1200В

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

680

450

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

900

a)

pd

Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc

2173

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

450

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

900

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.70

2.05

Ауысу

Ауысу

v

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic= 11,3ана,vлы=vГЭ,tj=25лыc

5.2

6.0

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

1.7

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

46.6

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.31

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

3.50

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=1.5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

328

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

76

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

539

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

108

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

19.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

46.6

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=1.5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

376

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

86

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

595

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

214

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

36.3

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

53.5

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=450А,Ауысуrg=1.5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

380

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

89

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

608

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

232

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

41.7

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

55.5

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1800

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.65

2.10

Ауысу

v

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=125лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=150лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=450А,

-di/dt=4370A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=25лыc

Ауысу

29.4

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

275

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

13.2

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=450А,

-di/dt=4370A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=125лыc

Ауысу

68.8

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

342

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

31.6

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=450А,

-di/dt=4370A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,tj=150лыc

Ауысу

79.6

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

354

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

35.8

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісіnce, Терминалдан Чипке

Ауысу

0.35

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

Ауысу

0.069

0.108

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.033

0.051

0.010

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g