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1200V

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GD450HFT120C2S

IGBT モジュール,1200V 450A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD450HFT120C2S
  • 紹介
紹介

特徴

  • 低V衛星ほらトレンチ IGテクノロジー
  • 10μs短回路ほら能力
  • v について( ありがとうございました)衛星) についてほら持ってるほら陽性ほら温度ほら定数
  • 最大ほら接合温度ほら175ほらc について
  • 低感受性ケース
  • 速くて柔らかい逆転逆平行FWD
  • 銅製の塩基板デジタル・バンク・テクノロジーを使用する

典型的なほら申請

  • モータードライブ用インバータ
  • ACとDCのサーボほら運転するほらアンプ熱い
  • 断続性のある電源

絶対値ほら最大ほら評価TC=25°C 違いに注意しない限り

ほらゲン

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1200

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±30

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について=25ほらc について@ Tc について=95ほらc について

685

450

a について

i についてセンチメートル

パルスコレクター電流 tp=1ms

900

a について

pd

最大電源分散 @ Tj について=175ほらc について

2206

ダイオード

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

v についてRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v について

i についてf について

ダイオード 連続前向き賃貸

450

a について

i についてfm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

900

a について

模組

ほら

シンボル

記述

価値

ユニット

tjmax

交差点最大温度

175

ほらc について

tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

ほらc について

tSTG

保存温度範囲

-40から+125

ほらc について

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分前

4000

v について

ゲンほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

ほら

v について衛星

ほら

ほら

収集機から発信機へほら飽和電圧

i についてc について=450A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

1.70

2.15

ほら

ほら

v について

i についてc について=450A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について

ほら

1.95

ほら

i についてc について=450A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=150 についてほらc について

ほら

2.00

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について= 違うほら18.0mA,V=V遺伝子組み換えほらtj について=25ほらc について

5.0

5.6

6.5

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ流動

v について= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv について=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

ほら

ほら

0.7

ほら

オー

c についてほら

入力容量

v について電気回路が1Mhzでほらv について遺伝子組み換え=0V

ほら

39.0

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転ほら容量

ほら

1.26

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え=15V

ほら

2.46

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=450Aわかったrg= 違うほら1.5Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vtj について=25ほらc について

ほら

360

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

140

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

550

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

146

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

11.5

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

48.0

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=450Aわかったrg= 違うほら1.5Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について

ほら

374

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

147

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

623

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

178

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

17.9

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

64.5

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=450Aわかったrg= 違うほら1.5Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら150ほらc について

ほら

381

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

152

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

636

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

184

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替えほら損失

ほら

19.6

ほら

ロープ

e についてオフ

切断するほら損失

ほら

69.0

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V

tj について=150 についてほらC,Vcc=900Vほらv について単数≤1200V

ほら

ほら

1800

ほら

ほら

a について

ダイオードほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

v についてf について

ダイオード 前向き圧力は

i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について

ほら

1.72

2.12

ほら

v について

i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら125ほらc について

ほら

1.73

ほら

i についてf について=450A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら150ほらc について

ほら

1.74

ほら

qr

回収された電荷

v についてcc=600V,If について=450A

-di/dt=3000A/μs,V遺伝子組み換え=15Vtj について=25ほらc について

ほら

40.3

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

258

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

19.0

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてcc=600V,If について=450A

-di/dt=3000A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について

ほら

71.9

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

338

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

39.1

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてcc=600V,If について=450A

-di/dt=3000A/μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら150ほらc について

ほら

79.3

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

352

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

41.8

ほら

ロープ

模組ほら特徴ほらtc について=25ほらc についてほらしない限りほら違うならほら確認

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかった

流れる誘導力

ほら

ほら

20

ほら

rCC+EE

モジュール鉛抵抗端末からチップへ

ほら

0.35

ほら

rθJC さん

ケース対ケース (IGBごとに)T) について交差点 (Dあたり)ヨード)

ほら

ほら

0.068ほら0.117

総量

rθcs

ケースからシンク (IGBT)ほらケースからシンク (ダイオードごとに)

ほら

0.111ほら0.190

ほら

総量

rθcs

ケースからシンク

ほら

0.035

ほら

総量

ロープ

端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6

2.5ほら3.0

ほら

5.0ほら5.0

ラング

g

体重ほら模組

ほら

300

ほら

g

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