басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1700В
ерекшеліктері
ҮлгілікАуысуқосымшалар
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
IGBT
|
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
|
vCES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1700 |
v |
|
vГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
± 20 |
v |
|
ic |
Жинағыш тогы @ Tc=25лыc @ Тc=Ауысу100лыc |
648 400 |
a) |
|
iсм |
Импульстік коллектор тогы tp=1 мс |
800 |
a) |
|
pd |
Максималды қуат таратуАуысуtАуысу=175лыc |
2380 |
w |
Ауысу
Диод
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
|
vРРМ |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
1700 |
v |
|
if |
Диодты үздіксіз алға бұружалға алу |
400 |
a) |
|
iм-ге |
Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс |
800 |
a) |
Модуль
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
|
tjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
лыc |
|
tжіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
лыc |
|
tЖТГ |
сақтау температурасыАуқымы |
-40-дан +125-ге дейін |
лыc |
|
vISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут |
4000 |
v |
IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
Ауысу Ауысу v(Солтүстік Қазақстан) |
Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc |
Ауысу |
1.85 |
2.20 |
Ауысу Ауысу v |
|
ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc |
Ауысу |
2.25 |
Ауысу |
|||
|
ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc |
Ауысу |
2.35 |
Ауысу |
|||
|
vГЭ(лық) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу |
ic=Ауысу16,0 мА,Влы=VГЭ, тj=25лыc |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
v |
|
iCES |
ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған ағымды |
vлы=vCES,vГЭ=0В, tj=25лыc |
Ауысу |
Ауысу |
5.0 |
ана |
|
iГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды |
vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc |
Ауысу |
Ауысу |
400 |
н |
|
rГинт |
Ішкі қақпаның кедергісілық |
Ауысу |
Ауысу |
1.88 |
Ауысу |
О |
|
cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
vлы=25В,f=1Мхц, vГЭ=0В |
Ауысу |
48.2 |
Ауысу |
НФ |
|
cре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
Ауысу |
1.17 |
Ауысу |
НФ |
|
|
qg |
Қақпалық төлем |
vГЭ=-Ауысу15В...+15В |
Ауысу |
3.77 |
Ауысу |
μC |
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC=900V,Ic=400А,Ауысуrg=0.82Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc |
Ауысу |
204 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
38 |
Ауысу |
н |
|
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
425 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
113 |
Ауысу |
н |
|
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу |
97.9 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
84.0 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC=900V,Ic=400А,Ауысуrg=0.82Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc |
Ауысу |
208 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
50 |
Ауысу |
н |
|
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
528 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
184 |
Ауысу |
н |
|
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу |
141 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
132 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC=900V,Ic=400А,Ауысуrg=0.82Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc |
Ауысу |
216 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
50 |
Ауысу |
н |
|
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
544 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
204 |
Ауысу |
н |
|
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу |
161 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
137 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Ауысу isc |
Ауысу SC деректері |
tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В, tj=150лыC,VCC=Ауысу100V,VКЕМ≤1700В |
Ауысу |
Ауысу 1600 |
Ауысу |
Ауысу a) |
ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
Ауысу vf |
Алға қарай диод кернеу |
if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc |
Ауысу |
1.80 |
2.25 |
Ауысу v |
|
if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=125лыc |
Ауысу |
1.90 |
Ауысу |
|||
|
if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=150лыc |
Ауысу |
1.95 |
Ауысу |
|||
|
qr |
Алынған айыппұл |
vr=900V,If=400А, -di/dt=8800A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc |
Ауысу |
116 |
Ауысу |
μC |
|
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
666 |
Ауысу |
a) |
|
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
Ауысу |
63.8 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
qr |
Алынған айыппұл |
vr=900V,If=400А, -di/dt=8800A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=125лыc |
Ауысу |
187 |
Ауысу |
μC |
|
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
662 |
Ауысу |
a) |
|
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
Ауысу |
114 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
qr |
Алынған айыппұл |
vr=900V,If=400А, -di/dt=8800A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=150лыc |
Ауысу |
209 |
Ауысу |
μC |
|
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
640 |
Ауысу |
a) |
|
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
Ауысу |
132 |
Ауысу |
МЖ |
МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
|
Символ |
параметр |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
Менлы |
Айналадағы индуктивтілік |
Ауысу |
Ауысу |
20 |
nH |
|
rCC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісіnce, Терминалдан Чипке |
Ауысу |
0.35 |
Ауысу |
mΩ |
|
rТЖК |
Қатысу (IGB бойынша)Т) Джункция-дан-Кейс (әр Diод) |
Ауысу |
Ауысу |
0.063 0.105 |
К/W |
|
Ауысу rТХ |
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль) |
Ауысу |
0.032 0.053 0.010 |
Ауысу |
К/W |
|
м |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы |
2.5 3.0 |
Ауысу |
5.0 5.0 |
n.m |
|
g |
салмағыАуысулықАуысуМодуль |
Ауысу |
300 |
Ауысу |
g |
Ауысу
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
