1200V

シンボル

記述

価値

ユニット

総額

集合器-放出器の電圧

1200

v について

VGES

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

ザ

コレクター電流 @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

a について

ICM

パルスコレクター 電流 tp=1ms

800

a について

病状

最大電力の分散 @ T = 150oC

2659

ワ

シンボル

記述

価値

ユニット

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v について

だったら

ダイオード 連続前流

400

a について

ifm

ダイオード最大前向き電流 tp=1ms

800

a について

シンボル

記述

価値

ユニット

Tjmax 合計

交差点最大温度

150

oC

バイバイ

交差点の動作温度

-40から+125

oC

ターゲット・ストーブ

貯蔵温度範囲

-40から+125

oC

ヴィソ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

2500

v について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

ほら

v について衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

2.90

3.35

ほら

v について

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 についてほらc について

ほら

3.60

ほら

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値ほら圧力は

i についてc について= 違うほら16.0mA,Vザ=V遺伝子組み換えについてj について=25ほらc について

4.5

5.5

6.5

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフ

流動

v についてザ= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0V

tj について=25ほらc について

ほら

ほら

5.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れほら流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv についてザ=0Vtj について=25ほらc について

ほら

ほら

400

ほら

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

ほら

ほら

0.6

ほら

オー

c についてほら

入力容量

v についてザ電気回路が1Mhzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

26.0

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

1.70

ほら

ロープ

qg

ゲートチャージ

v について遺伝子組み換え=- やってるほら15...+15V

ほら

4.2

ほら

微分

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=400A,わかったrg=2.2Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について=25ほらc について

ほら

76

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

57

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

529

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

73

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

5.2

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

23.2

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

v についてcc=600V,Ic について=400A,rg=2.2Ω

v について遺伝子組み換え=±15Vほらtj について= 違うほら125ほらc について

ほら

81

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

62

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

ほら

567

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

81

ほら

NS

e についてについて

オンほら切り替え

損失

ほら

9.9

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

31.7

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tp≤10μs,V遺伝子組み換え=15V

tj について=125 についてほらC,Vcc=900Vほらv について単数≤1200V

ほら

ほら

2800

ほら

ほら

a について

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=400A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について=25ほらc について

ほら

1.96

2.31

v について

i についてf について=400A,V遺伝子組み換え=0V,Tj について= 違うほら125ほらc について

ほら

1.98

ほら

qr

回収された電荷

v についてr=600V,If について=400A,

-di/dt=6000A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vtj について=25ほらc について

ほら

24.9

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

317

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

16.0

ほら

ロープ

qr

回収された電荷

v についてr=600V,If について=400A,

-di/dt=6000A/μs,V遺伝子組み換え=- やってるほら15vほらtj について= 違うほら125ほらc について

ほら

35.5

ほら

微分

i についてロープ

ピーク逆

回復電流

ほら

391

ほら

a について

e についてレス

逆転回復エネルギー

ほら

21.4

ほら

ロープ

シンボル

パラメーター

ポイント

タイプする

オーケー

ユニット

わかったザ

流れる誘導力

ほら

ほら

20

ほら

rCC+EE

モジュールリードレジスタターミナルからチップへ

ほら

0.18

ほら

mΩ

rthJC

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

ケースへの接点 (DIあたり)オーデ)

ほら

ほら

0.047

0.100

総量

ほら

rthCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT）

ケースからヒートシンク (pe)ダイオード)

ケースからヒートシンク (Mあたり)臭い)

ほら

0.015

0.031

0.010

ほら

総量

ロープ

端末接続トークほらスクリューM6ほら固定トークほらスクリューM6

2.5

3.0

ほら

5.0

5.0

ラング

g

体重ほらについてほら模組

ほら

300

ほら

g