1200V

シンボル

記述

GD800HFL120C3S

単位

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

@ Tc について=25°C

@ Tc について=80 について°C

1250

a について

800

i についてCM (CM) (1)

パルスコレクター電流 tp= 違うほら1ミリ秒

1600

a について

i についてf について

ダイオード 連続前流

800

a について

i についてfm

ダイオード最大順方向電流

1600

a について

pd

最大電源 消耗tj について=150 について°C

4310

ワ

tスコ

短回路 耐える時間 @ Tj について=125 について°C

10

μs

tj について

交差点の動作温度

-40からほら+150

°C

tSTG

貯蔵温度範囲

-40からほら+125

°C

i について2ダイオード

v についてr=0V,t=10ms,Tj について=125 について°C

140

カ2s

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

2500

v について

設置

トーク

電力端末ほらスクリュー:M4

電力端末ほらスクリュー:M8

年間ほら2.3

平均値ほら10

ラング

設置ほらスクリュー:M6

4.25からほら5.75

ラング

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

バイほらCES

収集-発信

断定電圧

tj について=25°C

1200

ほら

ほら

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフほら流動

v についてザ=VCESバイト遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

流動

v について遺伝子組み換え=V総エネルギーバイトザ=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

400

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について総額

ゲート発信者の限界値

圧力は

i についてc について=32mA,Vザ=V遺伝子組み換えほらほらtj について=25°C

5.0

6.2

7.0

v について

ほら

ほら

v について衛星

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25°C

ほら

1.8

ほら

ほら

ほら

v について

i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 について°C

ほら

2.0

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

q遺伝子組み換え

ゲートチャージ

i についてc について=800A,Vザ=600V

v について遺伝子組み換え=-15...+15V

ほら

11.5

ほら

微分

tオンに

オンする遅延時間

v についてcc=600V,Ic について=800A

rゲン=3.3Ω

rゲッフ=0.39Ω,

v について遺伝子組み換えほら=± について15V,Tj について=25°C

ほら

600

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

230

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

820

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

150

ほら

NS

tオンに

オンする遅延時間

ほら

v についてcc=600V,Ic について=800A

rゲン=3.3Ω

rゲッフ=0.39Ω,

v について遺伝子組み換えほら=± について15V,Tj について=125 について°C

ほら

660

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

220

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

960

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

180

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え損失

ほら

160

ほら

ロープ

e についてオフ

切断切換損失

ほら

125

ほら

ロープ

c についてほら

入力容量

ほら

v についてザ電気回路が1Mhzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

61.8

ほら

ロープ

c についてオーエス

輸出容量

ほら

4.2

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

2.7

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tsc について≤10μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 について°Cほら

v についてcc=900Vほらv について単数ほら≤1200V

ほら

ほら

3760

ほら

ほら

a について

わかったザ

流れる誘導力

ほら

ほら

20

ほら

ほら

rcc+ロープ’

モジュール鉛抵抗薬剤剤剤ほらターミナルからチップへ

tc について=25°C

ほら

0.18

ほら

ロープオー

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=800A

tj について=25°C

ほら

2.4

ほら

v について

tj について=125 について°C

ほら

2.2

ほら

qr

逆ダイオード

リカバリーチャージ

ほら

ほら

i についてf について=800A

v についてr=600V

di/dt=-3600A/μs,ほらv について遺伝子組み換え=15V

tj について=25°C

ほら

37

ほら

微分

tj について=125 について°C

ほら

90

ほら

ほら

i についてロープ

ダイオードピーク

逆転回復ほら流動

tj について=25°C

ほら

260

ほら

ほら

a について

tj について=125 について°C

ほら

400

ほら

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

tj について=25°C

ほら

9

ほら

ロープ

tj について=125 について°C

ほら

24

ほら

シンボル

パラメーター

タイプする

オーケー

単位

rθJC

接合部からケースまで (IGBT部、あたりほら半モジュール)

ほら

0.029

総量

rθJC

接合部からケースまで (ダイオード部、あたりほら半モジュール)

ほら

0.052

総量

rθCS

ケースからシンク

(電導性脂肪が適用され, モジュール)

0.006

ほら

総量

体重

重さほら模組

1500

ほら

g