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1200V

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GD600HTA120P6HT 試料の種類

IGBT モジュール,1200V 600A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD600HTA120P6HT 試料の種類
  • 紹介
紹介

特徴

  • 低VCE (座っている)トレンチ IGBT 技術
  • 低スイッチング損失
  • 6μs短回路能力
  • 衛星の VCE (衛星)持ってる陽性温度定数
  • 最大接合温度 175oC
  • 低感受性ケース
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • 孤立したピンフィンベースプレート使用Si3N4AMBテクノロジー

典型的なほら申請

  • 自動車用
  • ハイブリッドおよび電気自動車
  • モータードライブ用インバータ

絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ゲン

シンボル

記述

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてについて

実装されたコレクター Current

600

a について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tf について=85 についてほらc について

450

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

1200

a について

pd

最大電力損失行動ほらありがとうございましたtf について=75ほらc についてほらtj について=175ほらc について

970

ダイオード

ほら

シンボル

記述

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク逆電圧遺伝子組み換え

1200

v について

i についてフラン

実装されたコレクター Current

600

a について

i についてf について

ダイオード 連続前向きCurrent

450

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

1200

a について

模組

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

tjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tショウジョウ

動作点の温度は連続

期間中の10s30代 発生寿命最大3000回私について

-40から+150わかった

+150から+175

ほらc について

tSTG

貯蔵温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1ポイント

2500

v について

d変な

ターミナルからヒートシンクへほらターミナルからターミナルへ

9.0ほら9.0

mm

d清潔

ターミナルからヒートシンクへほらターミナルからターミナルへ

4.5ほら4.5

mm

ほら

ゲン

シンボル

記述

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてについて

実装されたコレクター Current

600

a について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tf について=85 についてほらc について

450

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

1200

a について

pd

最大電力損失行動ほらありがとうございましたtf について=75ほらc についてほらtj について=175ほらc について

970

ダイオード

ほら

シンボル

記述

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク逆電圧遺伝子組み換え

1200

v について

i についてフラン

実装されたコレクター Current

600

a について

i についてf について

ダイオード 連続前向きCurrent

450

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

1200

a について

模組

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

tjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tショウジョウ

動作点の温度は連続

期間中の10s30代 発生寿命最大3000回私について

-40から+150わかった

+150から+175

ほらc について

tSTG

貯蔵温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1ポイント

2500

v について

d変な

ターミナルからヒートシンクへほらターミナルからターミナルへ

9.0ほら9.0

mm

d清潔

ターミナルからヒートシンクへほらターミナルからターミナルへ

4.5ほら4.5

mm

ほら

ゲンほら特徴ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

ほら

ほら

ほら

v について衛星

ほら

ほら

ほら

ほら

ほら

収集機から発信機へほら飽和電圧

i についてc について=450A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

1.40

ほら

ほら

ほら

ほら

ほら

ほら

v について

i についてc について=450A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について

ほら

1.65

ほら

i についてc について=450A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=175ほらc について

ほら

1.70

ほら

i についてc について=600A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

1.60

ほら

i についてc について=600A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について

ほら

1.90

ほら

i についてc について=600A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=175ほらc について

ほら

2.00

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について=15.6ママほらv について= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25ほらc について

ほら

6.4

ほら

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ流動

v について= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25ほらc について

ほら

ほら

1.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv について=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗

ほら

ほら

1.67

ほら

オー

c についてほら

入力容量

ほら

v について電気回路が25Vで,f=100KHzで,ほらv について遺伝子組み換え=0V

ほら

81.2

ほら

ロープ

c についてオーエス

輸出容量

ほら

1.56

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転ほら容量

ほら

0.53

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v についてほら=600V,Ic についてほら=600A,V遺伝子組み換え=-8...+15V

ほら

5.34

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

v についてcc=600V,Ic について=600A

rゲン=1.0Ωrゲッフ=2.2Ωほらわかったs=22nH

v について遺伝子組み換え=-8V/+15V,ほらtj について=25ほらc について

ほら

290

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

81

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

895

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

87

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

53.5

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

47.5

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

v についてcc=600V,Ic について=600A

rゲン=1.0Ωrゲッフ=2.2Ωほらわかったs=22nH

v について遺伝子組み換え=-8V/+15V,ほらtj について=150 についてほらc について

ほら

322

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

103

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

1017

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

171

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

84.2

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

63.7

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

v についてcc=600V,Ic について=600A

rゲン=1.0Ωrゲッフ=2.2Ωほらわかったs=22nH

v について遺伝子組み換え=-8V/+15V,ほらtj について=175ほらc について

ほら

334

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

104

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

1048

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

187

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

89.8

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

65.4

ほら

ロープ

i についてスコ

SC データ

tp≤6μsv について遺伝子組み換え=15V

tj について=175ほらC,Vcc=800Vほらv について単数≤1200V

ほら

2000

ほら

a について

ダイオードほら特徴ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

v についてf について

ほら

ほら

ダイオード 前向きほら圧力は

i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について

ほら

1.80

ほら

ほら

ほら

v について

i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=150ほらc について

ほら

1.75

ほら

i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=175ほらc について

ほら

1.70

ほら

i についてf について=600A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について

ほら

1.95

ほら

i についてf について=600A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=150ほらc について

ほら

1.95

ほら

i についてf について=600A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=175ほらc について

ほら

1.90

ほら

qr

回収された電荷

ほら

v についてr=600V,If について=600A

-di/dt=7040A/μs,V遺伝子組み換え=8Vほらわかったs=22ほらほらtj について=25ほらc について

ほら

22.5

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

304

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

10.8

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

ほら

v についてr=600V,If について=600A

-di/dt=5790A/μs,V遺伝子組み換え=8Vほらわかったs=22ほらほらtj について=150 についてほらc について

ほら

46.6

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

336

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

18.2

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

ほら

v についてr=600V,If について=600A

-di/dt=5520A/μs,V遺伝子組み換え=8Vほらわかったs=22ほらほらtj について=175ほらc について

ほら

49.8

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

346

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

19.8

ほら

ロープ

ほら

ほら

NTCほら特徴ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

r25

定数抵抗

ほら

ほら

5.0

ほら

∆R/R

偏差ほらについてほらr100

tc について=100ほらほらc についてロープ100=493.3Ω

-5

ほら

5

%

p25

電力

消散

ほら

ほら

ほら

20.0

mw

b について25/50

B値

r2=R25経験[B25/501/T2- わかったほら半角形から

ほら

3375

ほら

k

b について25/80

B値

r2=R25経験[B25/801/T2- わかったほら半角形から

ほら

3411

ほら

k

b について25/100

B値

r2=R25経験[B25/1001/T2- わかったほら半角形から

ほら

3433

ほら

k

ほら

模組ほら特徴ほらtf について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかった

流れる誘導力

ほら

8

ほら

ほら

rCC+EE

モジュール鉛抵抗端末からチップへ

ほら

0.75

ほら

p

V/t=10.0dm3/ わかったポイントほらtf について=75ほらc について

ほら

64

ほら

mbar

p

冷却回りの最大圧キュート

ほら

ほら

2.5

バー

ほら

rthJF

接合- わかったについて- わかった冷却ほら流体( ありがとうございました)perIGBT) について結合冷却液 (Dあたり)ヨード)ほらV/t=10.0dm3/ わかったポイントほらtf について=75ほらc について

ほら

ほら

0.103ほら0.140

総量

ロープ

端末接続トークほらスクロール M5ほら固定トークほらスクロールM4

3.6ほら1.8

ほら

4.4ほら2.2

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

750

ほら

g

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