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1200V

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GD450HFX120C2SA

IGBT モジュール,1200V 450A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD450HFX120C2SA
  • 紹介
紹介

特徴

  • 低V( ありがとうございました)衛星) についてほらほらゲンほらテクノロジー
  • 10μsほら短絡容量能力
  • v について( ありがとうございました)衛星) についてほら持ってるほら陽性ほら温度ほら定数
  • 最大ほら接合温度ほら175ほらc について
  • 低誘導性ほらケース
  • 速くて柔らかい逆回復ほら逆平行FWD
  • DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的なほら申請

  • インバーターほらモータードライブ用
  • ACとDCほらサーボほら運転するほら増幅器
  • 無停電電源ほらほら供給

絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ゲン

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について

@ Tc について=90ほらc について

656

450

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

900

a について

pd

最大電源分散 @ Tj について=175ほらc について

2054

ダイオード

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト年齢

1200

v について

i についてf について

ダイオード 連続前向きCurrent

450

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

900

a について

模組

シンボル

記述

価値

ユニット

tjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

ほらc について

tSTG

貯蔵温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

絶縁電圧  RMS,f=50Hz,t=1分

4000

v について

ほら

ほら

ほらほらゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

v について衛星

ほら

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=450A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

1.70

2.15

ほら

ほら

v について

i についてc について=450A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について

ほら

1.95

ほら

i についてc について=450A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について

ほら

2.00

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について=18.0ママほらv について= 違うv について遺伝子組み換えほらほらtj について=25ほらc について

5.6

6.2

6.8

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ

流動

v について= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V

tj について=25ほらc について

ほら

ほら

1.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv について=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗

ほら

ほら

0.7

ほら

オー

c についてほら

入力容量

v について電気回路が1Mhzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

46.6

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

1.31

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え=- やってるほら15...+15V

ほら

3.50

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=450Aわかったrg=1.5Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

328

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

76

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

539

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

108

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

19.5

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

46.6

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=450Aわかったrg=1.5Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=125 についてほらc について

ほら

376

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

86

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

595

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

214

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

36.3

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

53.5

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=450Aわかったrg=1.5Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=150 についてほらc について

ほら

380

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

89

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

608

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

232

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

41.7

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

55.5

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tp≤10μsv について遺伝子組み換え=15V

tj について=150 についてほらC,Vcc=800Vほらv について単数≤1200V

ほら

ほら

1800

ほら

ほら

a について

ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について

ほら

1.90

2.35

ほら

v について

i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=125ほらc について

ほら

2.00

ほら

i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=150ほらc について

ほら

2.05

ほら

qr

回収された電荷

ほら

v についてcc=600V,If について=450A

-di/dt=4370A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15Vtj について=25ほらc について

ほら

55.2

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

518

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

26.0

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

ほら

v についてcc=600V,If について=450A

-di/dt=4370A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15Vtj について=125 についてほらc について

ほら

106

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

633

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

47.5

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

ほら

v についてcc=600V,If について=450A

-di/dt=4370A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15Vtj について=150 についてほらc について

ほら

121

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

661

ほら

a について

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

ほら

53.9

ほら

ロープ

ほら

模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかった

流れる誘導力

ほら

ほら

20

ほら

rCC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

ほら

0.35

ほら

rthJC

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

ケースへの接点 (DIあたり)オーデ)

ほら

ほら

0.073

0.128

総量

ほら

rthCH

ケースからヒートシンクへの(per IGBT)

ケースからヒートシンク (pe)ダイオード)

ケースからヒートシンク (Mあたり)臭い)

ほら

0.031

0.055

0.010

ほら

総量

ロープ

端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6

2.5

3.0

ほら

5.0

5.0

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

300

ほら

g

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