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4500V

4500V

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基準基準

IGBT モジュール,4500V 900A

Brand:
CRRC
Spu:
基準基準
  • 紹介
紹介

特徴

低スイッチング用SPT+チップセットほら損失

ほらv についてCEsat

低ドライビングほら電力

a についてlSiCベースプレートによる高ほら電力ほらc についてサイクリングほら能力ユー

低熱のためのAlN基板ほら抵抗力

ほら

ほら代表的なアプリケーション

牽引駆動

DCチョッパー

高電圧インバータ/コンバータ

ほら

ほら最大定格値

パラメータ/参数

シンボル/符号

条件/条件

ポイント

最大

ユニット

集合器-放出器の電圧ほら集電極-エミッタ電圧

v についてCES

v について遺伝子組み換えほら=0V,Tvjほら≥25°C

ほら

4500

v について

DC コレクタほら流動ほら集電極電流

i についてc について

tc についてほら=80°C

ほら

900

a について

ピークコレクタほら流動ほら集電极峰值電流

i についてセンチメートル

tp=1ms,Tc=80°C

ほら

1800

a について

ゲート・エミッター・ボルトほらゲートエミッタ電圧

v について総エネルギー

ほら

-20

20

v について

合計ほら電力消耗ほら総電力損失

ptot

tc についてほら=25°C,スイッチごと(IGBT)

ほら

8100

DC順方向電流ほら直流正方向電流

i についてf について

ほら

ほら

900

a について

ピーク順方向電流ほらピーク正方向電流

i についてFRM

tp=1ms

ほら

1800

a について

サージほら流動ほら浪涌電流

i についてFSM

v についてrほら=0V,Tvjほら=125°C,tp=10ms,ほらハーフサイン波

ほら

6700

a について

IGBTショートほらサーキットほらSOAほらIGBT短絡安全動作領域

ほら

tpsc

ほら

v についてccほら=3400V,VCEMCHIP≤4500Vほらv について遺伝子組み換えほら≤15V,Tvj≤125°C

ほら

ほら

10

ほら

μs

絶縁電圧ほら绝缘電圧

v について孤立

1分,f=50Hz

ほら

10200

v について

接合温度ほら結温

tvj

ほら

ほら

150

°C

接合動作温度eratureほら動作結温

tvj(op)

ほら

-50

125

°C

ケース温度ほらケース温度

tc について

ほら

-50

125

°C

保存温度ほら保存温度

tSTG

ほら

-50

125

°C

取り付けトルクほら取り付けトルク

ロープs

ほら

4

6

nm

ロープt1

ほら

8

10

ロープt2

ほら

2

3

ほら

ほら

IGBT 特性値

パラメータ/参数

シンボル/符号

条件/条件

ポイント

タイプ

最大

ユニット

収集家ほら(-エミッタ)ほらブレークダウンほら圧力は

集電極-エミッタブロッキング電圧

ほら

v について(BR)CES

v について遺伝子組み換えほら=0V,IC=10mA,ほらTvj=25°C

ほら

4500

ほら

ほら

ほら

v について

コレクター・エミッター飽和度ほら圧力は

集電極-エミッタ飽和電圧

ほら

v についてCEsat

i についてc についてほら=900A,ほらv について遺伝子組み換えほら=15V

Tvj=ほら25°C

ほら

2.7

3.2

v について

Tvj=125°C

ほら

3.4

3.8

v について

コレクタカットオフほら流動ほら集電極カットオフ電流

i についてCES

v についてほら=4500V,ほらv について遺伝子組み換えほら=0V

Tvj=ほら25°C

ほら

ほら

10

ママ

Tvj=125°C

ほら

ほら

100

ママ

ゲートほら漏れ流ほらゲートリーク電流

i について総エネルギー

v についてほら=0V,V遺伝子組み換えほら=20V,ほらtvjほら=125°C

-500

ほら

500

ほら

ゲート-エミッタ閾値電圧ほらゲートエミッタしきい値電圧

v について総額

i についてc についてほら=240mA,Vほら=V遺伝子組み換えほらほらtvjほら=25°C

4.5

ほら

6.5

v について

ゲートほら料金ほらゲートチャージ

qg

i についてc についてほら=900A,Vほら=2800V,ほらv について遺伝子組み換えほら=15Vほらわかったほら15v

ほら

8.1

ほら

µC

入力容量ほら输入電容量

c についてほら

ほら

ほら

v についてほら=25V,V遺伝子組み換えほら=0Vわかったf=1MHz,Tvjほら=25°C

ほら

105.6

ほら

ほら

ほら

ほら

ロープ

輸出容量ほら出力キャパシタンス

c についてオーエス

ほら

7.35

ほら

逆転移容量ほら逆転移キャパシタンス

c についてレス

ほら

2.04

ほら

オン遅延ほら時間ほら開通遅延時間

tオンに

ほら

ほら

ほら

ほら

v についてccほら=2800V,

i についてc についてほら=900A,

rgほら=2.2オーほらほら

v について遺伝子組み換えほら=±15V

わかったσ=280nH,

インダクティブ負荷

Tvjほら= 違うほら25ほら°c

ほら

680

ほら

ほら

ほら

NS

Tvjほら= 違うほら125ほら°c

ほら

700

ほら

昇る時間ほら立ち上がり時間

tr

Tvjほら= 違うほら25ほら°c

ほら

230

ほら

Tvjほら= 違うほら125ほら°c

ほら

240

ほら

オフ遅延時間ほらオフ遅延時間

td( ありがとうございました)オフ) について

Tvjほら= 違うほら25ほら°c

ほら

2100

ほら

ほら

ほら

NS

Tvjほら= 違うほら125ほら°c

ほら

2300

ほら

秋の時間ほら下降時間

tf について

Tvjほら= 違うほら25ほら°c

ほら

1600

ほら

Tvjほら= 違うほら125ほら°c

ほら

2800

ほら

オン 切り替えほら損失エネルギーほらオン損失エネルギー

e についてについて

Tvjほら= 違うほら25ほら°c

ほら

1900

ほら

ロープ

Tvjほら=125 についてほら°c

ほら

2500

ほら

切断するほら損失エネルギーほらオフ損失エネルギー

e についてオフ

Tvjほら= 違うほら25ほら°c

ほら

3100

ほら

ロープ

Tvjほら=125 についてほら°c

ほら

3800

ほら

短回路ほら流動ほら短絡電流

i についてスコ

tpscほら10μs, V遺伝子組み換えほら=15Vほらtvj= 違うほら125°C,Vccほら= 違うほら3400V

ほら

3600

ほら

a について

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