წყლის გაგრილება

VRRM,VDRM

ტიპი და კონტური

2000 ვოლტი

2200 ვოლტი

2500 ვოლტი

2500 ვოლტი

MT3 სათამაშო

MT3 სათამაშო

MT3 სათამაშო

MT800-25-411F3G

MFx800-20-411F3

MFx800-22-411F3

MFx800-25-411F3

MTx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MTC, MTA,MTK

MFx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MFC, MFA, MFK

სიმბოლო

მახასიათებელი

გამოცდის პირობები

Tj(°C)

ღირებულება

ერთეული

მნ

ტიპი

მაქს

IT(AV)

საშუალო ჩართული მიმდინარე

180°ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

ერთპიროვნული გაგრილება, THS=55°C

125

800

a

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

1256

a

ირმ ირმ

განმეორებითი პიკური დენი

VDRM-ზე VRRM-ზე

125

50

mA

ITSM

სერჟი ჩართული მიმდინარე

VR=60%VRRM, t=10ms ნახევარი სინუსი

125

16.0

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

125

1280

10³a²s

VTO

საფეხური ძაბვა

125

0.98

v

რტ

ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.35

mΩ

VTM

პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=2400A

25

2.35

v

dv/dt

გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

200

A/μS

IGT

კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

v

IH

შენარჩუნების მიმდინარე

10

200

mA

IL

ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.050

°C/W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.024

°C/W

VISO

იზოლაციის ძაბვა

50 ჰერცტი, RMS, t=1 წუთი, Iiso:1mA ((MAX)

3000

v

FM

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M12)

12

16

N·მ

დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა ((M8)

10

12

N·მ

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

წონა

3230

g

კონტური

411F3