Дәнекерлеу диоды

iT(AV)Ауысу

18000a)

vDRMVРРМ

200V    400V

Ауысу

Символ

Ауысу

сипаттама

Ауысу

Сынақ шарттары

Tj(◊C)

құн

Ауысу

бірлік

минут

түрі

ең көп

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180°жартылай синусоидалық 50Hz

Екі жақты салқындатылған,АуысуTC=85◊c

175

Ауысу

Ауысу

18000

a)

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

175

200

Ауысу

400

v

IRRM

Қайталау шыңы ағым

VRRM-де

175

Ауысу

Ауысу

80

ана

IFSM

Сурж алға ағым

10мс жартылай синусоидалық толқын VR=0VRRM

Ауысу

175

Ауысу

Ауысу

135

ка

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

Ауысу

Ауысу

90000

A2s*103

VFO

Төменгі кернеу

Ауысу

IFM=12000-24000A

Ауысу

175

Ауысу

Ауысу

0.75

v

рф

Алға қарай еңкейту кедергісі

Ауысу

Ауысу

0.017

mΩ

VFM

Максималды шыңдық күйдегі кернеу

IFM=6000A

25

Ауысу

Ауысу

1.00

v

Qrr

Алу ақысы

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

175

Ауысу

Ауысу

300

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

Ауысу

1800 синус, екі жақты салқындату

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.003

Ауысу

◊C /W

Rth(c-h)

Термиялық кедергі корпусынан жылу алмастырғышқа

Ауысу

Ауысу

Ауысу

0.0015

м-ге

Орнату күші

Ауысу

Ауысу

70

80

90

кн

TVj

Байланыс температурасы

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

175

◊c

ТСТГ

Сақталған температура

Ауысу

Ауысу

-40

Ауысу

175

◊c

Wt

салмағы

Ауысу

Ауысу

Ауысу

540

Ауысу

g

сызба

Z68T