1200В

Символ

сипаттама

GD300TLT120C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі@ Тj=25°C

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі@ Тj=25°C

± 20

v

ic

Жинағыш тоғысы @tc=25°C

@ Тc=Ауысу100°C

480

300

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp= 1мс

600

a)

ptot

Толық қуат тарату @ Tj=175°C

1630

w

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=Ауысу12,0 мА,Влы=VГЭ,tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

v

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.00

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

250

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

90

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

550

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

130

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

16.9

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

29.4

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=300A,Ауысуrg=2,4Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

300

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

100

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

650

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

180

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

25.1

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

43.9

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

21.5

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.98

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vCC= 600В,Ic=300A,АуысуvГЭ=-15Ауысу_ _ _ _ _ _ _ _+15В

Ауысу

2.8

Ауысу

нк

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

Ауысу

Ауысу

2.5

Ауысу

О

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15АуысуV,

tj=125℃,VАуысуCC= 900В,VКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

1200

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

сипаттама

GD300TLT120C2S

бірліктері

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу @ Tj=25°C

1200

v

if

DC алға ағым

300

a)

iҚРМ

Қайталанатын жоғары алдыңғы ток tp=1 мс

600

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=300A,

vГЭ=0В

tj=25°C

Ауысу

1.65

2.15

v

tj=125°C

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

if=300A,

vr=600В,

rg=2,4Ω,

vГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

30

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

55

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

210

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

270

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

tj=25°C

Ауысу

13.9

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

26.1

Ауысу

Символ

сипаттама

GD300TLT120C2S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі@ Тj=25°C

650

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі@ Тj=25°C

± 20

v

ic

Жинағыш тоғысы @tc=25°C

@ Тc=Ауысу100°C

480

300

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp= 1мс

600

a)

ptot

Толық қуат тарату @ Tj=175°C

1071

w

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

650

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=13,2ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C

5.5

Ауысу

7.7

v

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.50

1.95

Ауысу

v

ic=300A,VГЭ=15В,Ауысуtj=175°C

Ауысу

1.80

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=300A,Ауысуrg= 2,5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

125

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

320

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

270

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

135

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

3.20

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

12.2

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=300A,Ауысуrg= 2,5Ω,

vГЭ=±15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

110

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

320

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

320

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

145

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

3.50

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

12.8

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=30В,f=1МГц,

vГЭ=0В

Ауысу

25.9

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.68

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vCC= 300В,Ic=300A,АуысуvГЭ=15В

Ауысу

590

Ауысу

нк

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

Ауысу

Ауысу

1.0

Ауысу

О

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤6μс,vГЭ=15В,

tj=125℃,VCC=360В,VКЕМ≤650В

Ауысу

Ауысу

3600

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

сипаттама

GD300TLT120C2S

бірліктері

vРРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу @ Tj=25°C

650

v

if

DC алға ағым

300

a)

iҚРМ

Қайталанатын жоғары алдыңғы ток tp=1 мс

600

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=300A,

vГЭ=0В

tj=25°C

Ауысу

1.40

1.80

v

tj=125°C

Ауысу

1.40

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

if=300A,

vr=300В,

rg=4.7Ω,

vГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

12.0

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

21.2

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

153

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

185

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

tj=25°C

Ауысу

2.65

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

5.12

Ауысу

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минут

4000

Ауысу

Ауысу

v

Ауысу

rθЖК

Бөлшекпен байланысы (Т1 бойынша),Т2 IGBT)

Бөлшекпен байланысы (T1,T2 бойынша)Диод)

Қалқаға қосылу (Т3 бойынша),Т4 IGBT)

Қосқа қосылу (T3,T4 бойынша)Диод)

Ауысу

Ауысу

0.092

0.158

0.137

0.236

Ауысу

К/W

rθКС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік)

Ауысу

0.035

Ауысу

К/W

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

Ауысу

Ауысу

175

°C

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40

Ауысу

150

°C

tЖТГ

сақтау температурасыдиапазоны

-40

Ауысу

125

°C

м

Терминал қосылымның қозғалыс моменті,АуысуМ6 бұрандасыАуысуМонументтік момент,АуысуМ6 бұрандасы

2.5

3.0

Ауысу

5.0

5.0

n.m

g

салмағыАуысуМодуль

Ауысу

340

Ауысу

g