барлық санаттар

1200В

1200В

басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1200В

GD1600SGT120C3S

IGBT Модулі,1200A 1600A

Brand:
Жұлдызды қуат
Spu:
GD1600SGT120C3S
  • кіріспе
кіріспе

ерекшеліктері

  • Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
  • 10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
  • Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
  • Төмен индуктивтілік корпусы
  • Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
  • DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы

ҮлгілікАуысуқосымшалар

  • Жоғары қуаттылық конвертерлері
  • Көлік жүргізушілер
  • Жел турбиналары

АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ

сипаттама

GD1600SGT120C3S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тоғысы @tc=25°C

@ Тc=80°C

2600

1600

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp= 1мс

3200

a)

if

Диодты үздіксіз алға бұружалға алу

@ Тc=80°C

1600

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс

3200

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj= 175°C

8.43

кв

tjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

°C

tЖТГ

сақтау температурасыдиапазоны

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут

4000

v

орнатуАуысуқозғалтқыш күші

Сигнал терминалының бұрандасы:M4

1.8 дейінАуысу2.1

Ауысу

Қуат терминалының бұрандасы:M8

8,0-денАуысу10

n.m

Тіркемелік бұранда:M6

4.25-тен 5.75

Ауысу

Ауысу

Ауысу

Ауысу

электрлікАуысусипаттамаларыАуысулықАуысуIGBTАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Белгілері

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Өздік ерекшеліктері туралы

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=64ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=Ауысу1600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

v

ic=Ауысу1600A,VГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.00

Ауысу

Өзгерту сипаттамалары

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=1600A,Ауысу

rҚон=1.6Ω,rГофф=0.2Ω,Ауысу

vГЭ=±15В,Тj=25°C

Ауысу

601

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

225

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

830

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

155

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

/

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

/

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=Ауысу1600A,Ауысу

rҚон=1.6Ω,RГофф=0.2Ω,vГЭ=±15В,Тj=125°C

Ауысу

665

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

225

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

970

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

180

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

326

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

251

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

115

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

6.03

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

5.23

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15АуысуV,

tj=125°C,vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

6400

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

1.6

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

15

Ауысу

nH

Ауысу

rCC+EE

Модульді жетек

қарсылық,

Терминалдан чипке

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.10

Ауысу

Ауысу

электрлікАуысусипаттамаларыАуысулықАуысуДиодАуысуtc=25°CАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=Ауысу1600A

tj=25°C

Ауысу

1.65

2.05

v

tj=125°C

Ауысу

1.65

Ауысу

qr

Қайта қалпына келтірілген

айыппұл

if=Ауысу1600A,

vr=600В,

rg=0.45Ω,

vГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

160

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

300

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

1100

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

1400

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

tj=25°C

Ауысу

72

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

136

Ауысу

Жылу сипаттамаларыics

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Ауысу

17.8

K/kW

rθЖК

Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

31.0

K/kW

rθКС

Қаптамадан раковинаға дейін (Жеңілгіш майды қолдану)өтірік)

6

Ауысу

K/kW

салмағы

салмағыАуысуМодуль

1500

Ауысу

g

Ауысу

Тегін баға ұсынысын алыңыз

Біздің өкіл сізге жақын арада хабарласады.
Email
Аты
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

байланысты өнім

Тауарлар туралы сұрақтар бар ма?

Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.

Баға алу

Тегін баға ұсынысын алыңыз

Біздің өкіл сізге жақын арада хабарласады.
Email
Аты
Компания атауы
Хабарлама
0/1000