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1200V

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GD800HFA120C6SD

IGBTモジュール,1200V 800A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD800HFA120C6SD
  • 紹介
紹介

特徴

  • 低VCE(sat)トレンチIGBTT 技術
  • 短回路能力
  • 陽性温度係数を持つ VCE (sat)
  • 最大接合温度175oc について
  • 低感受性ケース
  • 速くて柔らかい逆回復 アンチパラレル FWD
  • 絶縁銅ベースプレートDBC技術を使用

典型的なほら申請

  • ハイブリッドおよび電気自動車
  • モータードライブ用インバータ
  • 断続性のある電源

絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認ほら

ゲン

シンボル

記述

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=100ほらc について

800

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

1600

a について

pd

最大電源分散 @ Tvj=175ほらc について

4687

ダイオード

ほら

シンボル

記述

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト年齢

1200

v について

i についてf について

ダイオード 連続前向きCurrent

900

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

1800

a について

i についてFSM

サージ前方電流  tp=10ms  @ Tvj=125ほらc についてほら@ Tvj=175ほらc について

2392

2448

a について

i について2t

i について2t-価値ほらtp=10msありがとうございましたtvj=125 についてほらc について@ Tvj=175ほらc について

28608

29964

a について2s

模組

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

tvjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tバイト

交差点の動作温度

-40から+150

ほらc について

tSTG

貯蔵温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

絶縁電圧  RMS,f=50Hz,t=1分

2500

v について

ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

v について衛星

ほら

ほら

収集機から発信機へほら飽和電圧

i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=25ほらc について

ほら

1.40

1.85

ほら

ほら

v について

i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=125 についてほらc について

ほら

1.60

ほら

i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtvj=175ほらc について

ほら

1.60

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について=24.0ママほらv について= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtvj=25ほらc について

5.5

6.3

7.0

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ流動

v について= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vほらtvj=25ほらc について

ほら

ほら

1.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv について=0Vtvj=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

ほら

ほら

0.5

ほら

オー

c についてほら

入力容量

v について電気回路が25Vで,f=100KHzで,ほらv について遺伝子組み換え=0V

ほら

28.4

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転ほら容量

ほら

0.15

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え=-15...+15V

ほら

2.05

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=800Aほらrg=0.5Ω, Ls=40nH,ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V,

tvj=25ほらc について

ほら

168

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

78

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

428

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

123

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

43.4

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

77.0

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=800Aほら

rg=0.5Ω, Ls=40nH,

ほらv について遺伝子組み換え=-8V/+15V,

tvj=125 についてほらc について

ほら

172

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

84

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

502

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

206

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

86.3

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

99.1

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=800A

ほらrg=0.5Ω, Ls=40nH,ほら

v について遺伝子組み換え=-8V/+15V,

tvj=175ほらc について

ほら

174

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

90

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

531

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

257

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

99.8

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

105

ほら

ロープ

ほら

ほら

i についてスコ

ほら

ほら

SC データ

tp≤8μs,v について遺伝子組み換え=15V

tvj=150 についてほらC,

v についてcc=800Vほらv について単数ほら1200V

ほら

ほら

2600

ほら

ほら

a について

tp≤6μsv について遺伝子組み換え=15V

tvj=175ほらC,

v についてcc=800Vほらv について単数ほら1200V

ほら

ほら

2500

ほら

ほら

a について

ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

ほら

v についてf について

ダイオード 前向きほら圧力は

i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25ほらc について

ほら

1.60

2.00

ほら

v について

i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=125 についてほらc について

ほら

1.60

ほら

i についてf について=900A,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=175ほらc について

ほら

1.50

ほら

qr

回収された電荷

ほら

v についてr=600V,If について=800A

-di/dt=7778A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtvj=25ほらc について

ほら

47.7

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

400

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

13.6

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

ほら

v についてr=600V,If について=800A

-di/dt=7017A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtvj=125 についてほらc について

ほら

82.7

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

401

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

26.5

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

ほら

v についてr=600V,If について=800A

-di/dt=6380A/μs,V遺伝子組み換え=-8V,わかったs=40ほらほらtvj=175ほらc について

ほら

110

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

413

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

34.8

ほら

ロープ

ほら

NTCほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

r25

定数抵抗

ほら

ほら

5.0

ほら

∆R/R

偏差ほらについてほらr100

tc について=100ほらほらc についてロープ100=493.3Ω

-5

ほら

5

%

p25

電力

消散

ほら

ほら

ほら

20.0

mw

b について25/50

B値

r2=R25経験[B25/501/T2- わかったほら半角形から

ほら

3375

ほら

k

b について25/80

B値

r2=R25経験[B25/801/T2- わかったほら半角形から

ほら

3411

ほら

k

b について25/100

B値

r2=R25経験[B25/1001/T2- わかったほら半角形から

ほら

3433

ほら

k

ほら

模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかった

流れる誘導力

ほら

20

ほら

ほら

rCC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

ほら

0.80

ほら

rthJC

接合- わかったについて- わかったケース( ありがとうございました)perIGBT) についてほらケースへの接点 (DIあたり)オーデ)

ほら

ほら

0.032

ほら0.049

総量

ほら

rthCH

ケースからヒートシンクへの(per IGBT)    ケースからヒートシンクへ(peダイオード)    ケースからヒートシンク (per模块)

ほら

0.030ほら

0.046ほら

0.009

ほら

総量

ロープ

端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクロール M5

3.0ほら3.0

ほら

6.0ほら6.0

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

350

ほら

g

ほら

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