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特徴
代表的なアプリケーション
ほら
最大定格値
パラメータ/参数 |
シンボル/符号 |
条件/条件 |
ポイント |
最大 |
ユニット |
集合器-放出器の電圧ほら集電極-エミッタ電圧 |
v についてCES |
v について遺伝子組み換えほら=0V,Tvjほら≥25°C |
ほら |
4500 |
v について |
DC コレクタほら流動ほら集電極電流 |
i についてc について |
tc についてほら=80°C |
ほら |
650 |
a について |
ピークコレクタほら流動ほら集電极峰值電流 |
i についてセンチメートル |
tp=1ms,Tc=80°C |
ほら |
1300 |
a について |
ゲート・エミッター・ボルトほらゲートエミッタ電圧 |
v について総エネルギー |
ほら |
-20 |
20 |
v について |
合計ほら電力消耗ほら総電力損失 |
ptot |
tc についてほら=25°C,スイッチごと(IGBT) |
ほら |
6670 |
ワ |
DC順方向電流ほら直流正方向電流 |
i についてf について |
ほら |
ほら |
650 |
a について |
ピーク順方向電流ほらピーク正方向電流 |
i についてFRM |
tp=1ms |
ほら |
1300 |
a について |
サージほら流動ほら浪涌電流 |
i についてFSM |
v についてrほら=0V,Tvjほら=125°C,tp=10ms,ほらハーフサイン波 |
ほら |
5300 |
a について |
IGBTショートほらサーキットほらSOAほらIGBT短絡安全動作領域 |
ほら tpsc |
ほら v についてccほら=3400V,VCEMCHIP≤4500Vほらv について遺伝子組み換えほら≤15V,Tvj≤125°C |
ほら |
ほら 10 |
ほら μs |
絶縁電圧ほら绝缘電圧 |
v について孤立 |
1分,f=50Hz |
ほら |
10200 |
v について |
接合温度ほら結温 |
tvj |
ほら |
ほら |
150 |
°C |
接合動作温度eratureほら動作結温 |
tvj(op) |
ほら |
-50 |
125 |
°C |
ケース温度ほらケース温度 |
tc について |
ほら |
-50 |
125 |
°C |
保存温度ほら保存温度 |
tSTG |
ほら |
-50 |
125 |
°C |
取り付けトルクほら取り付けトルク |
ロープs |
ほら |
4 |
6 |
ほら nm |
ロープt1 |
ほら |
8 |
10 |
||
ロープt2 |
ほら |
2 |
3 |
ほら
IGBT 特性値
パラメータ/参数 |
シンボル/符号 |
条件/条件 |
ポイント |
タイプ |
最大 |
ユニット |
|
収集家ほら(-エミッタ)ほらブレークダウンほら圧力は 集電極-エミッタブロッキング電圧 |
ほら v について(BR)CES |
v について遺伝子組み換えほら=0V,IC=10mA,ほらTvj=25°C |
ほら 4500 |
ほら |
ほら |
ほら v について |
|
コレクター・エミッター飽和度ほら圧力は 集電極-エミッタ飽和電圧 |
ほら v についてCEsat |
i についてc についてほら=650A,ほらv について遺伝子組み換えほら=15V |
Tvj=ほら25°C |
ほら |
2.7 |
3.2 |
v について |
Tvj=125°C |
ほら |
3.4 |
3.8 |
v について |
|||
コレクタカットオフほら流動ほら集電極カットオフ電流 |
i についてCES |
v についてザほら=4500V,ほらv について遺伝子組み換えほら=0V |
Tvj=ほら25°C |
ほら |
ほら |
10 |
ママ |
Tvj=125°C |
ほら |
ほら |
100 |
ママ |
|||
ゲートほら漏れ流ほらゲートリーク電流 |
i について総エネルギー |
v についてザほら=0V,V遺伝子組み換えほら=20V,ほらtvjほら=125°C |
-500 |
ほら |
500 |
ほら |
|
ゲート-エミッタ閾値電圧ほらゲートエミッタしきい値電圧 |
v について総額 |
i についてc についてほら=160mA,Vザほら=V遺伝子組み換えほらほらtvjほら=25°C |
4.5 |
ほら |
6.5 |
v について |
|
ゲートほら料金ほらゲートチャージ |
qg |
i についてc についてほら=650A,Vザほら=2800V,ほらv について遺伝子組み換えほら=15Vほらわかったほら15v |
