1200В

Символ

сипаттама

GD400HFT120C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25°C

@ Тc=80°C

600

a)

400

iКМ ((1)

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток@ Тc=80°C

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

800

a)

pd

Максималды қуаттылықtj=150°C

2119

w

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-тенАуысу+125

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

орнату

Электр терминалыАуысуШраф:M6

2,5 -ге дейінАуысу5.0

n.m

қозғалтқыш күші

орнатуАуысуШраф:M6

3.0-денАуысу5.0

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=VCESVГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=VГЭСVлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vЖЕ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=16mA,Vлы=VГЭ,Ауысуtj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.00

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,rg=1,8Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

250

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

39

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

500

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

100

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

17.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

42.0

Ауысу

МЖ

td(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,rg=1,8Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

299

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

46

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

605

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

155

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

25.1

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

61.9

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

28.8

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

1.51

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.31

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C,

vCC=600В,АуысуvКЕМАуысу≤1200В

Ауысу

Ауысу

1600

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

Ауысу

Ауысу

1.9

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE'

Модульдің қорғасын кедергісілық,АуысуТерминалдан чипке

tc=25°C

Ауысу

0.35

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=400А

tj=25°C

Ауысу

1.65

2.15

v

tj=125°C

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

if=400А,

vr=600В,

di/dt=-6000A/μs,АуысуvГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

44

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

78

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

490

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

555

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

19.0

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

35.1

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθJC

Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...жағдай(perIGBT)

Ауысу

0.059

К/W

rθJC

Бөлшекпен байланысы (адамға)Диод)

Ауысу

0.106

К/W

rθCS

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш май)қолданылған)

0.035

Ауысу

К/W

салмағы

салмағыАуысуМодуль

300

Ауысу

g