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特徴
典型的なほら申請
絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認ほら
ゲン
シンボル |
記述 |
値 |
ユニット |
v についてCES |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
v について |
v について総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
v について |
i についてc について |
コレクター ストリーム @ Tc について=100ほらc について |
800 |
a について |
i についてセンチメートル |
パルスコレクター電流 tp=1ms |
1600 |
a について |
pd |
最大電源分散 @ Tvj=175ほらc について |
4687 |
ワ |
ダイオード
ほら
シンボル |
記述 |
値 |
ユニット |
v についてRRM |
繰り返しのピーク リバース・ボルト年齢 |
1200 |
v について |
i についてf について |
ダイオード 連続前向きCurrent |
900 |
a について |
i についてfm |
ダイオード最大前向き電流 tp=1ms |
1800 |
a について |
i についてFSM |
サージ前方電流 tp=10ms @ Tvj=125ほらc についてほら@ Tvj=175ほらc について |
2392 2448 |
a について |
i について2t |
i について2t-価値ほらtp=10msありがとうございましたtvj=125 についてほらc について@ Tvj=175ほらc について |
28608 29964 |
a について2s |
模組
ほら
シンボル |
記述 |
価値 |
ユニット |
tvjmax |
交差点最大温度 |
175 |
ほらc について |
tバイト |
交差点の動作温度 |
-40から+150 |
ほらc について |
tSTG |
貯蔵温度範囲 |
-40から+125 |
ほらc について |
v についてサイロ |
絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 |
2500 |
v について |
ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル |
パラメーター |
試験条件 |
ポイント |
タイプする |
オーケー |
ユニット |
ほら ほら v について衛星 |
ほら ほら 収集機から発信機へほら飽和電圧 |
i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=25ほらc について |
ほら |
1.40 |
1.85 |
ほら ほら v について |
i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=125 についてほらc について |
ほら |
1.60 |
ほら |
|||
i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=175ほらc について |
ほら |
1.60 |
ほら |
|||
v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について |
ゲート発信者の限界値ほら圧力は |
i についてc について=24.0ママほらv についてザ= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtvj=25ほらc について |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
v について |
i についてCES |
収集家ほら切る- わかったオフ流動 |
v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vほらtvj=25ほらc について |
ほら |
ほら |
1.0 |
ママ |
i について総エネルギー |
ゲート発射器の漏れほら流動 |
v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtvj=25ほらc について |
ほら |
ほら |
400 |
ほら |
rゲント |
内部ゲート抵抗アンス |
ほら |
ほら |
0.5 |
ほら |
オー |
c についてほら |
入力容量 |
v についてザ電気回路が25Vで,f=100KHzで,ほらv について遺伝子組み換え=0V |
ほら |
28.4 |
ほら |
ロープ |
c についてレス |
逆転移転ほら容量 |
ほら |
0.15 |
ほら |
ロープ |
|
qg |
ゲートチャージ |
v について遺伝子組み換え=-15...+15V |
ほら |
2.05 |
ほら |
微分 |
td( ありがとうございました)について) について |
オンする遅延時間 |
ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=800Aほらrg=0.5Ω, Ls=40nH,ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V, tvj=25ほらc について |
ほら |
168 |
ほら |
NS |
tr |
昇る時間 |
ほら |
78 |
ほら |
NS |
|
t消して |
切断するほら遅延時間 |
ほら |
428 |
ほら |
NS |
|
tf について |
秋の時間 |
ほら |
123 |
ほら |
NS |
|
e についてについて |
オンほら切り替えほら損失 |
ほら |
43.4 |
ほら |
ロープ |
|
e についてオフ |
切断するほら損失 |
ほら |
77.0 |
ほら |
ロープ |
|
td( ありがとうございました)について) について |
オンする遅延時間 |
ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=800Aほら rg=0.5Ω, Ls=40nH, ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V, tvj=125 についてほらc について |
ほら |
172 |
ほら |
NS |
tr |
昇る時間 |
ほら |
84 |
ほら |
NS |
|
t消して |
切断するほら遅延時間 |
ほら |
502 |
ほら |
NS |
|
tf について |
秋の時間 |
ほら |
206 |
ほら |
NS |
|
