1200В

Символ

сипаттама

GD1200SGL120C3S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

Коллектор тогы

@ Тc=25°C

@ Тc=Ауысу100°C

1900

a)

1200

iсм(1)

Импульстік коллектор тогы tp=Ауысу1 мс

2400

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

1200

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алу

2400

a)

pd

Максималды қуаттылықj=Ауысу175°C

8823

w

tsc

Қысқа торапқа төтеп беру уақыты @ Tj=125°C

10

μs

tj

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

i2t-құндылығы, диод

vr=0В, t=10ms, Tj=125°C

300

ка2s

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS, f=50Hz, t=1мин

2500

v

орнату

қозғалтқыш күші

Электр қуаты терминалының бұрандасы:M4

Қуат терминалының бұрандасы:M8

1.7 дейінАуысу2.3

8,0-денАуысу10

n.m

орнатуАуысуШраф:M6

4.25-ге дейінАуысу5.75

n.m

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

BVАуысуCES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

Ауысу

800

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=48.0ана,vлы=vГЭ,tj=25°C

5.0

6.5

7.0

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=Ауысу1200A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.9

Ауысу

Ауысу

Ауысу

v

ic=Ауысу1200A,VГЭ=15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

2.1

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

rГинт

Ішкі қақпа кедергісі

tj=25°C

Ауысу

1.2

Ауысу

О

qГЭ

Қақпалық төлем

ic=Ауысу1200A,Vлы=600В,АуысуvГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

12.5

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

vCC= 600В,Ic=1200A,

rg=0.82Ω,VГЭАуысу=Ауысу±15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

790

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

170

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1350

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

180

Ауысу

н

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=1200A,

rg=0.82Ω,VГЭАуысу=±15АуысуV,Ауысу

tj=Ауысу125°C

Ауысу

850

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

170

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

1500

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

220

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу жоғалту

Ауысу

155

Ауысу

МЖ

еАшылған

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

190

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25В, f=1МГц,

vГЭ=0В

Ауысу

92.0

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

8.40

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

6.10

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс,ВГЭ=15В, Ауысуtj=125°C,

vCC= 900В,АуысуvКЕМ≤1200В

Ауысу

Ауысу

7000

Ауысу

Ауысу

a)

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

15

Ауысу

nH

rCC+EEАуысу'

Модульдің жетек кедергісіе,АуысуТерминалдан чипке

tc=25°C,переключатель

Ауысу

0.10

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=Ауысу1200A

tj=25°C

Ауысу

1.9

Ауысу

v

tj=Ауысу125°C

Ауысу

2.1

Ауысу

qr

Диод кері

Алу ақысы

Ауысу

if=Ауысу1200А,

vr=600В,

di/dt=-6800A/μs,АуысуvГЭ=-Ауысу15В

tj=25°C

Ауысу

110

Ауысу

μC

tj=Ауысу125°C

Ауысу

220

Ауысу

Ауысу

irm

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіруАуысуағымды

tj=25°C

Ауысу

760

Ауысу

Ауысу

a)

tj=Ауысу125°C

Ауысу

990

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

47

Ауысу

МЖ

tj=Ауысу125°C

Ауысу

82

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қалқаға қосылу (IGBT бөлігі, pe)r Модулі)

Ауысу

0.017

К/W

rθЖК

Junction-to-Case (Диод бөлімі, модуль бойыншаle)

Ауысу

0.025

К/W

rθКС

Қаптамадан суға құюға

(Жегілген өткізгіш май,Модуль)

0.006

Ауысу

К/W

салмағы

салмағыАуысулықАуысуМодуль

1500

Ауысу

g