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特徴
典型的なほら申請
絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
ゲン
ほら
シンボル |
記述 |
価値 |
ユニット |
v についてCES |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
v について |
v について総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
v について |
i についてc について |
コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について @ Tc について= 違うほら100ほらc について |
1410 900 |
a について |
i についてセンチメートル |
パルスコレクター電流 tp=1ms |
1800 |
a について |
pd |
最大電源分散 @ Tほら=175ほらc について |
5000 |
ワ |
ダイオード
シンボル |
記述 |
価値 |
ユニット |
v についてRRM |
繰り返しのピーク逆電圧 |
1200 |
v について |
i についてf について |
ダイオード 連続前向き賃貸 |
900 |
a について |
i についてfm |
ダイオード最大前向き電流 tp=1ms |
1800 |
a について |
ほら
模組
ほら
シンボル |
記述 |
価値 |
ユニット |
tjmax |
交差点最大温度 |
175 |
ほらc について |
tショウジョウ |
交差点の動作温度 |
-40から+150 |
ほらc について |
tSTG |
保存温度範囲 |
-40から+125 |
ほらc について |
v についてサイロ |
隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1ポイント |
4000 |
v について |
ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル |
パラメーター |
試験条件 |
ポイント |
タイプする |
オーケー |
ユニット |
ほら ほら v について衛星 |
ほら ほら 収集機から発信機へ 飽和電圧 |
i についてc について=900A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について |
ほら |
1.80 |
2.25 |
ほら ほら v について |
i についてc について=900A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について |
ほら |
2.10 |
ほら |
|||
i についてc について=900A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について |
ほら |
2.15 |
ほら |
|||
v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について |
ゲート発信者の限界値ほら圧力は |
i についてc について=22.5ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25ほらc について |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
v について |
i についてCES |
収集家ほら切る- わかったオフ 流動 |
v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V tj について=25ほらc について |
ほら |
ほら |
5.0 |
ママ |
i について総エネルギー |
ゲート発射器の漏れほら流動 |
v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について |
ほら |
ほら |
400 |
ほら |
rゲント |
内部ゲート抵抗アンス |
ほら |
ほら |
0.6 |
ほら |
オー |
qg |
ゲートチャージ |
v について遺伝子組み換え=- やってるほら15V+15V |
ほら |
7.40 |
ほら |
微分 |
td( ありがとうございました)について) について |
オンする遅延時間 |
ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=900A,ほら rゲン= 違うほら1.5Ω,Rゲッフ=0.9Ω,v について遺伝子組み換え=±15V,Tj について=25ほらc について |
ほら |
257 |
ほら |
NS |
tr |
昇る時間 |
ほら |
96 |
ほら |
NS |
|
td( ありがとうございました)オフ) について |
切断するほら遅延時間 |
ほら |
628 |
ほら |
NS |
|
tf について |
秋の時間 |
ほら |
103 |
ほら |
NS |
|
e についてについて |
オンほら切り替え 損失 |
ほら |
43 |
ほら |
ロープ |
|
e についてオフ |
切断する 損失 |
ほら |
82 |
ほら |
ロープ |
|
td( ありがとうございました)について) について |
オンする遅延時間 |
ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=900A,ほら rゲン= 違うほら1.5Ω,Rゲッフ=0.9Ω, v について遺伝子組み換え=±15V,Tj について= 違うほら125ほらc について |
ほら |
268 |
ほら |
NS |
tr |
昇る時間 |
ほら |
107 |
ほら |
NS |
|
td( ありがとうございました)オフ) について |
切断するほら遅延時間 |
ほら |
659 |
ほら |
NS |
|
tf について |
秋の時間 |
ほら |
144 |
ほら |
NS |
|
e についてについて |
オンほら切り替え 損失 |
ほら |
59 |
ほら |
ロープ |
|
e についてオフ |
切断する 損失 |
ほら |
118 |
ほら |
ロープ |
|
td( ありがとうございました)について) について |
オンする遅延時間 |
ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=900A,ほら rゲン= 違うほら1.5Ω,Rゲッフ=0.9Ω, v について遺伝子組み換え=±15V,Tj について= 違うほら150ほらc について |
ほら |
278 |
ほら |
NS |
tr |
昇る時間 |
ほら |
118 |
ほら |
NS |
|
td( ありがとうございました)オフ) について |
切断するほら遅延時間 |
ほら |
680 |
ほら |
NS |
|
tf について |
秋の時間 |
ほら |
155 |
ほら |
NS |
|
e についてについて |
オンほら切り替え 損失 |
ほら |
64 |
ほら |
ロープ |
|
e についてオフ |
切断する 損失 |
ほら |
134 |
ほら |
ロープ |
|
ほら i についてスコ |
ほら SC データ |
tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V tj について=150 についてほらC,Vcc=800Vほら v について単数≤1200V |
ほら |
ほら 3600 |
ほら |
ほら a について |
ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル |
パラメーター |
試験条件 |
ポイント |
タイプする |
オーケー |
ユニット |
ほら v についてf について |
ダイオード 前向き 圧力は |
i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について |
ほら |
1.71 |
2.16 |
ほら v について |
i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら125ほらc について |
ほら |
1.74 |
ほら |
|||
i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら150ほらc について |
ほら |
1.75 |
ほら |
|||
qr |
回収された電荷 |
v についてr=600V,If について=900A, -di/dt=6000A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vtj について=25ほらc について |
ほら |
76 |
ほら |
微分 |
i についてロープ |
ピーク逆 回復電流 |
ほら |
513 |
ほら |
a について |
|
e についてレス |
逆転回復エネルギー |
ほら |
38.0 |
ほら |
ロープ |
|
qr |
回収された電荷 |
v についてr=600V,If について=900A, -di/dt=6000A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vほらtj について= 違うほら125ほらc について |
ほら |
143 |
ほら |
微分 |
i についてロープ |
ピーク逆 回復電流 |
ほら |
684 |
ほら |
a について |
|
e についてレス |
逆転回復エネルギー |
ほら |
71.3 |
ほら |
ロープ |
|
qr |
回収された電荷 |
v についてr=600V,If について=900A, -di/dt=6000A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vほらtj について= 違うほら150ほらc について |
ほら |
171 |
ほら |
微分 |
i についてロープ |
ピーク逆 回復電流 |
ほら |
713 |
ほら |
a について |
|
e についてレス |
逆転回復エネルギー |
ほら |
80.8 |
ほら |
ロープ |
ほら
模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル |
パラメーター |
ポイント |
タイプする |
オーケー |
ユニット |
わかったザ |
流れる誘導力 |
ほら |
ほら |
20 |
ほら |
rCC+EE |
モジュール鉛抵抗端末からチップへ |
ほら |
0.18 |
ほら |
mΩ |
rthJC |
ケース対ケース (IGBごとに)T) について 交差点 (Dあたり)ヨード) |
ほら |
ほら |
0.030 0.052 |
総量 |
ほら rthCH |
ケースからヒートシンクへの(per IGBT) ケースからヒートシンクへの(per ダイオード) ケースからヒートシンクへの(per模块) |
ほら |
0.016 0.027 0.010 |
ほら |
総量 |
ロープ |
端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6 |
2.5 3.0 |
ほら |
5.0 5.0 |
ラング |
g |
体重ほらについてほら模組 |
ほら |
300 |
ほら |
g |
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