1200В

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±30

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

655

400

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=Ауысу1 мс

800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

2205

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

300

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

600

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

650

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=70лыc

515

400

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=Ауысу1 мс

800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

1304

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

650

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

800

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

2500

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу16,0 мА,Влы=VГЭ, тj=25лыc

5.0

5.7

6.5

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0.6

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=30В,f=1МГц,

vГЭ=0В

Ауысу

40.5

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.14

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=15В

Ауысу

2.22

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=2,0Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

408

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

119

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

573

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

135

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

10.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

36.2

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=2,0Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

409

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

120

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

632

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

188

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

13.2

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

53.6

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=2,0Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

410

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

123

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

638

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

198

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

14.4

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

56.1

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1600

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.65

2.10

Ауысу

v

if=300A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=300A,

-di/dt=5200A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

34.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

280

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

19.5

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=300A,

-di/dt=5200A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

55.6

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

350

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

29.8

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=300A,

-di/dt=5200A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

63.6

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

368

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

34.0

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.45

1.90

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.60

Ауысу

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

1.70

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=6,4ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.1

5.8

6.4

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

1.0

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

12.7

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.73

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

4.30

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=400А,Ауысуrg=Ауысу1.8Ω,

vГЭ=±15В,tj=25лыc

Ауысу

102

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

79

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

458

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

49

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

2.88

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

12.9

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=400А,Ауысуrg=Ауысу1.8Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

111

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

80

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

505

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

70

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

4.20

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

16.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=400А,Ауысуrg=Ауысу1.8Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

120

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

80

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

510

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

80

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

4.50

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

17.0

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤6μс,vГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=360В,АуысуvКЕМ≤ 600В

Ауысу

Ауысу

2000

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.55

2.00

Ауысу

v

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.50

Ауысу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.45

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 300В,If=400А,

-di/dt=5500A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

18.2

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

215

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

3.58

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 300В,If=400А,

-di/dt=5500A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

29.8

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

280

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

7.26

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 300В,If=400А,

-di/dt=5500A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

34.2

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

300

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

8.30

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

rТЖК

Бөлшекпен байланысы (Т1 бойынша),Т2 IGBT)

Қалқаға қосылу (D1,D2 Dio бойынша)de)

Қалқаға қосылу (Т3 бойынша),Т4 IGBT)

Қаптамаға қосылу (D3,D4 Dio бойынша)de)

Ауысу

Ауысу

0.068

0.138

0.115

0.195

Ауысу

К/W

Ауысу

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрТ1,Т2 IGBT)

Қалқадан жылу сорғышына (D1,D2 бойынша)Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрТ3,Т4 IGBT)

Қалқадан жылу сорғышына (D3,D4 бойынша)Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.136

0.276

0.230

0.391

0.028

Ауысу

Ауысу

Ауысу

К/W

м

Монументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуБолт M5

3.0

2.5

Ауысу

6.0

5.0

n.m