1700В

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

706

450

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

900

a)

pd

Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc

2542

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

450

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

900

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.85

2.20

Ауысу

Ауысу

v

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

2.25

Ауысу

ic= 450А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.35

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу18.0mA,Vлы=VГЭ, тj=25лыc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

1.67

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

54.2

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.32

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

4.24

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=450А,Ауысуrg=3.3Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

179

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

105

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

680

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

375

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

116

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

113

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=450А,Ауысуrg=3.3Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

208

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

120

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

784

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

613

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

152

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

171

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC=900V,Ic=450А,Ауысуrg=3.3Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

208

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

120

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

800

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

720

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

167

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

179

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=Ауысу1000В,VКЕМ≤1700В

Ауысу

Ауысу

1800

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.80

2.25

Ауысу

v

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=450А,

-di/dt=4580A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

105

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

198

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

69.0

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=450А,

-di/dt=4580A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

187

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

578

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

129

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=450А,

-di/dt=4580A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

209

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

585

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

150

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

kΩ

ΔR/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

tc=Ауысу100АуысулыC,R100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттылығы

шашырау

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

b25/80

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/801/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3411

Ауысу

k

b25/100

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/1001/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3433

Ауысу

k

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

20

Ауысу

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

1.10

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

Ауысу

0.059

0.083

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.031

0.043

0.009

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуБолт M5

3.0

3.0

Ауысу

6.0

6.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

350

Ауысу

g