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1700V

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GD400SGT170C2S

IGBTモジュール,1700V 400A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD400SGT170C2S
  • 紹介
紹介

特徴

  • 低VCE (座っている)ゲンテクノロジー
  • 低スイッチング損失
  • 10μs短回路能力
  • 陽性温度係数を持つ VCE (sat)
  • 低感受性ケース
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • DBC技術を用いた隔離銅基板

ほら

ほら

典型的なアプリケーション

  • ACインバーター駆動装置
  • 切り替えモードの電源

絶対値ほら最大ほら評価ほらtc について=25°Cほらしない限りほら違うならほら確認

7

シンボル

記述

GD400SGT170C2S

単位

v についてCES

集合器-放出器の電圧

1700

v について

v について総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v について

i についてc について

コレクター ストリーム @ Tc について= 違う25°C

@ Tc について=80 について°C

700

a について

400

i についてセンチメートル(1) について

パルスコレクター電流 tp=1ms

800

a について

i についてf について

ダイオード 連続前流

400

a について

i についてfm

ダイオード 最大前向き回転賃貸

800

a について

pd

最大電源 消耗 @ Tj について= 違うほら175°C

3000

tスコ

短回路 耐える時間 @ Tj について=125 について°C

10

μs

tjmax

交差点最大温度

175

°C

tSTG

貯蔵温度範囲

-40から+125

°C

i について2t値,ダイオード

v についてr=0V,t=10ms,Tj について=125 について°C

25500

a について2s

v についてサイロ

隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分

4000

v について

ほら

固定トルク

電力端末スクリュー:M4

電力端末スクリュー:M6

1.1 からほら2.0

2.5からほら5.0

ラング

設置ほらスクリュー:M6

平均的なほら5.0

ラング

0C2S

電気ほら特徴ほらについてほらゲンほらtc について=25°Cほらしない限りほら違うならほら確認

特徴から外れている

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について( ありがとうございました)br) についてCES

収集-発信

断定電圧

v について遺伝子組み換え=0Vほらi についてc について= 違うほら14mA,tj について=25°C

1700

ほら

ほら

v について

i についてCES

収集家ほら切る- わかったオフほら流動

v について= 違うv についてCESほらv について遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

3.0

ママ

i について総エネルギー

ゲート発射器の漏れ

流動

v について遺伝子組み換え= 違うv について総エネルギーほらv について=0Vほらtj について=25°C

ほら

ほら

400

ほら

特徴について

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v について遺伝子組み換え( ありがとうございました)について) について

ゲート発信者の限界値

圧力は

i についてc について= 違うほら16mA,V=V遺伝子組み換えほらtj について=25°C

5.2

5.8

6.4

v について

ほら

ほら

v について衛星

ほら

収集機から発信機へ

飽和電圧

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25°C

ほら

2.00

2.45

ほら

ほら

v について

i についてc について=400A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について= 違うほら125°C

ほら

2.40

ほら

変形する特性

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

v についてcc=900V,Ic について=400A,

ほら

278

ほら

NS

tr

昇る時間

rg=3.6Ω,V遺伝子組み換え= 違うほら±15ほらv,

ほら

81

ほら

NS

td( ありがとうございました)オフ) について

切断するほら遅延時間

tj について=25°C

ほら

802

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

v についてcc=900V,Ic について=400A,   rg=3.6Ω,V遺伝子組み換え= 違うほら±15ほらv,tj について=25°C

ほら

119

ほら

NS

e についてについて

オン 切り替え

損失

ほら

104

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

86

ほら

ロープ

td( ありがとうございました)について) について

オンする遅延時間

ほら

ほら

ほら

v についてcc=900V,Ic について=400A,   rg=3.6Ω,V遺伝子組み換え= 違うほら±15ほらv,ほらtj について= 違うほら125°C

ほら

302

ほら

NS

tr

昇る時間

ほら

99

ほら

NS

t消して

切断するほら遅延時間

ほら

1002

ほら

NS

tf について

秋の時間

ほら

198

ほら

NS

e についてについて

オン 切り替え

損失

ほら

136

ほら

ロープ

e についてオフ

切断する

損失

ほら

124

ほら

ロープ

c についてほら

入力容量

ほら

v について電気回路が1Mhzで

v について遺伝子組み換え=0V

ほら

36

ほら

ロープ

c についてオーエス

輸出容量

ほら

1.5

ほら

ロープ

c についてレス

逆転移転

容量

ほら

1.2

ほら

ロープ

ほら

i についてスコ

ほら

SC データ

tsc について10μs,v について遺伝子組み換え=15V

tj について=125 について°Cバイトcc= 違うほら1000V,v について単数1700V

ほら

ほら

1600

ほら

ほら

a について

rゲント

内部ゲート抵抗タンス

ほら

ほら

1.9

ほら

オー

わかった

流れる誘導力

ほら

ほら

ほら

20

ほら

rcc+ロープほら

モジュール鉛抵抗薬剤剤剤ほらターミナルからチップへ

tc について=25°C

ほら

0.18

ほら

ロープオー

電気ほら特徴ほらについてほらダイオードほらtc について=25°Cほらしない限りほら違うならほら確認

ほら

シンボル

パラメーター

試験条件

ポイント

タイプする

オーケー

単位

v についてf について

ダイオード 前向き

圧力は

i についてf について=400A

tj について=25°C

ほら

1.80

2.20

v について

tj について= 違うほら125°C

ほら

1.90

ほら

qr

逆ダイオード

リカバリーチャージ

ほら

i についてf について=400A,

v についてr=900ほらv,

di/dt=-4250A/μs,ほらv について遺伝子組み換え=- やってるほら15v

tj について=25°C

ほら

99

ほら

微分

tj について= 違うほら125°C

ほら

172

ほら

ほら

i についてロープ

ダイオードピーク

逆転回復ほら流動

tj について=25°C

ほら

441

ほら

ほら

a について

tj について= 違うほら125°C

ほら

478

ほら

e についてレス

逆転回復ほらエネルギー

tj について=25°C

ほら

53

ほら

ロープ

tj について= 違うほら125°C

ほら

97

ほら

熱特性バイアス

ほら

シンボル

パラメーター

タイプする

オーケー

単位

rθJC さん

接続 (IGBT 部分,pe)模块)

ほら

0.05

総量

rθJC さん

ユニオン・トゥ・ケース (モジュールごとにDIOD部品)について

ほら

0.09

総量

rθcs

ケースからシンク (電導性油脂)回答しました)

0.035

ほら

総量

体重

体重ほらについてほら模組

300

ほら

g

ほら

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