1200В

Символ

сипаттама

GD450HFT120C6S_G8

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±30

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25°C

@ Тc=100°C

660

450

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

900

a)

if

Диодты үздіксіз алға қарайрент

450

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

900

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175°C

2083

w

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Изоляция Кернеуі  RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуБолт M5

3.0-денАуысу6.0

3.0-денАуысу6.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

910

g

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=1.5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

360

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

140

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

550

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

146

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

11.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

48.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=1.5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

374

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

147

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

623

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

178

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

17.9

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

64.5

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=30В,f=1МГц,

vГЭ=0В

Ауысу

39.0

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.26

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкм,vГЭ=15В,

tj=125°CVCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1800

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.67

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

Ауысу

nH

Ауысу

rCC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

Ауысу

Ауысу

Ауысу

1.10

Ауысу

Ауысу

mΩ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=450А

tj=25°C

Ауысу

1.65

2.25

v

tj=125°C

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

if=450А,

vr=600В,

rg=1.5Ω,

vГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

41.6

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

77.5

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

241

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

325

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

23.2

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

43.1

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

kΩ

∆R/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

r100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттың шашырауы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Ауысу

0.072

К/W

rθЖК

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

0.110

К/W

rθКС

Қалқадан суға құюға арналған майқапталған)

0.005

Ауысу

К/W