IGBT Дискретті

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыc

@ Тc=Ауысу110лыc

50

25

a)

iсм

Импульстік коллектор тогы tp  T бойынша шектелгенjmax

100

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

573

w

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

лыc

tЖТГ

сақтау температурасыАуқымы

-55-ден +150-ге дейін

лыc

ts

Дәнекерлеу температурасы,1.6mm from корпус үшінАуысу10с

260

лыc

м

Монументтік момент,АуысуБолт M3

0.6

n.m

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

ic=25A,vГЭ=15В,

tj=25лыc

Ауысу

1.70

2.15

Ауысу

Ауысу

v

ic=25A,vГЭ=15В,

tj=125лыc

Ауысу

1.95

Ауысу

ic=25A,vГЭ=15В,

tj=150лыc

Ауысу

2.00

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=0.63ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.2

6.0

6.8

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылған

ағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,

tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

1.0

ана

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

400

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

0

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25В,f=1Мхц,

vГЭ=0В

Ауысу

2.59

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

Ауысу

0.07

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-15...+15В

Ауысу

0.19

Ауысу

μC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=25A,Ауысуrg=20Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

28

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

17

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

196

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

185

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

1.71

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

1.49

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=25A,Ауысуrg=20Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=125лыc

Ауысу

28

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

21

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

288

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

216

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

2.57

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

2.21

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 600В,Ic=25A,Ауысуrg=20Ω,VГЭ=±15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

28

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

22

Ауысу

н

td(Ашылған)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

309

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

227

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысу

Жоғалту

Ауысу

2.78

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

Ауысу

2.42

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤ 10 мкс,ВГЭ=15В,

tj=150лыC,VCC= 900В,АуысуvКЕМ≤ 1200В

Ауысу

Ауысу

100

Ауысу

Ауысу

a)

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диод

кернеу

if=25A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

2.20

2.65

Ауысу

v

if=25A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу125лыc

Ауысу

2.30

Ауысу

if=25A,VГЭ=0В,Тj=Ауысу150лыc

Ауысу

2.25

Ауысу

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=25A,

-di/dt=880A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=25лыc

Ауысу

1.43

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

34

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

0.75

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=25A,

-di/dt=880A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=Ауысу125лыc

Ауысу

2.4

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

42

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

1.61

Ауысу

МЖ

qr

Алынған айыппұл

vr= 600В,If=25A,

-di/dt=880A/μs,VГЭ=-15ВАуысуtj=Ауысу150лыc

Ауысу

2.6

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

44

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруэнергия

Ауысу

2.10

Ауысу

МЖ

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Diод)

Ауысу

Ауысу

0.262

0.495

К/W

rТЖЖ

Жарық ортасына қосылу

Ауысу

40

Ауысу

К/W