ჰაერის გაგრილება

VRRM,VDRM

ტიპი & კონტური

600V  

800V  

1000 ვოლტი 

1200 ვოლტი 

1400V 

1600V 

1800V 

1800V

MT3 სათამაშო   

MTx1500-8-436F3   

MT3 სათამაშო  

MT3 სათამაშო  

MT3 სათამაშო  

MT3 სათამაშოები  

MT3 სათამაშოები  

MT1500-18-436F3G

MFx1500-6-436F3  

MFx1500-8-436F3

MFx1500-10-436F3 

MFx1500-12-436F3 

MFx1500-14-436F3 

MFx1500-16-436F3 

MFx1500-18-436F3

MTx ნიშნავს ნებისმიერტიპი MTC, MTA, MTK 

MFx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპისe-ს MFC, MFA, MFK

სიმბოლო

მახასიათებელი

გამოცდის პირობები

Tj(°C)

ღირებულება

ერთეული

მნ

ტიპი

მაქს

IT(AV)

საშუალო ჩართული მიმდინარე

180°ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

ერთპიროვნული გაგრილებული, TC=70°C

125

1500

a

ირმ ირმ

განმეორებითი პიკური დენი

VDRM-ზე VRRM-ზე

125

130

mA

ITSM

სერჟი ჩართული მიმდინარე

VR=60%VRRM, t=10ms ნახევარი სიზუსტი,

125

30

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

125

4500

10³a²s

VTO

საფეხური ძაბვა

125

0.80

v

რტ

ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.14

mΩ

VTM

პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=3000A

25

1.60

v

dv/dt

გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μS

di/dt

ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

200

A/μS

IGT

კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA=12V, IA=1A

25

40

200

mA

Vgt

კარების ტრიგერის ძაბვა

1.0

3.0

v

IH

შენარჩუნების მიმდინარე

20

200

mA

VGD

არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.025

°C/W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.018

°C/W

VISO

იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t=1წთ,Iiso:1mA(მაქსიმუმ)

3000

v

FM

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M16)

20

N·მ

დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა ((M12)

14

N·მ

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

წონა

6800

g

კონტური

436F3