf=75лыcАуысуtj=175лыc |
970 |
w |
Диод
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
мәндері |
бірлік |
|
vРРМ |
Қайталанатын шың кері кернеуГЭ |
1200 |
v |
|
iБФ |
Коллекторды іске асырурент |
600 |
a) |
|
if |
Диодты үздіксіз алға қарайрент |
450 |
a) |
|
iм-ге |
Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс |
1200 |
a) |
Модуль
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
|
tjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
лыc |
|
tжіп |
Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз Бір кезең ішінде 10 теңге30 жастан асқан,осы оқиғаӨмір бойы 3000 есемен |
-40-дан +150-ге дейінАуысу +150-ден +175 дейін |
лыc |
|
tЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
лыc |
|
vISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут |
2500 |
v |
|
dЖүрекке сырғанау |
Терминалды жылу сорғысынаАуысуТерминалдан терминалға |
9.0Ауысу9.0 |
мм |
|
dтаза |
Терминалды жылу сорғысынаАуысуТерминалдан терминалға |
4.5Ауысу4.5 |
мм |
Ауысу
IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtf=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
Ауысу Ауысу Ауысу Ауысу Ауысу v(Солтүстік Қазақстан) |
Ауысу Ауысу Ауысу Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитенткеАуысуҚанығу кернеуі |
ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc |
Ауысу |
1.40 |
Ауысу |
Ауысу Ауысу Ауысу Ауысу Ауысу v |
|
ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc |
Ауысу |
1.65 |
Ауысу |
|||
|
ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=175лыc |
Ауысу |
1.70 |
Ауысу |
|||
|
ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc |
Ауысу |
1.60 |
Ауысу |
|||
|
ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc |
Ауысу |
1.90 |
Ауысу |
|||
|
ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=175лыc |
Ауысу |
2.00 |
Ауысу |
|||
|
vГЭ(лық) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу |
ic= 15,6ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc |
Ауысу |
6.4 |
Ауысу |
v |
|
iCES |
ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылғанағымды |
vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25лыc |
Ауысу |
Ауысу |
1.0 |
ана |
|
iГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды |
vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc |
Ауысу |
Ауысу |
400 |
н |
|
rГинт |
Ішкі қақпа кедергісі |
Ауысу |
Ауысу |
1.67 |
Ауысу |
О |
|
cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
Ауысу vлы=25V,f=100kHz,АуысуvГЭ=0В |
Ауысу |
81.2 |
Ауысу |
НФ |
|
cлық |
Шығарылымдық сыйымдылық |
Ауысу |
1.56 |
Ауысу |
НФ |
|
|
cре |
Кері ауыстыруАуысуҚуаттылық |
Ауысу |
0.53 |
Ауысу |
НФ |
|
|
qg |
Қақпалық төлем |
vлыАуысу= 600В,IcАуысу=600А, VГЭ=-8...+15В |
Ауысу |
5.34 |
Ауысу |
μC |
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу vCC= 600В,Ic=600А, rҚон=1,0Ω,rГофф=2.2Ω,АуысуМенs=22nH, vГЭ=-8V/+15V,Ауысуtj=25лыc |
Ауысу |
290 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
81 |
Ауысу |
н |
|
|
td(оң) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
895 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
87 |
Ауысу |
н |
|
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту |
Ауысу |
53.5 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту |
Ауысу |
47.5 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу vCC= 600В,Ic=600А, rҚон=1,0Ω,rГофф=2.2Ω,АуысуМенs=22nH, vГЭ=-8V/+15V,Ауысуtj=150лыc |
Ауысу |
322 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
103 |
Ауысу |
н |
|
|
td(оң) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
1017 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
171 |
Ауысу |
н |
|
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту |
Ауысу |
84.2 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту |
Ауысу |
