1200V

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について

@ Tc について=80 についてほらc について

1350

900

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

1800

a について

pd

最大電源分散 @ Tj について=150 についてほらc について

7.40

kw

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v について

i についてf について

ダイオード 連続前向き賃貸

900

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

1800

a について

シンボル

記述

価値

ユニット

tjmax

交差点最大温度

150

ほらc について

tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+125

ほらc について

tSTG

保存温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分前

4000

v について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

v について衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

2.90

3.35

ほら

v について

i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について

ほら

3.60

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について= 違うほら16.0mA,Vザ=V遺伝子組み換えについてj について=25ほらc について

5.0

6.1

7.0

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ

流動

v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V

tj について=25ほらc について

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

c についてほら

入力容量

v についてザ電気回路が1Mhzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

53.1

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

3.40

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え=- やってるほら15...+15V

ほら

8.56

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=900V,Ic について=800Aわかったrg= 違うほら1.3Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vtj について=25ほらc について

ほら

90

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

81

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

500

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

55

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

36.8

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

41.3

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=900V,Ic について=800Aわかったrg= 違うほら1.3Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について

ほら

115

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

92

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

550

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

66

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

52.5

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

59.4

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V

tj について=125 についてほらC,Vcc=900Vほらv について単数≤1200V

ほら

ほら

5200

ほら

ほら

a について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=800A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について

ほら

1.95

2.40

v について

i についてf について=800A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら125ほらc について

ほら

1.95

ほら

qr

回収された電荷

v についてcc=900V,If について=800A

-di/dt=9500A/μs,V遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

56

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

550

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

38.7

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてcc=900V,If について=800A

-di/dt=9500A/μs,V遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について

ほら

148

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

920

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

91.8

ほら

ロープ

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかったザ

流れる誘導力

ほら

12

ほら

ほら

rCC+EE

モジュール鉛抵抗端末からチップへ

ほら

0.19

ほら

mΩ

rθJC さん

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

交差点 (Dあたり)ヨード)

ほら

ほら

16.9

26.2

電力量

rθcs

ケースからシンク (IGBT)

ケースからシンク (ダイオードごとに)

ほら

19.7

30.6

ほら

電力量

rθcs

ケースからシンク

ほら

6.0

ほら

電力量

ほら

ロープ

端末接続トークほらスクロールM4ほら端末接続トルクほらスクロール M8ほら固定トークほらスクリューM6

1.8

8.0

4.25

ほら

2.1

10

5.75

ほら

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

1500

ほら

g