1200В

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

483

300

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

600

a)

pd

Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc

1612

w

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

300

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

600

a)

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

650

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=60лыc

372

300

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

600

a)

pd

Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc

920

w

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

650

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

300

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

600

a)

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=7.50ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.2

6.0

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

2.5

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

21.0

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

1.20

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-15...+15В

Ауысу

2.60

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=300A,Ауысуrg=Ауысу1.3Ω,

vГЭ=±15В,tj=25лыc

Ауысу

182

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

54

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

464

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

72

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

10.6

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

25.8

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=300A,Ауысуrg=Ауысу1.3Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

193

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

54

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

577

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

113

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

16.8

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

38.6

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=300A,Ауысуrg=Ауысу1.3Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

203

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

54

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

618

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

124

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

18.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

43.3

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1200

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

ic=300A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.65

2.10

Ауысу

v

ic=300A,VГЭ=0В,Тj=125лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

ic=300A,VГЭ=0В,Тj=150лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=300A,

-di/dt=6050A/μs,VГЭ=-15V,tj=25лыc

Ауысу

29

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

318

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

18.1

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=300A,

-di/dt=6050A/μs,VГЭ=-15V,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

55

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

371

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

28.0

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vCC= 600В,If=300A,

-di/dt=6050A/μs,VГЭ=-15V,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

64

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

390

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

32.8

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.45

1.90

Ауысу

Ауысу

v

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.60

Ауысу

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

1.70

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=4,8ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.1

5.8

6.5

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

1.0

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

17.1

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.51

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-15Ауысу_ _ _ _ _ _ _ _+15В

Ауысу

2.88

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

88

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

40

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

294

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

43

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

1.34

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

8.60

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

96

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

48

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

312

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

60

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

1.86

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

10.8

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

104

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

48

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

318

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

60

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

1.98

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

11.3

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤6μс,vГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=360В,АуысуvКЕМ≤650В

Ауысу

Ауысу

1500

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.55

1.95

Ауысу

v

if=300A,VГЭ=0В,Тj=125лыc

Ауысу

1.50

Ауысу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=150лыc

Ауысу

1.45

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 300В,If=300A,

-di/dt=7150A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=25лыc

Ауысу

14.3

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

209

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

3.74

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 300В,If=300A,

-di/dt=7150A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=125лыc

Ауысу

26.4

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

259

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

6.82

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 300В,If=300A,

-di/dt=7150A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=150лыc

Ауысу

30.8

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

275

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

7.70

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

rТЖК

Бөлшекпен байланысы (Т1 бойынша),Т2 IGBT)

Қалқаға қосылу (D1,D2 Dio бойынша)de)

Қалқаға қосылу (Т3 бойынша),Т4 IGBT)

Қаптамаға қосылу (D3,D4 Dio бойынша)de)

Ауысу

Ауысу

0.093

0.158

0.163

0.299

Ауысу

К/W

Ауысу

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрТ1,Т2 IGBT)

Қалқадан жылу сорғышына (D1,D2 бойынша)Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрТ3,Т4 IGBT)

Қалқадан жылу сорғышына (D3,D4 бойынша)Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

Ауысу

Ауысу

Ауысу

К/W

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысулықАуысуМодуль

Ауысу

340

Ауысу

g