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IGBT モジュール,,4500V 2000A ,プレスパッケージ, FWD付き
特徴
申請
最大ほら評価ほら値
パラメーター |
シンボル |
条件 |
価値 |
ユニット |
ほら集合器-放出器の電圧 |
v についてCES |
v について遺伝子組み換え=0Vtvj=25違うc について |
4500 |
v について |
ほらDC コレクタほらキュrrent |
i についてc について |
tc について=100違うC,Tvj=125 について違うc について |
2000 |
a について |
ピークコレクタ電流 |
i についてセンチメートル |
tp=1ms |
4000 |
a について |
ゲート- わかった発射機ほら圧力は |
v について総エネルギー |
ほら |
±20 |
v について |
合計ほら電力ほら消散 |
ptot |
tc について=25違うC,Tvj=125 について違うc について |
20800 |
ワ |
dcほらフォワード Current |
i についてf について |
ほら |
2000 |
a について |
頂点ほらフォワード Cur賃貸 |
i についてFRM |
tp=1ms |
4000 |
a について |
サージ電流 |
i についてFSM |
v についてr=0V,Tvj=125 について違うC, tp=10ms,半正弦波 |
14000 |
a について |
IGBT 短絡 SOA |
tpsc |
v についてcc=3400V,v について単数ほらチップ≤4500Vほらv について遺伝子組み換え≤15V,Tvj≤125違うc について |
10 |
μs |
最大接合温度 |
tvj( ありがとうございました)最大) について |
ほら |
125 |
°C |
接合ほら動作温度 |
tvj( ありがとうございました)オプ) について |
ほら |
-40~125 |
°C |
ケース温度 |
tc について |
ほら |
-40~125 |
°C |
保存温度 |
tSTG |
ほら |
-40~70 |
°C |
取り付け力 |
f についてロープ |
ほら |
60~75 |
kn |
ほら
IGBT 特性値
パラメーター |
シンボル |
条件 |
価値 |
ユニット |
|||
ポイント |
タイプする |
オーケー |
|||||
コレクタ-エミッタ破壊電圧 |
特別特別特別特別特別 |
VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃ |
4500 |
ほら |
ほら |
v について |
|
コレクタ-エミッタ飽和電圧 |
衛星の VCE (衛星) |
IC=2000A, VGE=15V |
Tvj=25℃ |
ほら |
2.70 |
3.05 |
v について |
Tvj=125℃ |
ほら |
3.35 |
3.85 |
v について |
|||
コレクタ-エミッタカットオフ電流 |
ICES |
VCE=4500V, VGE=0V |
Tvj=25℃ |
ほら |
ほら |
1 |
ママ |
Tvj=125℃ |
ほら |
15 |
100 |
ママ |
|||
ゲート-エミッタリーク電流 |
ゲノム |
VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃ |
-500 |
ほら |
500 |
ほら |
|
ゲート-エミッタ閾値電圧 |
総額は |
IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃ |
6.7 |
ほら |
7.7 |
v について |
|
ゲートチャージ |
司令部 |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V |
ほら |
10 |
ほら |
微分 |
|
入力容量 |
サイエス |
ほら ほら VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃ |
ほら |
213 |
ほら |
ロープ |
|
輸出容量 |
コース |
ほら |
15.3 |
ほら |
ロープ |
||
逆転移容量 |
クレス |
ほら |
4.7 |
ほら |
ロープ |
||
内部ゲート抵抗 |
RGint について |
ほら |
ほら |
0 |
ほら |
オー |
|
オンする遅延時間 |
オン (オン) |
ほら ほら ほら ほら ほら IC=2000A, VCE=2800V, VGE=±15V, RGon=1.8Ω, RGoff=8.2Ω, Cge=330nF, LS=140nH, 感应負荷 |
Tvj=25℃ |
ほら |
1100 |
ほら |
NS |
Tvj=125℃ |
ほら |
900 |
ほら |
NS |
|||
昇る時間 |
について |
Tvj=25℃ |
ほら |
400 |
ほら |
NS |
|
Tvj=125℃ |
ほら |
450 |
ほら |
NS |
|||
オフ遅延時間 |
消して |
Tvj=25℃ |
ほら |
3800 |
ほら |
NS |
|
Tvj=125℃ |
ほら |
4100 |
ほら |
NS |
|||
秋の時間 |
ティフ |
Tvj=25℃ |
ほら |
1200 |
ほら |
NS |
|
Tvj=125℃ |
ほら |
1400 |
ほら |
NS |
|||
オンスイッチングエネルギー |
エオン |
Tvj=25℃ |
ほら |
14240 |
ほら |
ロープ |
|
Tvj=125℃ |
ほら |
15730 |
ほら |
ロープ |
|||
オフスイッチングエネルギー |
オーフ |
Tvj=25℃ |
ほら |
6960 |
ほら |
ロープ |
|
Tvj=125℃ |
ほら |
8180 |
ほら |
ロープ |
|||
短回路電流 |
ほら シュ |
VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃ VCEM チップ≤4500V |
ほら |
ほら 8400 |
ほら |
ほら a について |
ほらほら
ダイオード特性値
パラメーター |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
|||
ポイント |
タイプする |
オーケー |
|||||
順方向電圧 |
VF について |
IF=2000A |
Tvj=25℃ |
ほら |
2.60 |
ほら |
v について |
Tvj=125℃ |
ほら |
2.85 |
ほら |
v について |
|||
逆回復電流 |
Irr |
ほら ほら ほら IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH, 感应負荷 |
Tvj=25℃ |
ほら |
1620 |
ほら |
a について |
Tvj=125℃ |
ほら |
1970 |
ほら |
a について |
|||
逆回復電荷 |
Qrr |
Tvj=25℃ |
ほら |
1750 |
ほら |
uC |
|
Tvj=125℃ |
ほら |
2700 |
ほら |
uC |
|||
逆回復時間 |
trr |
Tvj=25℃ |
ほら |
4.0 |
ほら |
私達 |
|
Tvj=125℃ |
ほら |
5.1 |
ほら |
私達 |
|||
逆回復エネルギー損失 |
エレック |
Tvj=25℃ |
ほら |
2350 |
ほら |
ロープ |
|
Tvj=125℃ |
ほら |
3860 |
ほら |
ロープ |
ほら
ほら
ほら
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