1200В

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу100лыc

540

300

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

600

a)

pd

Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc

1948

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

300

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

600

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

650

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=80лыc

415

300

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp=1 мс

600

a)

pd

Максималды қуат тарату @ TАуысу=175лыc

1086

w

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

650

v

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

300

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

600

a)

Символ

сипаттама

құн

бірлік

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

лыc

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-40-дан +125-ге дейін

лыc

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

2500

v

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

2.10

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу12,0 мА,Влы=VГЭ, тj=25лыc

5.0

5.8

6.5

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

100

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

2.5

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

21.5

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.98

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

2.80

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

250

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

90

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

550

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

130

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

17.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

29.5

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

300

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

100

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

650

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

180

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

25.0

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

44.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

320

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

100

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

680

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

190

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

27.5

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

48.5

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1200

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.65

2.10

Ауысу

v

if=300A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=300A,

-di/dt=6000A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

30.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

210

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

14.0

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=300A,

-di/dt=6000A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

56.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

270

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

26.0

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 600В,If=300A,

-di/dt=6000A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

62.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

290

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

28.5

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.45

1.90

Ауысу

Ауысу

v

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

1.60

Ауысу

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

1.70

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=4,8ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.1

5.8

6.4

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

1.0

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

18.5

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.55

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15ВАуысу...+15В

Ауысу

3.22

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

110

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

50

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

490

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

50

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

2.13

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

9.83

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

120

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

60

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

520

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

70

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

3.10

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

12.0

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

130

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

60

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

530

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

70

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

3.30

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

12.5

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤6μс,vГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC=360В,АуысуvКЕМ≤650В

Ауысу

Ауысу

1500

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.55

2.00

Ауысу

v

if=300A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

1.50

Ауысу

if=300A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

1.45

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 300В,If=300A,

-di/dt=6500A/μs,VГЭ=-Ауысу15Вtj=25лыc

Ауысу

13.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

190

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

3.40

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 300В,If=300A,

-di/dt=6500A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

24.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

235

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

6.20

Ауысу

МЖ

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

Ауысу

vr= 300В,If=300A,

-di/dt=6500A/μs,VГЭ=-Ауысу15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

28.0

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

250

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

7.00

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

rТЖК

Бөлшекпен байланысы (Т1 бойынша),Т2 IGBT)

Қалқаға қосылу (D1,D2 Dio бойынша)de)

Қалқаға қосылу (Т3 бойынша),Т4 IGBT)

Қаптамаға қосылу (D3,D4 Dio бойынша)de)

Ауысу

Ауысу

0.077

0.141

0.138

0.237

Ауысу

К/W

Ауысу

Ауысу

rТХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрТ1,Т2 IGBT)

Қалқадан жылу сорғышына (D1,D2 бойынша)Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрТ3,Т4 IGBT)

Қалқадан жылу сорғышына (D3,D4 бойынша)Диод)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әрМодуль)

Ауысу

0.136

0.249

0.244

0.419

0.028

Ауысу

Ауысу

Ауысу

К/W

м

Монументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуБолт M5

3.0

2.5

Ауысу

6.0

5.0

n.m