1200В

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

700

400

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc

2542

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

800

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.10

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу16,0 мА,Влы=VГЭ, тj=25лыc

5.0

5.8

6.5

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

1.9

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

28.8

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.31

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

1.20

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=Ауысу1.8Ω,

vГЭ=±15В,tj=25лыc

Ауысу

250

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

39

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

500

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

100

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

17.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

42.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=Ауысу1.8Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

299

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

46

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

605

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

155

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

25.1

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

61.9

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=Ауысу1.8Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

320

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

52

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

625

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

180

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

30.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

66.8

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=600В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1600

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.65

2.10

Ауысу

v

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=400А,

-di/dt=6000A/μs,

vГЭ=-Ауысу15В,tj=25лыc

Ауысу

44

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

490

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

19.0

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=400А,

-di/dt=6000A/μs,

vГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

78

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

555

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

35.1

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vCC= 600В,If=400А,

-di/dt=6000A/μs,

vГЭ=-Ауысу15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

90

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

565

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

38.8

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

r25

Атаулы кедергі

Ауысу

Ауысу

5.0

Ауысу

kΩ

∆R/R

АуыспалыАуысулықАуысуr100

tc=Ауысу100лыC,R100= 493,3Ω

-5

Ауысу

5

%

p25

қуаттың шашырауы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20.0

мв

b25/50

B-құндылығы

r2=R25қашықтықтан[B25/501/Т2- Мен...

1 / 298.15K))]

Ауысу

3375

Ауысу

k

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.059

0.106

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.109

0.196

0.035

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуБолт M5АуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g