1200V

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±30

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について

@ Tc について= 違うほら100ほらc について

1250

800

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp= 違うほら1ミリ秒

1600

a について

pd

最大電源分散 @ Tj について=175ほらc について

4166

ワ

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v について

i についてf について

ダイオード 連続前向き賃貸

800

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

1600

a について

シンボル

記述

価値

ユニット

tjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

ほらc について

tSTG

保存温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1ポイント

2500

v について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

v について衛星

ほら

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=800A,V遺伝子組み換え= 違うほら15Vtj について=25ほらc について

ほら

1.70

2.15

ほら

ほら

v について

i についてc について=800A,V遺伝子組み換え= 違うほら15Vtj について=125 についてほらc について

ほら

1.95

ほら

i についてc について=800A,V遺伝子組み換え= 違うほら15Vtj について=150 についてほらc について

ほら

2.00

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について=32.0ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25ほらc について

5.0

5.7

6.5

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ

流動

v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V

tj について=25ほらc について

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

ほら

ほら

0.13

ほら

オー

c についてほら

入力容量

v についてザ=30V,f=1MHz,

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

79.2

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

2.40

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え= 違うほら15v

ほら

4.80

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=800Aわかったrg= 違うほら1.0Ω,

v について遺伝子組み換え=±15Vtj について=25ほらc について

ほら

408

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

119

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

573

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

135

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

21.0

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

72.4

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=800Aわかったrg= 違うほら1.0Ω,

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について

ほら

409

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

120

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

632

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

188

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

26.4

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

107

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=800Aわかったrg= 違うほら1.0Ω,

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら150ほらc について

ほら

410

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

123

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

638

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

198

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

28.8

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

112

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tp≤10μs,V遺伝子組み換え= 違うほら15V

tj について=150 についてほらC,Vcc=900Vほらv について単数≤1200V

ほら

ほら

3200

ほら

ほら

a について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=800A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について

ほら

1.80

2.25

ほら

v について

i についてf について=800A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら125ほらc について

ほら

1.85

ほら

i についてf について=800A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら150ほらc について

ほら

1.85

ほら

qr

回収された電荷

v についてr=600V,If について=800A

-di/dt=6700A/μs,

v について遺伝子組み換え=- やってるほら15vtj について=25ほらc について

ほら

81.0

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

518

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

39.4

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてr=600V,If について=800A

-di/dt=6700A/μs,

v について遺伝子組み換え=- やってるほら15vほらtj について= 違うほら125ほらc について

ほら

136

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

646

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

65.2

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてr=600V,If について=800A

-di/dt=6700A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vほらtj について= 違うほら150ほらc について

ほら

155

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

684

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

76.6

ほら

ロープ

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかったザ

流れる誘導力

ほら

ほら

20

ほら

rCC+EE

モジュール鉛抵抗端末からチップへ

ほら

0.18

ほら

mΩ

rthJC

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

交差点 (Dあたり)ヨード)

ほら

ほら

0.036

0.048

総量

ほら

rthCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT）

ケースからヒートシンクへの（per ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per模块)

ほら

0.123

0.163

0.035

ほら

総量

ほら

ロープ

端末接続トークほらスクロールM4ほら端末接続トルクほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6

1.1

2.5

3.0

ほら

2.0

5.0

5.0

ほら

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

300

ほら

g