1200В

Символ

сипаттама

GD1600SGL120C3S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

@ Тc=25°C

@ Тc=80°C

2500

a)

1600

iКМ ((1)

Импульстік коллектор тогы tp=Ауысу1 мс

3200

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

1600

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы

3200

a)

pd

Максималды қуаттылықtj=150°C

8.3

кв

tsc

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ Tj=125°C

10

μs

tj

Жоғарғы түйісу температурасы

150

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-тенАуысу+125

°C

i2t-құндылығы, диод

vr=0В,t=10ms,Tj=125°C

300

ка2s

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

орнату

қозғалтқыш күші

Электр терминалыАуысуШраф:M4

Электр терминалыАуысуШрафта:M8

1.8 дейінАуысу2.1

8,0-денАуысу10

n.m

орнатуАуысуШраф:M6

4.25-ге дейінАуысу5.75

n.m

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

BVАуысуCES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=VCESVГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=VГЭСVлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vЖЕ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=64mA,Vлы=VГЭ,Ауысуtj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=1600А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.8

Ауысу

Ауысу

Ауысу

v

ic=1600А,ВГЭ=15В,Ауысуtj=125°C

Ауысу

2.0

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

qГЭ

Қақпалық төлем

vГЭ=-15...+15В

Ауысу

16.8

Ауысу

μC

td(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=1600A,Ауысу

rg=0,82Ω,

vГЭ=±15В,Тj=25°C

Ауысу

225

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

105

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1100

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

100

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу жоғалту

Ауысу

148

Ауысу

МЖ

еАшылған

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

186

Ауысу

МЖ

td(on)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=1600A,Ауысу

rg=0,82Ω,

vГЭ=±15В,Тj=125°C

Ауысу

235

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

105

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1160

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

105

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу жоғалту

Ауысу

206

Ауысу

МЖ

еАшылған

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

239

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

119

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

8.32

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

5.44

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс,ВГЭ=15В,Ауысу

tj=125°C,

vCC= 900В,АуысуvКЕМАуысу≤1200В

Ауысу

Ауысу

7000

Ауысу

Ауысу

a)

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісіқайырмақ

Ауысу

Ауысу

0.1

Ауысу

О

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

12

Ауысу

nH

rCC+EE'

Модульдің қорғасын кедергісілық,АуысуТерминалдан чипке

tc=25°C

Ауысу

0.19

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=1600А

tj=25°C

Ауысу

2.1

Ауысу

v

tj=125°C

Ауысу

2.2

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

if=1600A,

vr=600В,

di/dt=-7500A/μs,АуысуvГЭ=-15В

tj=25°C

Ауысу

73

Ауысу

μC

tj=125°C

Ауысу

175

Ауысу

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

tj=25°C

Ауысу

510

Ауысу

a)

tj=125°C

Ауысу

790

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

17

Ауысу

МЖ

tj=125°C

Ауысу

46

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθJC

Қосылым-қапшыққа (IGBT бөлшегі, әрМодуль)

Ауысу

15

K/kW

rθJC

Қаптамаға қосылу (диодтық бөлшектер, Модуль)

Ауысу

26

K/kW

rθCS

Қаптамадан суға құюға

(Жетістіретін майды қолданған,r Модулі)

6

Ауысу

K/kW

салмағы

салмағыАуысуМодуль

1500

Ауысу

g