3300V

v についてCES

3300ほらv について

v についてザ( ありがとうございました)衛星) について

（典型）ほらほら2.40ほらv について

i についてc について

(最大)ほら1000ほらa について

i についてC(ロープ) について

(最大)ほらほら2000ほらa について

（記号）

（パラメータ）

（試験条件）

(分)

（典型）

(最大)

（単位）

ほら

I CES

ほら

ほら

コレクターの切断電流

VGE  = 0V,VCE  = VCES

ほら

ほら

1

ママ

VGE  = 0V, VCE  = VCES , TC= 125 ° C

ほら

ほら

60

ママ

VGE  = 0V, VCE  = VCES , TC= 150 ° C

ほら

ほら

100

ママ

I GES

ほら

ゲート漏れ電流

VGE  = ±20V, VCE  = 0V

ほら

ほら

1

微分数

標準値 (TH)

ゲート 限界電圧

I C= 80mA, VGE= VCE

5.50

6.10

7.00

v について

ほら

VCE

ほら

(*1)  (sat)

コレクター・エミッター飽和度

圧力は

VGE= 15V, I C= 1000A

ほら

2.40

2.90

v について

VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C

ほら

2.95

3.40

v について

VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C

ほら

3.10

3.60

v について

I F

ダイオード前流

dc

ほら

1000

ほら

a について

I FRM

ほら

ダイオード最大順方向電流

t P  = 1ms

ほら

2000

ほら

a について

ほら

ポイントは,

ほら

ほら

ダイオード前向き電圧

I F= 1000A

ほら

2.10

2.60

v について

I F= 1000A, Tvj= 125 ° C

ほら

2.25

2.70

v について

I F= 1000A, Tvj= 150 ° C

ほら

2.25

2.70

v について

C ies

ほら

入力容量

VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz

ほら

170

ほら

ロープ

Q g

ゲートチャージ

±15V

ほら

17

ほら

微分

C res

逆転移容量

VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz

ほら

4

ほら

ロープ

L M

ほら

モジュール誘導力

ほら

ほら

15

ほら

ほら

R INT

内部トランジスタ抵抗

ほら

ほら

165

ほら

μΩ

ほら

I SC

短絡電流, ISC

Tvj  = 150° C, VCC  = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9

ほら

ほら

3900

ほら

ほら

a について