63.7 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу vCC= 600В,Ic=600А, rҚон=1,0Ω,rГофф=2.2Ω,АуысуМенs=22nH, vГЭ=-8V/+15V,Ауысуtj=175лыc |
Ауысу |
334 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
104 |
Ауысу |
н |
|
|
td(оң) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
1048 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
187 |
Ауысу |
н |
|
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту |
Ауысу |
89.8 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту |
Ауысу |
65.4 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
isc |
SC деректері |
tp≤6μс,vГЭ=15В, tj=175лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМ≤ 1200В |
Ауысу |
2000 |
Ауысу |
a) |
ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtf=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
Ауысу Ауысу vf |
Ауысу Ауысу Алға қарай диодАуысукернеу |
if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc |
Ауысу |
1.80 |
Ауысу |
Ауысу Ауысу v |
|
if= 450А,ВГЭ=0В,Тj= 150лыc |
Ауысу |
1.75 |
Ауысу |
|||
|
if= 450А,ВГЭ=0В,Тj= 175лыc |
Ауысу |
1.70 |
Ауысу |
|||
|
if=600A,VГЭ=0В,Тj=25лыc |
Ауысу |
1.95 |
Ауысу |
|||
|
if=600A,VГЭ=0В,Тj= 150лыc |
Ауысу |
1.95 |
Ауысу |
|||
|
if=600A,VГЭ=0В,Тj= 175лыc |
Ауысу |
1.90 |
Ауысу |
|||
|
qr |
Алынған айыппұл |
Ауысу vr= 600В,If=600А, -di/dt=7040A/μs,VГЭ=-8ВАуысуМенs=22nH,tj=25лыc |
Ауысу |
22.5 |
Ауысу |
μC |
|
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
304 |
Ауысу |
a) |
|
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия |
Ауысу |
10.8 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
qr |
Алынған айыппұл |
Ауысу vr= 600В,If=600А, -di/dt=5790A/μs,VГЭ=-8ВАуысуМенs=22nH,tj=150лыc |
Ауысу |
46.6 |
Ауысу |
μC |
|
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
336 |
Ауысу |
a) |
|
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия |
Ауысу |
18.2 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
qr |
Алынған айыппұл |
Ауысу vr= 600В,If=600А, -di/dt=5520A/μs,VГЭ=-8ВАуысуМенs=22nH,tj=175лыc |
Ауысу |
49.8 |
Ауысу |
μC |
|
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
346 |
Ауысу |
a) |
|
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия |
Ауысу |
19.8 |
Ауысу |
МЖ |
Ауысу
Ауысу
НТКАуысусипаттамаларыАуысуtf=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
r25 |
Атаулы кедергі |
Ауысу |
Ауысу |
5.0 |
Ауысу |
kΩ |
|
∆R/R |
АуыспалыАуысулықАуысуr100 |
tc=100АуысулыcР100= 493,3Ω |
-5 |
Ауысу |
5 |
% |
|
p25 |
қуаттылығы шашырау |
Ауысу |
Ауысу |
Ауысу |
20.0 |
мв |
|
b25/50 |
B-құндылығы |
r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))] |
Ауысу |
3375 |
Ауысу |
k |
|
b25/80 |
B-құндылығы |
r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))] |
Ауысу |
3411 |
Ауысу |
k |
|
b25/100 |
B-құндылығы |
r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен...Ауысу1 / 298.15K))] |
Ауысу |
3433 |
Ауысу |
k |
Ауысу
МодульАуысусипаттамаларыАуысуtf=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
Менлы |
Айналадағы индуктивтілік |
Ауысу |
8 |
Ауысу |
nH |
|
rCC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке |
Ауысу |
0.75 |
Ауысу |
mΩ |
|
△p |
△V/△t=10,0dm3/минут,tf=75лыc |
Ауысу |
64 |
Ауысу |
мбар |
|
p |
Тоңазытудағы ең жоғары қысымқайырма |
Ауысу |
Ауысу |
2.5 |
қапшық |
|
Ауысу rТЖЖ |
Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...салқындатуАуысуСұйықтық(perIGBT)Қосылым-сауыту сұйықтығы (Д-ға)йод)Ауысу△V/△t=10,0dm3/минут,tf=75лыc |
Ауысу |
Ауысу |
0.103Ауысу0.140 |
К/W |
|
м |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуБолт M5АуысуМонументтік момент,АуысуМ4 бұрандасы |
3.6Ауысу1.8 |
Ауысу |
4.4Ауысу2.2 |
n.m |
|
g |
салмағыАуысулықАуысуМодуль |
Ауысу |
750 |
Ауысу |
g |
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
