басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1700В
ерекшеліктері
ҮлгілікАуысуқосымшалар
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
IGBT
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
ККЕЖ |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1700 |
v |
VGES |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
± 20 |
v |
i |
Коллектордың тогы @ TC=25oC @ TC=95oC |
683 450 |
a) |
ICM |
Импульстік коллектор тогы tp=1 мс |
900 |
a) |
ДҚ |
Максималды қуат жоғалту T =175oC |
2678 |
w |
Ауысу
Диод
Ауысу
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
vРРМ |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
1700 |
v |
if |
Диодты үздіксіз алға бұружалға алу |
450 |
a) |
iм-ге |
Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс |
900 |
a) |
Модуль
Ауысу
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
tjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
лыc |
tжіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
лыc |
tЖТГ |
сақтау температурасыАуқымы |
-40-дан +125-ге дейін |
лыc |
vISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут |
4000 |
v |
Ауысу
IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
Ауысу Ауысу VCE (sat) |
Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC |
Ауысу |
2.00 |
2.45 |
Ауысу Ауысу v |
IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC |
Ауысу |
2.40 |
Ауысу |
|||
IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC |
Ауысу |
2.50 |
Ауысу |
|||
VGE (th) |
Gate-эмиттер шекті кернеуі |
IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC |
5.4 |
6.1 |
7.4 |
v |
ICES |
Жинақтаушыны кесу ағымды |
VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC |
Ауысу |
Ауысу |
5.0 |
ана |
ИГЭС |
Қақпақ-Эмиттер ағып кету тогы |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
Ауысу |
Ауысу |
400 |
н |
RGint |
Ішкі қақпа кедергісі |
Ауысу |
Ауысу |
0.3 |
Ауысу |
О |
Қалғандары |
Кіріс сыйымдылығы |
VCE=25В,f=1Мхц, VGE=0V |
Ауысу |
30.0 |
Ауысу |
НФ |
Крес |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
Ауысу |
1.08 |
Ауысу |
НФ |
|
Бас басқарма |
Қақпалық төлем |
VGE=-15…+15V |
Ауысу |
2.70 |
Ауысу |
μC |
Тд ((олтырау) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC |
Ауысу |
504 |
Ауысу |
н |
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
183 |
Ауысу |
н |
|
Тд (оң) |
Сөндіру кешігу уақыты |
Ауысу |
616 |
Ауысу |
н |
|
Тф |
Күз мезгілі |
Ауысу |
188 |
Ауысу |
н |
|
Эон |
Қосылу ауысу Жоғалту |
Ауысу |
126 |
Ауысу |
МЖ |
|
Еоф |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
89 |
Ауысу |
МЖ |
|
Тд ((олтырау) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC |
Ауысу |
506 |
Ауысу |
н |
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
194 |
Ауысу |
н |
|
Тд (оң) |
Сөндіру кешігу уақыты |
Ауысу |
704 |
Ауысу |
н |
|
Тф |
Күз мезгілі |
Ауысу |
352 |
Ауысу |
н |
|
Эон |
Қосылу ауысу Жоғалту |
Ауысу |
162 |
Ауысу |
МЖ |
|
Еоф |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
124 |
Ауысу |
МЖ |
|
Тд ((олтырау) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC |
Ауысу |
510 |
Ауысу |
н |
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
198 |
Ауысу |
н |
|
Тд (оң) |
Сөндіру кешігу уақыты |
Ауысу |
727 |
Ауысу |
н |
|
Тф |
Күз мезгілі |
Ауысу |
429 |
Ауысу |
н |
|
Эон |
Қосылу ауысу Жоғалту |
Ауысу |
174 |
Ауысу |
МЖ |
|
Еоф |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
132 |
Ауысу |
МЖ |
|
Ауысу еск |
Ауысу SC деректері |
tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
Ауысу |
Ауысу 1440 |
Ауысу |
Ауысу a) |
ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
Ауысу vf |
Алға қарай диод кернеу |
if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc |
Ауысу |
1.87 |
2.32 |
Ауысу v |
if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc |
Ауысу |
2.00 |
Ауысу |
|||
if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc |
Ауысу |
2.05 |
Ауысу |
|||
qr |
Алынған айыппұл |
vr=900V,If=450А, -di/dt=3000A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=25лыc |
Ауысу |
107 |
Ауысу |
μC |
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
519 |
Ауысу |
a) |
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
Ауысу |
75 |
Ауысу |
МЖ |
|
qr |
Алынған айыппұл |
vr=900V,If=450А, -di/dt=3000A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=Ауысу125лыc |
Ауысу |
159 |
Ауысу |
μC |
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
597 |
Ауысу |
a) |
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
Ауысу |
113 |
Ауысу |
МЖ |
|
qr |
Алынған айыппұл |
vr=900V,If=450А, -di/dt=3000A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=Ауысу150лыc |
Ауысу |
170 |
Ауысу |
μC |
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
611 |
Ауысу |
a) |
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
Ауысу |
119 |
Ауысу |
МЖ |
МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Символ |
параметр |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
Менлы |
Айналадағы индуктивтілік |
Ауысу |
Ауысу |
20 |
nH |
rCC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке |
Ауысу |
0.35 |
Ауысу |
mΩ |
rТЖК |
Қатысу (IGB бойынша)Т) Құрамына байланысты (D-ға)йод) |
Ауысу |
Ауысу |
0.056 0.112 |
К/W |
Ауысу rТХ |
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль) |
Ауысу |
0.105 0.210 0.035 |
Ауысу |
К/W |
м |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы |
2.5 3.0 |
Ауысу |
5.0 5.0 |
n.m |
g |
салмағыАуысулықАуысуМодуль |
Ауысу |
300 |
Ауысу |
g |
Ауысу
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.