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1700V

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GD650HFX170P1S

IGBTモジュール,1700V 650A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD650HFX170P1S
  • 紹介
紹介

特徴

  • 低V( ありがとうございました)衛星) についてほらほらゲンほらテクノロジー
  • 10μsほら短回路能力関連性
  • v について( ありがとうございました)衛星) についてほら持ってるほら陽性ほら温度ほら定数
  • 最大ほら接合温度ほら175ほらc について
  • 再生用の拡大ダイオード操作
  • DBC技術を用いた隔離銅基板
  • 高出力および熱サイクル能力について

ほら

典型的なほら申請

  • 高出力コンバータ
  • 風力および太陽光発電
  • 牽引駆動

絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら備注

ゲン

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1700

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について

@ Tc について= 違うほら100ほらc について

1073

650

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

1300

a について

pd

最大電源分散 @ Tj について=175ほらc について

4.2

kw

ほら

ダイオード

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

v について

i についてf について

ダイオード 連続前向き賃貸

650

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

1300

a について

模組

シンボル

記述

価値

ユニット

tjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

ほらc について

tSTG

保存温度範囲

-40から+150

ほらc について

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分前

4000

v について

ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

v について衛星

ほら

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=650A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

1.90

2.35

ほら

ほら

v について

i についてc について=650A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について

ほら

2.35

ほら

i についてc について=650A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について

ほら

2.45

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について=24.0ママほらv について= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25ほらc について

5.6

6.2

6.8

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ

流動

v について= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V

tj について=25ほらc について

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv について=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

ほら

ほら

2.3

ほら

オー

c についてほら

入力容量

v について電気回路が1Mhzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

72.3

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

1.75

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え=- やってるほら15...+15V

ほら

5.66

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=900V,Ic について=650A,ほらrゲン= 違うほら1.8Ω,Rゲッフ=2.7Ω,v について遺伝子組み換え=±15V,Tj について=25ほらc について

ほら

468

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

86

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

850

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

363

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

226

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

161

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=900V,Ic について=650A,ほらrゲン= 違うほら1.8Ω,Rゲッフ=2.7Ω,v について遺伝子組み換え=±15V,Tj について= 違うほら125ほらc について

ほら

480

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

110

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

1031

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

600

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

338

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

226

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=900V,Ic について=650A,ほらrゲン= 違うほら1.8Ω,Rゲッフ=2.7Ω,v について遺伝子組み換え=±15V,Tj について= 違うほら150ほらc について

ほら

480

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

120

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

1040

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

684

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

368

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

242

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V

tj について=150 についてほらC,Vcc= 違うほら1000V,v について単数≤1700V

ほら

ほら

2600

ほら

ほら

a について

ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=650A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について

ほら

1.85

2.30

ほら

v について

i についてf について=650A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら125ほらc について

ほら

1.98

ほら

i についてf について=650A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら150ほらc について

ほら

2.02

ほら

qr

回収された電荷

v についてr=900V,If について=650A,

-di/dt=5980A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vtj について=25ほらc について

ほら

176

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

765

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

87.4

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてr=900V,If について=650A,

-di/dt=5980A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vほらtj について= 違うほら125ほらc について

ほら

292

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

798

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

159

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてr=900V,If について=650A,

-di/dt=5980A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vほらtj について= 違うほら150ほらc について

ほら

341

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

805

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

192

ほら

ロープ

NTCほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

r25

定数抵抗

ほら

ほら

5.0

ほら

ΔR/R

偏差ほらについてほらr100

tc について= 違うほら100ほらほらC,R100=493.3Ω

-5

ほら

5

%

p25

電力

消散

ほら

ほら

ほら

20.0

mw

b について25/50

B値

r2=R25経験[B25/501/T2- わかった

半角形から

ほら

3375

ほら

k

b について25/80

B値

r2=R25経験[B25/801/T2- わかった

半角形から

ほら

3411

ほら

k

b について25/100

B値

r2=R25経験[B25/1001/T2- わかった

半角形から

ほら

3433

ほら

k

模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかった

流れる誘導力

ほら

18

ほら

ほら

rCC+EE

モジュール鉛抵抗端末からチップへ

ほら

0.30

ほら

rthJC

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

交差点 (Dあたり)ヨード)

ほら

ほら

35.8

71.3

電力量

ほら

rthCH

ケースからヒートシンクへの(per IGBT)

ケースからヒートシンクへの(per ダイオード)

ケースからヒートシンクへの(per模块)

ほら

13.5

26.9

4.5

ほら

電力量

ほら

ロープ

端末接続トークほらスクロールM4ほら端末接続トルクほらスクロール M8ほら固定トークほらスクロール M5

1.8

8.0

3.0

ほら

2.1

10.0

6.0

ほら

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

810

ほら

g

ほら

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