басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1200В
ерекшеліктері
ҮлгілікАуысуқосымшалар
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
GD400HFT120C2SN_T4F |
бірліктері |
|
vCES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
v |
|
vГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
± 20 |
v |
|
ic |
Жинағыш тоғысы @tc=25°C @ Тc=90°C |
585 400 |
a) |
|
iсм |
Импульстік коллектор тогы tp= 1мс |
800 |
a) |
|
if |
Диодты үздіксіз алға бұружалға алу |
400 |
a) |
|
iм-ге |
Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алуtp=1 мс |
800 |
a) |
|
pd |
Максималды қуат таратулық @ Тj=175°C |
2174 |
w |
|
tjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
°C |
|
tжіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
°C |
|
tЖТГ |
сақтау температурасыдиапазоны |
-40-дан +125-ге дейін |
°C |
|
vISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут |
4000 |
v |
|
орнатуАуысуқозғалтқыш күші |
Қуат терминалының бұрандасы:M6 Тіркемелік бұранда:M6 |
2,5 -ге дейінАуысу5.0 3.0-денАуысу5.0 |
n.m |
|
салмағы |
салмағыАуысуМодуль |
300 |
g |
Ауысу
Ауысу
Ауысу
электрлікАуысусипаттамаларыАуысулықАуысуIGBTАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Белгілері
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірліктері |
|
v(BR)CES |
Жинақтаушы-шығарғыш Бұзылу кернеуі |
tj=25°C |
1200 |
Ауысу |
Ауысу |
v |
|
iCES |
ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған ағымды |
vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C |
Ауысу |
Ауысу |
5.0 |
ана |
|
iГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды |
vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C |
Ауысу |
Ауысу |
400 |
н |
Өздік ерекшеліктері туралы
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірліктері |
|
vГЭ(лық) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу |
ic=Ауысу15,2 мА,Влы=VГЭ,tj=25°C |
5.1 |
5.8 |
6.4 |
v |
|
Ауысу v(Солтүстік Қазақстан) |
Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C |
Ауысу |
2.05 |
2.45 |
Ауысу v |
|
ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C |
Ауысу |
2.40 |
Ауысу |
Өзгерту сипаттамалары
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірліктері |
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=2,4Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=25°C |
Ауысу |
362 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
112 |
Ауысу |
н |
|
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
378 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
115 |
Ауысу |
н |
|
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу |
34.8 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
19.0 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
td(басталды) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=2,4Ω, vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125°C |
Ауысу |
364 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
113 |
Ауысу |
н |
|
|
td(Ашылған) |
БұғаттауАуысуКешіру уақыты |
Ауысу |
405 |
Ауысу |
н |
|
|
tf |
Күз мезгілі |
Ауысу |
125 |
Ауысу |
н |
|
|
ебасталды |
Қалпына келтіруАуысуАуысу Жоғалту |
Ауысу |
43.0 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
еАшылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
30.8 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
vлы=25В,f=1Мхц, vГЭ=0В |
Ауысу |
24.6 |
Ауысу |
НФ |
|
cре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
Ауысу |
1.38 |
Ауысу |
НФ |
|
|
Ауысу isc |
SC деректері |
tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15АуысуV, tj=125°C,vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В |
Ауысу |
1600 |
Ауысу |
a) |
|
rГинт |
Ішкі қақпаның кедергісілық |
Ауысу |
Ауысу |
1.9 |
Ауысу |
О |
|
Менлы |
Айналадағы индуктивтілік |
Ауысу |
Ауысу |
Ауысу |
20 |
nH |
|
Ауысу rCC+EE |
Модульді жетек қарсылық, Терминалдан чипке |
Ауысу |
Ауысу |
Ауысу 0.35 |
Ауысу |
Ауысу mΩ |
Ауысу
электрлікАуысусипаттамаларыАуысулықАуысуДиодАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірліктері |
|
|
vf |
Алға қарай диод кернеу |
if=400А |
tj=25°C |
Ауысу |
1.95 |
2.35 |
v |
|
tj=125°C |
Ауысу |
2.05 |
Ауысу |
||||
|
qr |
Қайта қалпына келтірілген айыппұл |
if=400А, vr=600В, rg=2,4Ω, vГЭ=-15В |
tj=25°C |
Ауысу |
20.2 |
Ауысу |
μC |
|
tj=125°C |
Ауысу |
43.0 |
Ауысу |
||||
|
irm |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
tj=25°C |
Ауысу |
226 |
Ауысу |
a) |
|
|
tj=125°C |
Ауысу |
340 |
Ауысу |
||||
|
ерек |
Қайта қалпына келтіруэнергия |
tj=25°C |
Ауысу |
10.1 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
tj=125°C |
Ауысу |
27.2 |
Ауысу |
||||
Ауысу
Жылу сипаттамаларыics
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Тип. |
ең көп. |
бірліктері |
|
rθЖК |
Қатысу (IGB бойынша)Т) |
Ауысу |
0.069 |
К/W |
|
rθЖК |
Құрамына байланысты (D-ға)йод) |
Ауысу |
0.098 |
К/W |
|
rθКС |
Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік) |
0.035 |
Ауысу |
К/W |
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
