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特徴
●SPT+チップセットによる低スイッチングほら損失 |
● 危険 に 晒す低ほらv についてCEsat |
●低ドライバほら電力 |
●AlSiCベースプレートによる高ほら電力ほらc についてサイクリングほら能力ユー |
●AlN基板による低熱ほら抵抗力 |
ほら
代表的なアプリケーション
●トラクションドライブ |
●DCチョッパー |
●中電圧インバータ/コンバータ |
ほら
ほら
最大定格値
パラメーター |
シンボル |
条件 |
ポイント |
最大 |
ユニット |
集合器-放出器の電圧 |
総額 |
VGE =0V,Tvj ≥25°C |
ほら |
3300 |
v について |
DCコレクタ電流 |
ザ |
TC =80°C |
ほら |
400 |
a について |
ピークコレクタ電流 |
ICM |
tp=1ms,Tc=80°C |
ほら |
800 |
a について |
ゲート・エミッター・ボルト |
VGES |
ほら |
-20 |
20 |
v について |
総電力損失 |
Ptot |
TC =25°C,スイッチごと(IGBT) |
ほら |
7100 |
ワ |
DC順方向電流 |
だったら |
ほら |
ほら |
400 |
a について |
ピーク順方向電流 |
IFRM |
tp=1ms |
ほら |
800 |
a について |
サージ電流 |
IFSM |
VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 半正弦波 |
ほら |
3000 |
a について |
IGBT 短絡 SOA |
tpsc |
VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
ほら |
10 |
μs |
絶縁電圧 |
Visol |
1分,f=50Hz |
ほら |
10200 |
v について |
接合温度 |
Tvj |
ほら |
ほら |
150 |
°C |
接合動作温度 |
Tvj(op) |
ほら |
-50 |
150 |
°C |
ケース温度 |
TC |
ほら |
-50 |
125 |
°C |
保存温度 |
ターゲット・ストーブ |
ほら |
-50 |
125 |
°C |
ほら 取り付けトルク |
ms |
ベースヒートシンクほらM6ネジ |
4 |
6 |
ほら ほら nm |
MT1 |
メイン端子ほらm8 スクロール |
8 |
10 |
ほら
IGBT 特性値
パラメーター |
シンボル |
条件 |
ポイント |
タイプ |
最大 |
ユニット |
|
コレクタ (- エミッタ) ブレークダウン電圧 |
特別特別特別特別特別 |
VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C |
3300 |
ほら |
ほら |
v について |
|
コレクタ-エミッタ飽和電圧 |
VCEsat |
IC =400A, VGE =15V |
Tvj= 25°C |
ほら |
3.0 |
ほら |
v について |
Tvj=125°C |
ほら |
3.6 |
ほら |
v について |
|||
コレクターが電流を切断 |
ICES |
VCE =3300V, VGE =0V |
Tvj= 25°C |
ほら |
ほら |
5 |
ママ |
Tvj=125°C |
ほら |
ほら |
50 |
ママ |
|||
ゲート漏れ電流 |
ゲノム |
VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C |
-500 |
ほら |
500 |
ほら |
|
ゲート-エミッタ閾値電圧 |
総額は |
IC =80mA,VCE =VGE, Tvj =25°C |
5.5 |
ほら |
7.5 |
v について |
|
ゲートチャージ |
司令部 |
IC =400A,VCE =1800V, VGE =-15V … 15V |
ほら |
4.0 |
ほら |
µC |
|
入力容量 |
サイエス |
ほら ほら VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
ほら |
65 |
ほら |
ほら ほら ほら ロープ |
|
輸出容量 |
コース |
ほら |
3.7 |
ほら |
|||
逆転移容量 |
クレス |
ほら |
0.8 |
ほら |
|||
オンする遅延時間 |
オン (オン) |
ほら ほら ほら ほら VCC =1800V, IC =400A, RG =2.3Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, インダクティブ負荷 |
Tvj = 25 °C |
ほら |
650 |
ほら |
ほら ほら NS |
Tvj = 125 °C |
ほら |
750 |
ほら |
||||
昇る時間 |
について |
Tvj = 25 °C |
ほら |
400 |
ほら |
||
Tvj = 125 °C |
ほら |
470 |
ほら |
||||
オフ遅延時間 |
消して |
Tvj = 25 °C |
ほら |
1600 |
ほら |
ほら ほら NS |
|
Tvj = 125 °C |
ほら |
1800 |
ほら |
||||
秋の時間 |
ティフ |
Tvj = 25 °C |
ほら |
1100 |
ほら |
||
Tvj = 125 °C |
ほら |
1200 |
ほら |
||||
オンスイッチング損失エネルギー |
エオン |
Tvj = 25 °C |
ほら |
1400 |
ほら |
ロープ |
|
Tvj = 125 °C |
ほら |
1800 |
ほら |
||||
オフスイッチング損失エネルギー |
オーフ |
Tvj = 25 °C |
ほら |
1300 |
ほら |
ロープ |
|
Tvj = 125 °C |
ほら |
1700 |
ほら |
||||
短回路電流 |
シュ |
tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V |
ほら |
2500 |
ほら |
a について |
ほら
ダイオード特性値
パラメーター |
シンボル |
条件 |
ポイント |
タイプ |
最大 |
ユニット |
|
順方向電圧 |
VF について |
IF =400A |
Tvj = 25 °C |
ほら |
2.3 |
2.6 |
v について |
Tvj = 125 °C |
ほら |
2.35 |
2.6 |
||||
逆回復電流 |
Irr |
ほら VCC =1800V, IC =400A, RG =2.3Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, |
Tvj = 25 °C |
ほら |
900 |
ほら |
a について |
Tvj = 125 °C |
ほら |
1000 |
ほら |
||||
回収された電荷 |
Qrr |
Tvj = 25 °C |
ほら |
700 |
ほら |
µC |
|
Tvj = 125 °C |
ほら |
1000 |
ほら |
||||
逆回復時間 |
trr |
Tvj = 25 °C |
ほら |
850 |
ほら |
NS |
|
Tvj = 125 °C |
ほら |
2200 |
ほら |
||||
逆再生エネルギー |
エレック |
Tvj =25 °C |
ほら |
850 |
ほら |
ロープ |
|
Tvj = 125 °C |
ほら |
1300 |
ほら |
ほら
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