1200В

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=100лыc

769

400

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tvj  = 175лыc

2272

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tvjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tvjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минут

2500

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtvj=25лыc

Ауысу

1.85

2.30

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtvj=125лыc

Ауысу

2.25

Ауысу

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtvj=150лыc

Ауысу

2.35

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=16.00ана,vлы=vГЭ,tvj=25лыc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tvj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tvj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.5

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25V,f=100kHz,АуысуvГЭ=0В

Ауысу

43.2

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.18

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

3.36

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=2Ω,Менs=45nH,

vГЭ=±15В,tvj=25лыc

Ауысу

288

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

72

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

314

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

55

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

43.6

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

12.4

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=2Ω,Менs=45nH,

vГЭ=±15В,tvj=125лыc

Ауысу

291

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

76

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

351

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

88

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

57.6

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

17.1

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=2Ω,Менs=45nH,

vГЭ=±15В,tvj=150лыc

Ауысу

293

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

78

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

365

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

92

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

62.8

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

18.6

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкм,vГЭ=15В,

tvj=150лыC,VCC=800V,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1500

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тvj=25лыc

Ауысу

1.85

2.30

Ауысу

v

if= 400А,ВГЭ=0В,Тvj=125лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тvj=150лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=400А,

-di/dt=4130A/μs,VГЭ=-Ауысу15В,Менs=45nH,tvj=25лыc

Ауысу

38.8

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

252

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

11.2

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=400А,

- Мен...ды/dt= 3860A/μs,vГЭ=-Ауысу15В,Менs=45nH,tvj=125лыc

Ауысу

61.9

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

255

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

18.7

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=400А,

- Мен...ды/dt=3720A/μs,vГЭ=-Ауысу15В,Менs=45nH,tvj=150лыc

Ауысу

75.9

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

257

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

20.5

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

Ауысу

0.35

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

Ауысу

0.066

0.115

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (per Диод)

Корпус-радиатор (per Mодуль)

Ауысу

0.031

0.055

0.010

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g