1200В

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=90лыc

620

400

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

pd

Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc

2272

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

400

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

800

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.90

2.35

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

2.40

Ауысу

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.55

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу10,0 мА,Влы=VГЭ, тj=25лыc

5.2

6.0

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

100

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

1.9

Ауысу

О

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=0.38Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1496

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

200

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1304

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

816

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

27.6

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

20.8

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=0.38Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

1676

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

252

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1532

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

872

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

41.6

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

23.6

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=400А,Ауысуrg=0.38Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

1676

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

260

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1552

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

888

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

46.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

24.0

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.90

2.35

Ауысу

v

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

if= 400А,ВГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.90

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=400А,

-di/dt=6400A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

20.4

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

180

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

6.8

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=400А,

-di/dt=6400A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

52.4

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

264

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

19.5

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=400А,

-di/dt=6400A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

60.8

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

284

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

22.6

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

15

Ауысу

nH

rCC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі,Терминалдан чипке

Ауысу

0.25

Ауысу

mΩ

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.066

0.093

К/W

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (per Diode)

Корпус-радиатор (per Mодуль)

Ауысу

0.034

0.048

0.010

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g