1200В

Символ

сипаттама

GD400SGL120C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25°C

@ Тc=Ауысу100°C

650

a)

400

iсм(1)

Импульстік коллекторлы керрен

800

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алу

800

a)

pd

Максималды қуаттылықj=Ауысу175°C

3000

w

tsc

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ Tj=125°C

10

μs

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tj

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

i2t-құндылығы, диод

vr=0В, t=10ms, Tj=125°C

27500

a)2s

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS, f=50Hz, t=1мин

2500

v

Қою моментi

Қуат терминалының бұрандасы:M6

2,5 -ге дейінАуысу5

n.m

орнатуАуысуШраф:M6

3АуысуүшінАуысу6

n.m

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

BVCES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттер

ағындылық ағыны

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттер

Төменгі кернеу

ic=8ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушы

Эмитерлер қанықтығы

кернеу

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.9

Ауысу

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

2.1

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

vCC= 600В,Ic=400А,

rg=4Ω, VГЭАуысу=Ауысу±15В,

Ауысу

100

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

60

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

tj=25°C

Ауысу

420

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

vCC= 600В,Ic=400А,

rg=4Ω, VГЭАуысу=Ауысу±15В,

tj=25°C

Ауысу

60

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіру

Ауысу жоғалту

Ауысу

33

Ауысу

МЖ

еАшылған

Айналайық- Мен...Ашылған

Ауысу жоғалту

Ауысу

42

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,

rg=4Ω, VГЭАуысу=Ауысу±15В,

tj=Ауысу125°C

Ауысу

120

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

60

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

490

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

75

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіру

Ауысу жоғалту

Ауысу

35

Ауысу

МЖ

еАшылған

Айналайық- Мен...Ашылған

Ауысу жоғалту

Ауысу

46

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлыАуысу=25В, f=1МГц,

vГЭАуысу=0В

Ауысу

30

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

4

Ауысу

НФ

cре

Кері

Ауысу қабілеті

Ауысу

3

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс, VГЭ=15АуысуV,

tj=125°C, VCC= 900В,

vКЕМ≤1200В

Ауысу

Ауысу

1900

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпа

қарсылық

Ауысу

Ауысу

0.5

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20

nH

Ауысу

rCC+EEАуысу'

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

Ауысу

tc=25°C

Ауысу

Ауысу

0.18

Ауысу

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=400А

tj=25°C

Ауысу

2.1

2.2

v

tj=Ауысу125°C

Ауысу

2.2

2.3

qr

Диод кері

Алу ақысы

Ауысу

if=400А,

vr=600В,

di/dt=-4000A/μs,АуысуvГЭ=-Ауысу15В

tj=25°C

Ауысу

40

Ауысу

μC

tj=Ауысу125°C

Ауысу

48

Ауысу

Ауысу

irm

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіруАуысуағымды

tj=25°C

Ауысу

320

Ауысу

Ауысу

a)

tj=Ауысу125°C

Ауысу

400

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

12

Ауысу

МЖ

tj=Ауысу125°C

Ауысу

20

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қалқаға қосылу (IGBT бөлігі, pe)r Модулі)

Ауысу

0.05

К/W

rθЖК

Қосылым-қапшыққа (диодты бөлшектер, модуль бойынша)е)

Ауысу

0.09

К/W

rθКС

Қалқадан-суға құюға арналған май(ауыртпалық)

0.035

Ауысу

К/W

салмағы

салмағыАуысулықАуысуМодуль

300

Ауысу

g