1200В

Символ

сипаттама

GD1200HFT120C3S

бірліктері

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

v

ic

@ Тc=25°C

@ Тc=80°C

1800

a)

1200

iсм(1)

Импульстік коллектор тогы tp=Ауысу1 мс

2400

a)

if

Диодты үздіксіз алдыңғы ток

1200

a)

iм-ге

Диодтың ең жоғары алдыңғы қаптамасыжалға алу

2400

a)

pd

Максималды қуаттылықj=Ауысу150°C

5.2

кв

tj

Жоғарғы түйісу температурасы

150

°C

tЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

°C

vISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1мин

2500

v

орнату

Сигнал терминалыАуысуШраф:M4

Электр терминалыАуысуШрафта:M8

1.8 дейінАуысу2.1

8,0-денАуысу10

Ауысу

n.m

қозғалтқыш күші

орнатуАуысуШраф:M6

4.25-ге дейінАуысу5.75

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

v(BR)CES

Жинақтаушы-шығарғыш

Бұзылу кернеуі

tj=25°C

1200

Ауысу

Ауысу

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...АшылғанАуысуағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысу

tj=25°C

Ауысу

Ауысу

5.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы

ағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,Ауысу

tj=25°C

Ауысу

Ауысу

400

н

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері

кернеу

ic=48ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=Ауысу1200A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25°C

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic=Ауысу1200A,VГЭ=15В,Ауысуtj=Ауысу125°C

Ауысу

2.00

2.45

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-Ауысу15...+15В

Ауысу

11.5

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC= 600В,Ic=1200A,Ауысу

rҚон=2,4Ω,

rГофф=0,82Ω,

vГЭ=±15В,Тj=25°C

Ауысу

600

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

230

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

820

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

150

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу жоғалту

Ауысу

/

Ауысу

МЖ

еАшылған

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

/

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

vCC= 600В,Ic=1200A,Ауысу

rҚон=2,4Ω,

rГофф=0,82Ω,

vГЭ=±15В,Тj=Ауысу125°C

Ауысу

660

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

220

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

960

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

180

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу жоғалту

Ауысу

246

Ауысу

МЖ

еАшылған

Ашылғанда ауысу шығыны

Ауысу

191

Ауысу

МЖ

cлар

Кіріс сыйымдылығы

Ауысу

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

86.1

Ауысу

НФ

cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

Ауысу

4.50

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

3.90

Ауысу

НФ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tsc≤10 мс,ВГЭ=15В, Ауысуtj=125°CVCC= 900В,Ауысу

vКЕМ≤1200В

Ауысу

Ауысу

4800

Ауысу

Ауысу

a)

Менлы

Айналадағы индуктивтілік

Ауысу

Ауысу

20

Ауысу

nH

rCC+EEАуысу'

Модульдің жетек кедергісіе,АуысуТерминалдан чипке

tc=25°C

Ауысу

0.18

Ауысу

мО

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірліктері

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=Ауысу1200A

tj=25°C

Ауысу

1.65

2.15

v

tj=Ауысу125°C

Ауысу

1.65

2.15

qr

Диод кері

Алу ақысы

Ауысу

if=Ауысу1200А,

vr=600В,

rҚон=2,4Ω,

vГЭ=-Ауысу15В

tj=25°C

Ауысу

69

Ауысу

μC

tj=Ауысу125°C

Ауысу

129

Ауысу

Ауысу

irm

Диодтың шегі

Қайта қалпына келтіруАуысуағымды

tj=25°C

Ауысу

485

Ауысу

Ауысу

a)

tj=Ауысу125°C

Ауысу

623

Ауысу

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

tj=25°C

Ауысу

32

Ауысу

МЖ

tj=Ауысу125°C

Ауысу

60

Ауысу

Символ

параметр

Тип.

ең көп.

бірліктері

rθЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Ауысу

24

K/kW

rθЖК

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

43

K/kW

rθКС

Қаптамадан суға құюға

(Жегілген өткізгіш май,Модуль)

6

Ауысу

K/kW

салмағы

салмағыАуысуМодуль

1500

Ауысу

g