ყველა კატეგორია

ჰაერის გაგრილება

ჰაერის გაგრილება

მთავარი გვერდი / პროდუქტები / თირისტორი/დიოდის მოდული / თირისტორი/რექტიფიკატორის მოდულები / ჰაერის გაგრილება

MTx1000 MFx1000 MT1000,თირისტორი/დიოდის მოდულები,ჰაერის გაგრილება

1000A,2000V~2500V,412F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MTx1000 MFx1000 MT1000
Appurtenance:

პროდუქტის ბროშურა:ჩამოტვირთეთ

  • შესავალი
  • კონტური
  • ექვივალენტური სქემა
შესავალი

მოკლე შესავალი

თირისტორი/დიოდის მოდული, MTx1000 MFx1000 mt10001000a,ჰაერის გაგრილებანაოპაგთლ ნა TECHSEM.

 

VRRM,VDRM

ტიპი და კონტური

 

2000 ვოლტი

2200 ვოლტი

2500 ვოლტი

2500 ვოლტი

MT3 სათამაშოები

MT3 სათამაშო

MT3 სათამაშოები

MT3მონაცემები

MFx1000-20-412F3

MFx1000-22-412F3

MFx1000-25-412F3

 

MTx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MTC, MTA, MTK

MFx ნიშნავს ნებისმიერი ტიპის MFC, MFA, MFK

 

მახასიათებლები

  • იზოლირებული მონტაჟის ბაზა 3000V~
  • წნევის კონტაქტის ტექნოლოგია
  • გაზრდილი ენერგიის ციკლის შესაძლებლობა
  • სივრცისა და წონის დაზოგვა

ტიპური გამოყენებები

  • მუდმივი დენის მქონე ძრავები
  • სხვადასხვა რექტიფიკატორები
  • PWM ინვერტისთვის დისტანციური დენის მიწოდება

 

 

სიმბოლო

 

მახასიათებელი

 

გამოცდის პირობები

Tj(°C)

ღირებულება

 

ერთეული

მნ

ტიპი

მაქს

IT(AV)

საშუალო ჩართული მიმდინარე

180°ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

ერთპიროვნული გაგრილებული, TC=55°C

 

125

 

 

1000

a

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

 

 

1570

a

ირმ ირმ

განმეორებითი პიკური დენი

VDRM-ზე VRRM-ზე

125

 

 

60

mA

ITSM

სერჟი ჩართული მიმდინარე

VR=60%VRRM, t=10ms ნახევარი სინუსი

125

 

 

18

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

125

 

 

1620

103A2s

VTO

საფეხური ძაბვა

 

 

125

 

 

0.85

v

რტ

ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

 

 

0.24

VTM

პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=3000A

25

 

 

2.40

v

dv/dt

გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

125

 

 

1000

V/μS

di/dt

ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

125

 

 

200

A/μS

IGT

კარის ტრიგერის მიმდინარე

 

 

VA=12V, IA=1A

 

 

25

30

 

200

mA

Vgt

კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

 

3.0

v

IH

შენარჩუნების მიმდინარე

20

 

200

mA

IL

ჩაკეტვის მიმდინარე

 

 

1000

mA

VGD

არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

 

 

0.20

v

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

 

 

 

0.048

°C/W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

 

 

 

0.030

°C/W

VISO

იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t=1წთ,Iiso:1mA(მაქსიმუმ)

 

3000

 

 

v

 

FM

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი ((M12)

 

 

12

 

16

N·მ

დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა ((M8)

 

 

10

 

12

N·მ

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

 

 

-40

 

125

°C

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

 

 

-40

 

125

°C

Wt

წონა

 

 

 

3660

 

g

კონტური

412F3

 

კონტური

ექვივალენტური სქემა

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჟოპვკა ჟ რვბ მალკჲ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000

დაკავშირებული პროდუქტი

პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

მიიღეთ ციტატა

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჟოპვკა ჟ რვბ მალკჲ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000