ほら |
5.4 |
ほら |
µC |
|
入力容量ほら输入電容量 |
c についてほら |
ほら ほら v についてザほら=25V,V遺伝子組み換えほら=0Vわかったf=1MHz,Tvjほら=25°C |
ほら |
71.4 |
ほら |
ほら ほら ほら ロープ |
|
輸出容量ほら出力キャパシタンス |
c についてオーエス |
ほら |
4.82 |
ほら |
|||
逆転移容量ほら逆転移キャパシタンス |
c についてレス |
ほら |
1.28 |
ほら |
|||
オン遅延ほら時間ほら開通遅延時間 |
tオンに |
ほら ほら ほら ほら v についてccほら=2800V, i についてc についてほら=650A, rgほら=2.2オーほらほら v について遺伝子組み換えほら=±15V わかったσ=280nH, インダクティブ負荷 |
Tvjほら= 違うほら25ほら°c |
ほら |
420 |
ほら |
ほら ほら NS |
Tvjほら= 違うほら125ほら°c |
ほら |
528 |
ほら |
||||
昇る時間ほら立ち上がり時間 |
tr |
Tvjほら= 違うほら25ほら°c |
ほら |
160 |
ほら |
||
Tvjほら= 違うほら125ほら°c |
ほら |
190 |
ほら |
||||
オフ遅延時間ほらオフ遅延時間 |
td( ありがとうございました)オフ) について |
Tvjほら= 違うほら25ほら°c |
ほら |
2100 |
ほら |
ほら ほら NS |
|
Tvjほら= 違うほら125ほら°c |
ほら |
2970 |
ほら |
||||
秋の時間ほら下降時間 |
tf について |
Tvjほら= 違うほら25ほら°c |
ほら |
1600 |
ほら |
||
Tvjほら= 違うほら125ほら°c |
ほら |
2760 |
ほら |
||||
オン 切り替えほら損失エネルギーほらオン損失エネルギー |
e についてについて |
Tvjほら= 違うほら25ほら°c |
ほら |
1000 |
ほら |
ロープ |
|
Tvjほら=125 についてほら°c |
ほら |
1600 |
ほら |
||||
切断するほら損失エネルギーほらオフ損失エネルギー |
e についてオフ |
Tvjほら= 違うほら25ほら°c |
ほら |
2000 |
ほら |
ロープ |
|
Tvjほら=125 についてほら°c |
ほら |
2740 |
ほら |
||||
短回路ほら流動ほら短絡電流 |
i についてスコ |
tpsc≤ほら10μs, V遺伝子組み換えほら=15Vほらtvj= 違うほら125°C,Vccほら= 違うほら3400V |
ほら |
3940 |
ほら |
a について |
ほら
ダイオード特性値
パラメータ/参数 |
シンボル/符号 |
条件/条件 |
ポイント |
タイプ |
最大 |
ユニット |
|
順方向電圧ほら正向電圧 |
v についてf について |
i についてf についてほら=650A |
Tvjほら= 違うほら25ほら°c |
ほら |
3.2 |
ほら |
v について |
Tvjほら= 違うほら125ほら°c |
ほら |
3.6 |
ほら |
||||
逆向きほら回復電流ほら反向復電流 |
i についてロープ |
ほら v についてccほら=2800V, i についてc についてほら=650A, rgほら=2.2オーほらほら v について遺伝子組み換えほら=±15V わかったσ=280nH, インダクティブ負荷 |
Tvjほら= 違うほら25ほら°c |
ほら |
1200 |
ほら |
a について |
Tvjほら= 違うほら125ほら°c |
ほら |
1300 |
ほら |
a について |
|||
回収された電荷ほら回復電荷 |
qロープ |
Tvjほら= 違うほら25ほら°c |
ほら |
450 |
ほら |
µC |
|
Tvjほら= 違うほら125ほら°c |
ほら |
550 |
ほら |
µC |
|||
逆向きほら回復時間ほら逆回復時間 |
tロープ |
Tvjほら= 違うほら25ほら°c |
ほら |
660 |
ほら |
NS |
|
Tvjほら= 違うほら125ほら°c |
ほら |
750 |
ほら |
||||
逆向きほら回復エネルギーほら逆回復エネルギー |
e についてレス |
Tvjほら=25ほら°c |
ほら |
720 |
ほら |
ロープ |
|
Tvjほら= 違うほら125ほら°c |
ほら |
860 |
ほら |
ほら
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