1200В

Символ

сипаттама

GD400HFL120C2SN

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25°C

@ Тc=80°C

650

a)

400

iКМ ((1)

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток@ Тc=80°C

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы ағынын

800

a)

pd

Максималды қуаттылықtj=150°C

2450

w

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-тенАуысу+125

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

орнату

Электр терминалыАуысуШраф:M6

2,5 -ге дейінАуысу5.0

n.m

қозғалтқыш күші

орнатуАуысуШраф:M6

3.0-денАуысу5.0

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=VCESVГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=VГЭСVлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vЖЕ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=16mA,Vлы=VГЭ,Ауысуtj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.90

2.35

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.10

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,rg=4.1Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

910

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

200

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

848

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

110

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

33.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

39.5

Ауысу

МЖ

td(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,rg=4.1Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

1047

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

201

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

998

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

150

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

46.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

57.6

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

29.7

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

2.08

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.36

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс,ВГЭ=15В,

tj=25°CVCC=600В,

vКЕМАуысу≤1200В

Ауысу

Ауысу

1800

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.5

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EE'

Модульдің қорғасын кедергісілық,АуысуТерминалдан чипке

tc=25°C

Ауысу

0.35

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=400А

tj=25°C

Ауысу

1.80

2.40

v

tj=125°C

Ауысу

1.85

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

if=400А,

vr=600В,

di/dt=-2680A/μs,АуысуvГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

26

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

49

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

212

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

281

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

13.4

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

23.8

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθJC

Бөлшеуіш- Мен...үшін- Мен...жағдай(perIGBT)

Ауысу

0.051

К/W

rθJC

Бөлшекпен байланысы (адамға)Диод)

Ауысу

0.072

К/W

rθCS

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш май)қолданылған)

0.035

Ауысу

К/W

салмағы

салмағыАуысуМодуль

300

Ауысу

g