წყლის გაგრილება

სიმბოლო

მახასიათებელი

გამოცდის პირობები

Tj(°C)

ღირებულება

ერთეული

მნ

ტიპი

მაქს

IT(AV)

საშუალო ჩართული მიმდინარე

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

ერთპიროვნული გაგრილება, THS=55°C

125

400

a

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

628

a

ირმ ირმ

განმეორებითი პიკური დენი

VDRM-ზე VRRM-ზე

125

35

mA

ITSM

სერჟი ჩართული მიმდინარე

VR=60%VRRM, t=10ms ნახევარი სინუსი

125

12.5

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

125

781

103A2s

VTO

საფეხური ძაბვა

125

0.80

v

რტ

ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.80

mΩ

VTM

პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=1200A

25

1.90

v

dv/dt

გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

200

A/μS

IGT

კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

v

IH

შენარჩუნების მიმდინარე

10

200

mA

IL

ჩაკეტვის მიმდინარე

1000

mA

VGD

არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.11

°C/W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.04

°C/W

VISO

იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t=1წთ,Iiso:1mA(მაქსიმუმ)

3000

v

FM

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M12)

12

14

N·მ

მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6

N·მ

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

წონა

1060

g

კონტური

405F3