басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1200В
ерекшеліктері
ҮлгілікАуысуқосымшалар
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
IGBT
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
|
vCES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
v |
|
vГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
± 20 |
v |
|
ic |
Жинағыш тогы @ Tc=25лыc @ Тc=100лыc |
1000 600 |
a) |
|
iсм |
Импульстік коллектор тогы tp=1 мс |
1200 |
a) |
|
pd |
Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc |
3409 |
w |
Диод
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
|
vРРМ |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
1200 |
v |
|
if |
Диодты үздіксіз алға бұружалға алу |
600 |
a) |
|
iм-ге |
Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс |
1200 |
a) |
Модуль
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
|
tjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
лыc |
|
tжіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
лыc |
|
tЖТГ |
сақтау температурасыАуқымы |
-40-дан +125-ге дейін |
лыc |
|
vISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут |
4000 |
v |
IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
Ауысу Ауысу v(Солтүстік Қазақстан) |
Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc |
Ауысу |
1.70 |
2.05 |
Ауысу Ауысу v |
|
ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc |
Ауысу |
1.95 |
Ауысу |
|||
|
ic=600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc |
Ауысу |
2.00 |
Ауысу |
|||
|
vГЭ(лық) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу |
ic=Ауысу15.0mA,Vлы=VГЭ, тj=25лыc |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
v |
|
iCES |
ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған ағымды |
vлы=vCES,vГЭ=0В, tj=25лыc |
Ауысу |
Ауысу |
1.0 |
ана |
|
iГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды |
vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc |
Ауысу |
Ауысу |
400 |
н |
|
rГинт |
Ішкі қақпаның кедергісілық |
Ауысу |
Ауысу |
1.3 |
Ауысу |
О |
|
cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
vлы=25В,f=1Мхц, vГЭ=0В |
Ауысу |
62.1 |
Ауысу |
НФ |
|
cре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
Ауысу |
1.74 |
Ауысу |
НФ |
|
|
qg |
Қақпалық төлем |
vГЭ=-Ауысу15...+15В |
Ауысу |
4.62 |
Ауысу |
μC |
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=1.5Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc |
Ауысу |
257 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
96 |
Ауысу |
н |
|
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
628 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
103 |
Ауысу |
н |
|
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу |
37.5 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
51.5 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=1.5Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc |
Ауысу |
268 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
107 |
Ауысу |
н |
|
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
659 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
144 |
Ауысу |
н |
|
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу |
53.5 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
77.3 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=600А,Ауысуrg=1.5Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc |
Ауысу |
278 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
118 |
Ауысу |
н |
|
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
680 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
155 |
Ауысу |
н |
|
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу |
58.9 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
82.4 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Ауысу isc |
Ауысу SC деректері |
tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В, tj=150лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМ≤ 1200В |
Ауысу |
Ауысу 2400 |
Ауысу |
Ауысу a) |
ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
Ауысу vf |
Алға қарай диод кернеу |
if=600A,VГЭ=0В,Тj=25лыc |
Ауысу |
1.65 |
2.10 |
Ауысу v |
|
if=600A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc |
Ауысу |
1.65 |
Ауысу |
|||
|
if=600A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc |
Ауысу |
1.65 |
Ауысу |
|||
|
qr |
Алынған айыппұл |
vCC= 600В,If=600А, -di/dt=5000A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=25лыc |
Ауысу |
61.4 |
Ауысу |
μC |
|
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
280 |
Ауысу |
a) |
|
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
Ауысу |
20.9 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
qr |
Алынған айыппұл |
vCC= 600В,If=600А, -di/dt=5000A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc |
Ауысу |
114 |
Ауысу |
μC |
|
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
415 |
Ауысу |
a) |
|
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
Ауысу |
43.1 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
qr |
Алынған айыппұл |
vCC= 600В,If=600А, -di/dt=5000A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc |
Ауысу |
128 |
Ауысу |
μC |
|
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
443 |
Ауысу |
a) |
|
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
Ауысу |
50.0 |
Ауысу |
МЖ |
Ауысу
МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
Менлы |
Айналадағы индуктивтілік |
Ауысу |
Ауысу |
20 |
nH |
|
rCC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісіnce, Терминалдан Чипке |
Ауысу |
0.35 |
Ауысу |
mΩ |
|
rТЖК |
Қатысу (IGB бойынша)Т) Джункция-дан-Кейс (әр Diод) |
Ауысу |
Ауысу |
0.044 0.077 |
К/W |
|
Ауысу rТХ |
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль) |
Ауысу |
0.031 0.055 0.010 |
Ауысу |
К/W |
|
м |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы |
2.5 3.0 |
Ауысу |
5.0 5.0 |
n.m |
|
g |
салмағыАуысулықАуысуМодуль |
Ауысу |
300 |
Ауысу |
g |
Ауысу
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
