4500V

v についてほら_drm

4500

v について

i について_TGQM

2200

a について

i について_{ターミナル・マスク}

20

カ

v についてについて

1.31

v について

r_t

0.373

mΩ

v について_DCリンク

2800

v について

符号

参数名

最小

典型

最大

単位

f について

締付力

36

40

44

kn

dほらp

台面直径

- わかった

85

- わかった

mm

h

管殻高さ

- わかった

26

- わかった

mm

ロープ

質量

- わかった

2.8

- わかった

体重

dほらs

爬電距離

33

- わかった

- わかった

mm

dほらa について

放電距離

10

- わかった

- わかった

mm

i について

IGCT長さ

- わかった

439

- わかった

mm

h

IGCT高さ

- わかった

41

- わかった

mm

ワ

IGCT宽度

- わかった

174

- わかった

mm

符ほら号

参ほら数ほら名ほら称

条ほら件

最ほら小

典ほら型

最ほら大

単ほら位

v についてほらdrm

断状態繰り返しピーク電圧

ゲートユニットの電源投入ほらtVJ = 125°C,i についてほらD≤i についてほらDRM,tp = 10ms

- わかった

- わかった

4500

v について

i についてほらdrm

断状態繰り返しピーク電流

ゲートユニットの電源投入ほらtVJ = 125°C,v についてD =v についてほらDRM,tp = 10ms

- わかった

- わかった

50

ママ

v についてDCリンク

中間直流電圧

ゲートユニットの電源投入, 100FIT失効率が許容する中間直流電圧

- わかった

- わかった

2800

v について

v についてRRM

逆電圧

/ わかった

- わかった

- わかった

17

v について

符ほら号

参ほら数ほら名ほら称

条ほら件

最ほら小

典ほら型

最ほら大

単ほら位

i についてT(AV)ほらi について試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験

通状態平均電流

通状態二乗平均電流

tC = 85°C,正弦半波ほら両面冷却

- わかった

- わかった

- わかった

- わかった

1130

1800

a について

a について

i についてターミナル・マスク

i についてほら2t

通状態非繰り返しサージ電流

電流平方時間積

tVJ= 違う

125°C,正弦半波, 10ms,v についてD =v についてR = 0

- わかった

- わかった

- わかった

- わかった

20

200

カ

104A2s

v についてさん

通状態電圧

tVJ= 違う

125°C,i についてほらT = 2200A

- わかった

- わかった

2.24

v について

v についてについて

rt

閾値電圧

傾斜抵抗

tVJ= 違う

125°C,i についてほらT = 400…3000A

- わかった

- わかった

- わかった

- わかった

1.31

0.373

v について

mΩ

符ほら号

参ほら数ほら名ほら称

条ほら件

最ほら小

典ほら型

最ほら大

単ほら位

di についてt/dt

通状態電流臨界上昇率

tVJ=125°C,i についてほらT = 2200A,v についてD = 2800V,

f についてほら= 0..500Hz,i についてほらTM≤2640A, DCL=SF4.FYX 1100-45

ほら

- わかった

ほら

- わかった

650

A/μs

tドン

開通遅延時間

ほら

ほら

- わかった

3

μs

tダンSF

開通フィードバック遅延時間

tVJ=125°C,i についてほらT = 2200A,v についてD = 2800V,

CCL = 10μF, di についてほら/dtほら=v についてD/Li, RS = 0.4Ω,

- わかった

- わかった

7

μs

tほらr

陽極電圧下降時間

わかったほらi = 3μH,わかったほらCL = 0.3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

- わかった

- わかった

1

μs

e についてほらについて

単脈冲開通エネルギー

ほら

- わかった

- わかった

0.9

j について

符わかった号

参わかった数わかった名わかった称

条ほら件

最ほら小

典ほら型

最ほら大

単ほら位

i についてTGQM

最大遮断電流

tVJ = 125°C,v についてほらDM≤v についてほらDRM,v についてD = 2800V,わかったほらCL≤0.3μH,c についてほらCL = 10μF,rほらS = 0.4Ω, DCL = SF4.FYX 1100-45

ほら

- わかった

ほら

- わかった

2200

a について

tほら

オフ遅延時間

ほら

- わかった

- わかった

7

μs

tdoffSF について

遮断フィードバック遅延時間

tVJ=125°C,i についてほらTGQ = 2200A,v についてD = 2800V,

v についてほらDM≤v についてほらDRM,c についてほらCL = 10μF,rほらS = 0.4Ω,

- わかった

- わかった

7

μs

tほらf について

下降時間

わかったほらi = 3μH,わかったほらCL = 0.3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

- わかった

- わかった

1

μs

e についてほらオフ

単脈冲遮断エネルギー

ほら

- わかった

- わかった

12

j について

符わかった号

参わかった数わかった名わかった称

条ほら件

最ほら小

典ほら型

最ほら大

単ほら位

i についてほらF(AV)

i についてほらf について( ありがとうございました)RMS) について

正方向平均電流

tC  = 違うほら85°cほら正弦半波

- わかった

- わかった

405

a について

正方向二乗平均平方根電流

- わかった

- わかった

635

a について

i についてほらFSM

i についてほら2t

浪涌電流

電流平方時間積

tほらp = 10ms,tVJ = 125°C,v についてR = 0V

- わかった

- わかった

11

カ

- わかった

- わかった

60.5

104A2s

v についてf について

通状態電圧

i についてほらF = 2200A,tVJ = 125°C

- わかった

- わかった

3.93

v について

v について(F0)

rf について

閾値電圧

傾斜抵抗

ほら

tVJ = 125°C,i についてほらF = 400...3000A

- わかった

- わかった

2.32

v について

- わかった

- わかった

0.735

mΩ

符わかった号

参わかった数わかった名わかった称

条ほら件

最ほら小

典ほら型

最ほら大

単ほら位

v についてフラン

正方向回復ピーク電圧

di についてほらF/dtほら= 650A/μs,tVJ = 125°C

- わかった

- わかった

80

v について

符わかった号

参わかった数わかった名わかった称

条ほら件

最ほら小

典ほら型

最ほら大

単ほら位

tvj

動作結温範囲

ほら

0

- わかった

125

°C

tSTG

保存温度範囲

/ わかった

0

- わかった

60

°C

tAMB

環境温度範囲

ほら

0

- わかった

50

°C

GCTrほらthJCほらGCT

結晶ケース熱抵抗

接触熱抵抗

両面冷却

- わかった

- わかった

- わかった

- わかった

0.0126

0.0042

総量

総量

FRDほらrほらthJCほらFRD

結晶ケース熱抵抗

接触熱抵抗

両面冷却

- わかった

- わかった

- わかった

- わかった

0.0260

0.0104

総量

総量