барлық санаттар

1700В

1700В

басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1700В

GD400CUT170C2S

IGBT модулі,1700 400А

Brand:
Жұлдызды қуат
Spu:
GD400CUT170C2S
  • кіріспе
кіріспе

ерекшеліктері

  • Төмен VCE(sat)ТренчIGBTтехнология
  • Қалпына келтіруден кететін шығындар аз
  • 10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
  • Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
  • Төмен индуктивтілік корпусы
  • Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
  • DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

типтік қолданбалар

  • Ауа ауыстырғыштың қозғалтқыштары
  • Қуат көзі

Ауысу

IGBTАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Максималды номиналды мәндер

Ауысу

Символ

сипаттама

GD400CUT170C2S

бірліктері

vCES

Жинақтаушы-эмиттер кернеуі @ Tj=25°C

1700

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25°C

@ Тc=80°C

650

400

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

800

a)

ptot

Толық қуаттылық@ Тj=Ауысу150°C

2403

w

tsc

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ Tj=150°C

10

μs

Белгілері

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1700

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

3.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Өздік ерекшеліктері туралы

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=Ауысу16 мА,Влы=VГЭ,tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

2.00

2.45

Ауысу

Ауысу

v

ic= 400А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

2.40

Ауысу

Өзгерту сипаттамалары

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC=900V,Ic=400А,rg=3,6Ω,VГЭ=Ауысу±15В,tj=25°C

Ауысу

278

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

81

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

802

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

119

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу жоғалту

Ауысу

104

Ауысу

МЖ

еАшылған

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

86

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

vCC=900V,Ic=400А,rg=3,6Ω,VГЭ=Ауысу±15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

302

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

99

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1002

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

198

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

vCC=900V,Ic=400А,rg=3,6Ω,VГЭ=Ауысу±15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

136

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

124

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

36

Ауысу

пф

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

1.5

Ауысу

пф

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.2

Ауысу

пф

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісіқайырмақ

Ауысу

Ауысу

1.9

Ауысу

О

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tpАуысу10 мс,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°CVCC=Ауысу1000В,VКЕМ1700В

Ауысу

Ауысу

1600

Ауысу

Ауысу

a)

Ауысу

Ауысу

ДиодАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Максималды номиналды мәндер

Ауысу

Символ

сипаттама

GD400CUT170C2S

бірліктері

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу @ Tj=25°C

1700

v

if

ДК алдыңғы ток @ Tc=80°C

100

a)

iҚРМ

Қайталанатын жоғары алдыңғы ток tp=1 мс

200

a)

i2t

i2t-құндылығы,Vr=0В,Тp= 10мс,Тj=125°C

1800

a)2s

Өздік қасиеттері

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=Ауысу100А,ВГЭ=0В

tj=25°C

Ауысу

1.80

2.20

v

tj=Ауысу125°C

Ауысу

1.90

Ауысу

qr

Диод кері

Алу ақысы

Ауысу

if=Ауысу100А,

vr= 900В,

di/dt=-2450A/μs,АуысуvГЭ=-Ауысу15В

tj=25°C

Ауысу

29.0

Ауысу

μC

tj=Ауысу125°C

Ауысу

48.5

Ауысу

Ауысу

irm

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіруАуысуағымды

tj=25°C

Ауысу

155

Ауысу

Ауысу

a)

tj=Ауысу125°C

Ауысу

165

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

15.5

Ауысу

МЖ

tj=Ауысу125°C

Ауысу

27.5

Ауысу

IGBT модулі

Ауысу

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

Ауысу

2500

Ауысу

v

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

nH

rCC+EEАуысу'

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалға шипАуысу@ Тc=25°C

Ауысу

0.35

Ауысу

мО

Ауысу

Ауысу

rθЖК

Құрылғыға қосылу

(IGBT-инвертор,адамғаАуысу1/2 Модуle)

Ауысу

Ауысу

0.052

Ауысу

Ауысу

К/W

Құрылғыға қосылу

(ДИОД-брек-шапкергеАуысу1/2 модулі)

Ауысу

Ауысу

0.280

rθКС

Қалқадан-суға құюға арналған май(ауыртпалық)

Ауысу

0.035

Ауысу

К/W

tj

Жоғарғы түйісу температурасы

Ауысу

150

Ауысу

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40

Ауысу

125

°C

орнату

қозғалтқыш күші

Электр терминалыАуысуШраф:M6

2.5

Ауысу

5.0

n.m

орнатуАуысуШраф:M6

3.0

Ауысу

5.0

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

300

Ауысу

g

Ауысу

Тегін баға ұсынысын алыңыз

Біздің өкіл сізге жақын арада хабарласады.
Email
Аты
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

байланысты өнім

Тауарлар туралы сұрақтар бар ма?

Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.

Баға алу

Тегін баға ұсынысын алыңыз

Біздің өкіл сізге жақын арада хабарласады.
Email
Аты
Компания атауы
Хабарлама
0/1000