e についてについて |
オンほら切り替えほら損失 |
ほら |
86.3 |
ほら |
ロープ |
|
e についてオフ |
切断するほら損失 |
ほら |
99.1 |
ほら |
ロープ |
|
td( ありがとうございました)について) について |
オンする遅延時間 |
ほら ほら v についてcc=600V,Ic について=800A ほらrg=0.5Ω, Ls=40nH,ほら v について遺伝子組み換え=-8V/+15V, tvj=175ほらc について |
ほら |
174 |
ほら |
NS |
tr |
昇る時間 |
ほら |
90 |
ほら |
NS |
|
t消して |
切断するほら遅延時間 |
ほら |
531 |
ほら |
NS |
|
tf について |
秋の時間 |
ほら |
257 |
ほら |
NS |
|
e についてについて |
オンほら切り替えほら損失 |
ほら |
99.8 |
ほら |
ロープ |
|
e についてオフ |
切断するほら損失 |
ほら |
105 |
ほら |
ロープ |
|
ほら ほら i についてスコ |
ほら ほら SC データ |
tp≤8μs,v について遺伝子組み換え=15V tvj=150 についてほらC, v についてcc=800Vほらv について単数ほら≤1200V |
ほら |
ほら 2600 |
ほら |
ほら a について |
tp≤6μsv について遺伝子組み換え=15V tvj=175ほらC, v についてcc=800Vほらv について単数ほら≤1200V |
ほら |
ほら 2500 |
ほら |
ほら a について |
ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル |
パラメーター |
試験条件 |
ポイント |
タイプする |
オーケー |
単位 |
ほら v についてf について |
ダイオード 前向きほら圧力は |
i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25ほらc について |
ほら |
1.60 |
2.00 |
ほら v について |
i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=125 についてほらc について |
ほら |
1.60 |
ほら |
|||
i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=175ほらc について |
ほら |
1.50 |
ほら |
|||
qr |
回収された電荷 |
ほら v についてr=600V,If について=800A -di/dt=7778A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtvj=25ほらc について |
ほら |
47.7 |
ほら |
微分 |
i についてロープ |
ピーク逆 回復電流 |
ほら |
400 |
ほら |
a について |
|
e についてレス |
逆転回復ほらエネルギー |
ほら |
13.6 |
ほら |
ロープ |
|
qr |
回収された電荷 |
ほら v についてr=600V,If について=800A -di/dt=7017A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtvj=125 についてほらc について |
ほら |
82.7 |
ほら |
微分 |
i についてロープ |
ピーク逆 回復電流 |
ほら |
401 |
ほら |
a について |
|
e についてレス |
逆転回復ほらエネルギー |
ほら |
26.5 |
ほら |
ロープ |
|
qr |
回収された電荷 |
ほら v についてr=600V,If について=800A -di/dt=6380A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtvj=175ほらc について |
ほら |
110 |
ほら |
微分 |
i についてロープ |
ピーク逆 回復電流 |
ほら |
413 |
ほら |
a について |
|
e についてレス |
逆転回復ほらエネルギー |
ほら |
34.8 |
ほら |
ロープ |
ほら
NTCほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル |
パラメーター |
試験条件 |
ポイント |
タイプする |
オーケー |
ユニット |
r25 |
定数抵抗 |
ほら |
ほら |
5.0 |
ほら |
kΩ |
∆R/R |
偏差ほらについてほらr100 |
tc について=100ほらほらc についてロープ100=493.3Ω |
-5 |
ほら |
5 |
% |
p25 |
電力 消散 |
ほら |
ほら |
ほら |
20.0 |
mw |
b について25/50 |
B値 |
r2=R25経験[B25/501/T2- わかったほら半角形から |
ほら |
3375 |
ほら |
k |
b について25/80 |
B値 |
r2=R25経験[B25/801/T2- わかったほら半角形から |
ほら |
3411 |
ほら |
k |
b について25/100 |
B値 |
r2=R25経験[B25/1001/T2- わかったほら半角形から |
ほら |
3433 |
ほら |
k |
ほら
模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認
シンボル |
パラメーター |
ポイント |
タイプする |
オーケー |
ユニット |
わかったザ |
流れる誘導力 |
ほら |
20 |
ほら |
ほら |
rCC+EE |
モジュールリード抵抗,端末からチップ |
ほら |
0.80 |
ほら |
mΩ |
rthJC |
接合- わかったについて- わかったケース( ありがとうございました)perIGBT) についてほらケースへの接点 (DIあたり)オーデ) |
ほら |
ほら |
0.032 ほら0.049 |
総量 |
ほら rthCH |
ケースからヒートシンクへの(per IGBT) ケースからヒートシンクへ(peダイオード) ケースからヒートシンク (per模块) |
ほら |
0.030ほら 0.046ほら 0.009 |
ほら |
総量 |
ロープ |
端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクロール M5 |
3.0ほら3.0 |
ほら |
6.0ほら6.0 |
ラング |
g |
体重ほらについてほら模組 |
ほら |
350 |
ほら |
g |
ほら
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