басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1200В
ерекшеліктері
ҮлгілікАуысуқосымшалар
IGBT-инверторtc=25°CАуысуегер өзгеше белгіленбесе
Максималды номиналды мәндер
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
GD450HTT120C7S |
бірліктері |
|
vCES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі@ Тj=25°C |
1200 |
v |
|
vГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
v |
|
ic |
Жинағыш тогы @ Tc=25°C @ Тc=80°C |
650 450 |
a) |
|
iсм |
Импульстік коллектор тогы tp=1 мс |
900 |
a) |
|
ptot |
Толық қуат тарату @ Tj=175°C |
2155 |
w |
|
tsc |
Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ Tj=150°C |
10 |
μs |
Белгілері
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірліктері |
|
v(BR)CES |
Жинақтаушы-шығарғыш Бұзылу кернеуі |
tj=25°C |
1200 |
Ауысу |
Ауысу |
v |
|
iCES |
ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды |
vлы=VCESVГЭ=0В,Ауысуtj=25°C |
Ауысу |
Ауысу |
5.0 |
ана |
|
iГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы ағымды |
vГЭ=VГЭСVлы=0В,Ауысуtj=25°C |
Ауысу |
Ауысу |
400 |
н |
Өздік ерекшеліктері туралы
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірліктері |
|
vЖЕ (th) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері кернеу |
ic= 18,0 мА, Влы=VГЭ,Ауысуtj=25°C |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
v |
|
Ауысу Ауысу v(Солтүстік Қазақстан) |
Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C |
Ауысу |
1.70 |
2.15 |
Ауысу Ауысу v |
|
ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C |
Ауысу |
1.90 |
Ауысу |
Таңдаудың өзгеруіесiк
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірліктері |
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу vCC= 600В,Ic=450А, Rg=1,6Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25°C |
Ауысу |
23.0 |
Ауысу |
МЖ |
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
31.0 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еtot |
жалпыАуысуАуысу жоғалту |
Ауысу |
54.0 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу vCC= 600В,Ic=450А, Rg=1,6Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=125°C |
Ауысу |
36.0 |
Ауысу |
МЖ |
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
48.0 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еtot |
жалпыАуысуАуысу жоғалту |
Ауысу |
84.0 |
Ауысу |
МЖ |
|
td(on) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
vCC= 600В,Ic=450А,rg=1,6Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=25°C |
Ауысу |
160 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
90 |
Ауысу |
н |
|
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
500 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
130 |
Ауысу |
н |
|
|
td(on) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
vCC= 600В,Ic=450А,rg=1,6Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=125°C |
Ауысу |
170 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
100 |
Ауысу |
н |
|
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
570 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
160 |
Ауысу |
н |
|
|
cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
Ауысу vлы=25В,f=1Мхц, vГЭ=0В |
Ауысу |
32.3 |
Ауысу |
НФ |
|
cлық |
Шығарылымдық сыйымдылық |
Ауысу |
1.69 |
Ауысу |
НФ |
|
|
cре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
Ауысу |
1.46 |
Ауысу |
НФ |
|
|
Ауысу isc |
Ауысу SC деректері |
tsc≤10 мс,ВГЭАуысу≤15В,Ауысуtj=125°C, vCC= 900В,АуысуvКЕМАуысу≤1200В |
Ауысу |
Ауысу 1800 |
Ауысу |
Ауысу a) |
|
rГинт |
Ішкі қақпа кедергісі |
Ауысу |
Ауысу |
1.7 |
Ауысу |
О |
|
qg |
Қақпалық төлем |
vГЭ=-15...+15В |
Ауысу |
4.3 |
Ауысу |
μC |
Ауысу
Ауысу
Диод инверторыtc=25°CАуысубасқалар болмасаақылға қонымды
Максималды номиналды мәндер
|
Символ |
сипаттама |
GD450HTT120C7S |
бірліктері |
|
vРРМ |
Жинағыш-эмиттер кернеуі@ Тj=25°C |
1200 |
v |
|
if |
Диссеталды алдыңғы ток @Ауысуtc=80°C |
450 |
a) |
|
iҚРМ |
Қайталанатын жоғары алдыңғы ток tp=1 мс |
900 |
a) |
|
i2t |
i2t-құндылығы,Vr=0В, Тp=10 мс, Тj=125°C |
35000 |
a)2s |
Ауысу
Өздік қасиеттері
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірліктері |
|
|
vf |
Алға қарай диод кернеу |
if= 450А,ВГЭ=0В |
tj=25°C |
Ауысу |
1.65 |
2.15 |
v |
|
tj=125°C |
Ауысу |
1.65 |
Ауысу |
||||
|
qr |
Алынған айыппұл |
Ауысу if=450А, vr=600В, di/dt=-5200A/μs,АуысуvГЭ=-15В |
tj=25°C |
Ауысу |
45.1 |
Ауысу |
н |
|
tj=125°C |
Ауысу |
84.6 |
Ауысу |
||||
|
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
tj=25°C |
Ауысу |
316 |
Ауысу |
a) |
|
|
tj=125°C |
Ауысу |
404 |
Ауысу |
||||
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия |
tj=25°C |
Ауысу |
21.1 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
tj=125°C |
Ауысу |
38.9 |
Ауысу |
||||
электрлікАуысусипаттамаларыАуысулықАуысуНТКАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірліктері |
|
r25 |
Атаулы кедергі |
Ауысу |
Ауысу |
5.0 |
Ауысу |
kΩ |
|
ΔR/R |
АуыспалыАуысулықАуысуr100 |
tc=100°CР100= 493,3Ω |
-5 |
Ауысу |
5 |
% |
|
p25 |
қуаттың шашырауы |
Ауысу |
Ауысу |
Ауысу |
20.0 |
мв |
|
b25/50 |
B-құндылығы |
r2=R25exp[B25/501/Т2-1/(298.1Ауысу5K))] |
Ауысу |
3375 |
Ауысу |
k |
Ауысу
Ауысу
Ауысу
IGBT модулі
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірліктері |
|
vISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин |
Ауысу |
2500 |
Ауысу |
v |
|
Менлы |
Айналадағы индуктивтілік |
Ауысу |
20 |
Ауысу |
nH |
|
rCC+EE' |
Модульдің қорғасын кедергісіТерминал - ЧипкеАуысу@ Тc=25°C |
Ауысу |
1.1 |
Ауысу |
мО |
|
rθJC |
Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...жағдай(perIGBT) Құрамына байланысты (D-ға)йод) |
Ауысу |
Ауысу |
0.058 0.102 |
К/W |
|
rθCS |
Қалқадан-суға құюға арналған май(ауыртпалық) |
Ауысу |
0.005 |
Ауысу |
К/W |
|
tj |
Жоғарғы түйісу температурасы |
Ауысу |
Ауысу |
150 |
°C |
|
tЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40 |
Ауысу |
125 |
°C |
|
орнату қозғалтқыш күші |
Электр терминалыАуысуШраф:M5 |
3.0 |
Ауысу |
6.0 |
n.m |
|
орнатуАуысуШраф:M6 |
3.0 |
Ауысу |
6.0 |
n.m |
|
|
салмағы |
салмағыАуысуМодуль |
Ауысу |
910 |
Ауысу |
g |
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
