барлық санаттар

IGBT Дискретті

IGBT Дискретті

басты бет / Өнімдер / IGBT Дискретті

DG120X07T2

IGBT дискретті,1200V,120A

Brand:
Жұлдызды қуат
Spu:
DG120X07T2
  • кіріспе
кіріспе

Жақсы ескерту:fнемесе басқа IGBT дискрет, электрондық пошта жіберіңіз.

ерекшеліктері

  • Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
  • Қалпына келтіруден төмен шығындар
  • Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
  • Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
  • Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
  • Свинецсіз пакет

ҮлгілікАуысуқосымшалар

  • Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
  • АЖ және ТЖ сервоқозғалтқышы күшейтуші
  • Бөлінбейтін қуат көзі

АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілдіАуысу

IGBT

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vCES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

650

v

vГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

± 20

v

ic

Жинағыш тогы @ Tc=25лыC @ Tc=135лыc

240

120

a)

iсм

қалтқылыАуысуЖинақтаушыАуысуағымдыАуысуtpАуысушектелгенАуысуарқылыАуысуtjmax

360

a)

pd

Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc

893

w

Диод

Ауысу

Символ

сипаттама

құн

бірлік

vРРМ

Қайталау Пик Кері Кернеужасы

650

v

if

Диоданың үздіксіз алға ағым күші   @ Tc=25лыcАуысу@ Тc=80лыc

177

120

a)

iм-ге

ДиодАуысуең көпАуысуАлғаАуысуағымдыАуысуtpАуысушектелгенАуысуарқылыАуысуtjmax

360

a)

Арнайы

Ауысу

Символ

сипаттама

мәндері

бірлік

tжіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

лыc

tЖТГ

Сақтау температурасы

-55-ден +150-ге дейін

лыc

ts

Дәнекерлеу температурасы: 1,6 ммүшінАуысу10с

260

лыc

IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

Ауысу

v(Солтүстік Қазақстан)

Ауысу

Ауысу

Жинақтаушыдан эмитенткеАуысуҚанығу кернеуі

ic=120A,VГЭ=15В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

1.40

1.85

Ауысу

Ауысу

v

ic=120A,VГЭ=15В,Ауысуtj=150лыc

Ауысу

1.70

Ауысу

ic=120A,VГЭ=15В,Ауысуtj=175лыc

Ауысу

1.75

Ауысу

vГЭ(лық)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшеріАуысукернеу

ic=1.92ана,vлы=vГЭ,Ауысуtj=25лыc

5.1

5.8

6.5

v

iCES

ЖинақтаушыАуысукесу- Мен...Ашылғанағымды

vлы=vCES,vГЭ=0В,Ауысуtj=25лыc

Ауысу

Ауысу

250

uA

iГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуыАуысуағымды

vГЭ=vГЭС,vлы=0В,tj=25лыc

Ауысу

Ауысу

200

н

rГинт

Ішкі қақпаның кедергісілық

Ауысу

Ауысу

/

Ауысу

О

cлар

Кіріс сыйымдылығы

vлы=25V,f=100kHz,АуысуvГЭ=0В

Ауысу

14.1

Ауысу

НФ

cре

Кері ауыстыруАуысуҚуаттылық

Ауысу

0.42

Ауысу

НФ

qg

Қақпалық төлем

vГЭ=-15Ауысу...+15В

Ауысу

0.86

Ауысу

uC

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=120A,Ауысуrg=7.5Ω,

vГЭ=±15В,АуысуМенs=40nH,tj=25лыc

Ауысу

68

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

201

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

166

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

54

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

7.19

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

2.56

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=120A,Ауысуrg=7.5Ω,

vГЭ=±15В,АуысуМенs=40nH,tj=150лыc

Ауысу

70

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

207

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

186

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

106

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

7.70

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

2.89

Ауысу

МЖ

td(басталды)

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vCC= 300В,Ic=120A,Ауысуrg=7.5Ω,

vГЭ=±15В,АуысуМенs=40nH,tj=175лыc

Ауысу

71

Ауысу

н

tr

Күтерілу уақыты

Ауысу

211

Ауысу

н

td(оң)

БұғаттауАуысуКешіру уақыты

Ауысу

195

Ауысу

н

tf

Күз мезгілі

Ауысу

139

Ауысу

н

ебасталды

Қалпына келтіруАуысуАуысуАуысуЖоғалту

Ауысу

7.80

Ауысу

МЖ

еАшылған

Оқиғаның орнын ауыстыруАуысуЖоғалту

Ауысу

2.98

Ауысу

МЖ

Ауысу

isc

Ауысу

SC деректері

tp≤6μс,vГЭ=15В,

tj=150АуысулыC,VCC=300В,VКЕМ≤650В

Ауысу

Ауысу

600

Ауысу

Ауысу

a)

ДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ

параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

Ауысу

vf

Алға қарай диодАуысукернеу

if=120A,VГЭ=0В,Тj=25лыc

Ауысу

1.65

2.10

Ауысу

v

if=120A,VГЭ=0В,Тj= 150лыc

Ауысу

1.60

Ауысу

if=120A,VГЭ=0В,Тj= 175лыc

Ауысу

1.60

Ауысу

tрр

Диод керіАуысуқалпына келтіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vr= 300В,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VГЭ=-15ВАуысуМенs=40nH,tj=25лыc

Ауысу

184

Ауысу

н

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

1.65

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

17.2

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

0.23

Ауысу

МЖ

tрр

Диод керіАуысуқалпына келтіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vr= 300В,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VГЭ=-15ВАуысуМенs=40nH,tj=150лыc

Ауысу

221

Ауысу

н

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

3.24

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

23.1

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

0.53

Ауысу

МЖ

tрр

Диод керіАуысуқалпына келтіру уақыты

Ауысу

Ауысу

vr= 300В,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VГЭ=-15ВАуысуМенs=40nH,tj=175лыc

Ауысу

246

Ауысу

н

qr

Алынған айыппұл

Ауысу

3.98

Ауысу

μC

irm

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

Ауысу

26.8

Ауысу

a)

ерек

Қайта қалпына келтіруАуысуэнергия

Ауысу

0.64

Ауысу

МЖ

Ауысу

Ауысу

АрнайыАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді

Ауысу

Символ

параметр

Мин.

Тип.

ең көп.

бірлік

rТЖК

Қатысу (IGB бойынша)Т)Құрамына байланысты (D-ға)йод)

Ауысу

Ауысу

0.168Ауысу0.369

К/W

rТЖЖ

Жарық ортасына қосылу

Ауысу

40

Ауысу

К/W

Тегін баға ұсынысын алыңыз

Біздің өкіл сізге жақын арада хабарласады.
Email
Аты
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

байланысты өнім

Тауарлар туралы сұрақтар бар ма?

Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.

Баға алу

Тегін баға ұсынысын алыңыз

Біздің өкіл сізге жақын арада хабарласады.
Email
Аты
Компания атауы
Хабарлама
0/1000