барлық санаттар

1700В

1700В

басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1700В

GD450HFL170C2S

IGBT Модулі,1700V 450A

Brand:
Жұлдызды қуат
Spu:
GD450HFL170C2S
  • кіріспе
кіріспе

ерекшеліктері

  • Төмен VCE(sat)  SPT+IGBTтехнология
  • 10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
  • VCE (sat)жәнеоңтемпературасыкоэффициенті
  • Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
  • Төмен индуктивтілік корпусы
  • Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
  • DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

ҮлгілікАуысуқосымшалар

  • Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
  • Жел турбинасы
  • Жоғары қуат конвертері

АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

IGBT

Символ

сипаттама

құн

бірлік

ККЕЖ

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

v

VGES

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

i

Коллектордың тогы @ TC=25oC

@ TC=95oC

683

450

a)

ICM

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

900

a)

ДҚ

Максималды қуат жоғалту      T =175oC

2678

w

Ауысу

Диод

Ауысу

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

450

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

900

a)

Модуль

Ауысу

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Ауысу

IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

VCE (sat)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC

Ауысу

2.00

2.45

Ауысу

Ауысу

v

IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC

Ауысу

2.40

Ауысу

IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC

Ауысу

2.50

Ауысу

VGE (th)

Gate-эмиттер шекті кернеуі

IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.1

7.4

v

ICES

Жинақтаушыны кесу

ағымды

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

ИГЭС

Қақпақ-Эмиттер ағып кету тогы

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

Ауысу

Ауысу

400

н

RGint

Ішкі қақпа кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.3

Ауысу

О

Қалғандары

Кіріс сыйымдылығы

VCE=25В,f=1Мхц,

VGE=0V

Ауысу

30.0

Ауысу

НФ

Крес

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.08

Ауысу

НФ

Бас басқарма

Қақпалық төлем

VGE=-15…+15V

Ауысу

2.70

Ауысу

μC

Тд ((олтырау)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

VCC=900V,IC=450A,  RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

Ауысу

504

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

183

Ауысу

н

Тд (оң)

Сөндіру кешігу уақыты

Ауысу

616

Ауысу

н

Тф

Күз мезгілі

Ауысу

188

Ауысу

н

Эон

Қосылу ауысу

Жоғалту

Ауысу

126

Ауысу

МЖ

Еоф

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

89

Ауысу

МЖ

Тд ((олтырау)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

VCC=900V,IC=450A,  RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC

Ауысу

506

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

194

Ауысу

н

Тд (оң)

Сөндіру кешігу уақыты

Ауысу

704

Ауысу

н

Тф

Күз мезгілі

Ауысу

352

Ауысу

н

Эон

Қосылу ауысу

Жоғалту

Ауысу

162

Ауысу

МЖ

Еоф

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

124

Ауысу

МЖ

Тд ((олтырау)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

VCC=900V,IC=450A,  RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC

Ауысу

510

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

198

Ауысу

н

Тд (оң)

Сөндіру кешігу уақыты

Ауысу

727

Ауысу

н

Тф

Күз мезгілі

Ауысу

429

Ауысу

н

Эон

Қосылу ауысу

Жоғалту

Ауысу

174

Ауысу

МЖ

Еоф

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

132

Ауысу

МЖ

Ауысу

еск

Ауысу

SC деректері

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

Ауысу

Ауысу

1440

Ауысу

Ауысу

a)

ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.87

2.32

Ауысу

v

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

if= 450А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

2.05

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=450А,

-di/dt=3000A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=25лыc

Ауысу

107

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

519

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

75

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=450А,

-di/dt=3000A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

159

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

597

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

113

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr=900V,If=450А,

-di/dt=3000A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

170

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

611

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

119

Ауысу

МЖ

МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

Ауысу

0.35

Ауысу

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.056

0.112

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.105

0.210

0.035

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g

Ауысу

Тегін баға ұсынысын алыңыз

Біздің өкіл сізге жақын арада хабарласады.
Email
Аты
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

байланысты өнім

Тауарлар туралы сұрақтар бар ма?

Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.

Баға алу

Тегін баға ұсынысын алыңыз

Біздің өкіл сізге жақын арада хабарласады.
Email
Аты
Компания атауы
Хабарлама
0/1000